儲粉倉粉位高度控制系統(tǒng)(編輯修改稿)
2025-08-03 12:45 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下表所示：管腳 備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷0） /INT1（外部中斷1） T0（記時器0外部輸入） T1（記時器1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通）P3口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。RST：復位輸入。當振蕩器復位器件時，要保持RST腳兩個機器周期的高電平時間。ALE/PROG：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當用作外部數(shù)據(jù)存儲器時，將跳過一個ALE脈沖。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。此時， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。/PSEN：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次/PSEN有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的/PSEN信號將不出現(xiàn)。/EA/VPP：當/EA保持低電平時，則在此期間外部程序存儲器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式1時，/EA將內(nèi)部鎖定為RESET；當/EA端保持高電平時，此間內(nèi)部程序存儲器。在FLASH編程期間，此引腳也用于施加12V編程電源（VPP）。XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入。XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。 振蕩方式的選擇 本次設(shè)計用到的是內(nèi)部振蕩方式，這種方式下在X1和X2兩端跨接石英晶體及兩個電容，如下圖所示，這樣就和內(nèi)部的反響放大器構(gòu)成穩(wěn)定的自己振蕩器。電容C1和C2通常取30pF，可穩(wěn)定頻率并對正當頻率有微調(diào)作用。接線圖如下： 內(nèi)部振蕩方式 復位電路的設(shè)計復位電路的基本功能是：系統(tǒng)上電時提供復位信號，直至系統(tǒng)電源穩(wěn)定后，撤銷復位信號。為可靠起見，電源穩(wěn)定后還要經(jīng)一定的延時才撤銷復位信號，以防電源開關(guān)或電源插頭分合過程中引起的抖動而影響復位。圖1所示的RC復位電路可以實現(xiàn)上述基本功能，圖3為其輸入輸出特性。但解決不了電源毛刺（A點）和電源緩慢下降（電池電壓不足）等問題 而且調(diào)整 RC常數(shù)改變延時會令驅(qū)動能力變差。左邊的電路為高電平復位有效右邊為低電平Sm為手動復位開關(guān) Ch可避免高頻諧波對電路的干擾。電路圖如下： 復位電路 AD轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計 本次課程設(shè)計使用AD轉(zhuǎn)換器件是ADC0809，ADC0809是8路模擬信號的分時采集，片內(nèi)有8路模擬選通開關(guān)，以及相應的通道抵制鎖存用譯碼電路，其轉(zhuǎn)換時間為100μs左右，ADC0809芯片為28引腳為雙列直插式封裝，其引腳分布圖如下： AD0809引腳圖 A/DC0809主要信號引腳的功能IN7～IN0——模擬量輸入通道ALE——地址鎖存允許信號。對應ALE上跳沿，A、B、C地址狀態(tài)送入地址鎖存器中。START——轉(zhuǎn)換啟動信號。START上升沿時，復位ADC0809；START下降沿時啟動芯片，開始進行A/D轉(zhuǎn)換；在A/D轉(zhuǎn)換期間，START應保持 低電
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