移動智能電子解說器設(shè)計(編輯修改稿)
2025-07-27 07:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 FLBPR 塊保護寄存器未用矢量區(qū) 36字節(jié) $0000 ↓ $003F $0040↓$01BF$01C0↓$DFFF$E000↓$FDFF$FE00$FE01$FE02$FE03$FE09$FE0A$FE0B$FE07$FE08$FE09$FE0A$FE0B$FE0C$FE0D↓$FE1F$FE20↓$FF55$FF56↓$FF7D$FF7E$FF7F↓$FFDB$FFDC↓$FFFF(三) 管腳圖VSSAVDDAPTA3/KBD3PTA2/KBD2PTA1/KBD1PTA0/KBD0VSSAD/VREFLVDDAD/VREFHPTB3/AD3PTB2/AD2PTB1/AD1PTB0/AD0PTD6/T2CH0PTD5/T1CH1CGMXFCOSC2OSC1/RSTPTE0/TXDPTE1/RXD/IRQPTD0/SSPTD1/MISOPTD2/MOSIPTD3/SPSCKVSSVDDPTD4/T1CH01 282 27 3 264 255 246 23 7 228 219 2010 1911 1812 1713 1614 15MC68HC908GR8二、ISD4004單片語音錄放電路介紹 (一)特點 (1)單片8至16分鐘語音錄放。 (2)內(nèi)置微控制器串行通信接口。 (3)3V單電源。 (4)多段信息處理。 (5)工作電流25~30mA，維持電流1uA。 (6)不耗電信息保存100年(典型值)。 (7)高質(zhì)量、自然的語音還原技術(shù)。(8)10萬次錄音周期(典型值)。(9)自動靜噪功能(10)片內(nèi)免調(diào)整時鐘，可選用外部時鐘。(二)引腳描述 電源：(VCCA，VCCD)為使噪聲最小，芯片的模擬和數(shù)字電路使用不同的電源總線，并且分別引到外封裝的不同管腳上，模擬和數(shù)字電源端最好分別走線，盡可能在靠近供電端處相連，而去耦電容應(yīng)盡量靠近器件。地線：(VSSA，VSSD)芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路也使用不同的地線。同相模擬輸入(ANA IN+)這是錄音信號的同相輸入端。輸入放大器可用單端或差分驅(qū)動。單端輸入時，信號由耦合電容輸入，最大幅度為峰峰值32mV，耦合電容和本端的3KΩ電阻輸入阻抗決定了芯片頻帶的低端截止頻率。差分驅(qū)動時，信號最大幅度為峰峰值16mV。反相模擬輸入(ANA IN)差分驅(qū)動時，這是錄音信號的反相輸入端。信號通過耦合電容輸入，最大幅度為峰峰值16 mV。音頻輸出(AUD OUT)提供音頻輸出，可驅(qū)動5KΩ的負載。片選(SS)此端為低，即向該ISD4004芯片發(fā)送指令，兩條指令之間為高電平。串行輸入(MOSI)此端為串行輸入端，主控制器應(yīng)在串行時鐘上升沿之前半個周期將數(shù)據(jù)放到本端，供ISD輸入。串行輸出(MISO)ISD的串行輸出端。ISD未選中時，本端呈高阻態(tài)。串行時鐘(SCLK)ISD的時鐘輸入端，由主控制器產(chǎn)生，用于同步，MOSE和MISO的數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)在SCLK上升沿鎖存到ISD，在下降沿移出ISD。中斷(/INT)本端為漏極開路輸出。ISD在任何操作(包括快進)中檢測到EOM或OVF時，本端變低并保持。中斷狀態(tài)在下一個SPI周期開始時清除。中斷狀態(tài)也可用RINT指令讀取。OVF標(biāo)志指示ISD的錄、放操作已達到存儲器的末尾。EOM標(biāo)志只在放音中檢測到內(nèi)部的EOM標(biāo)志時，此狀態(tài)位才置1。行地址時鐘(RAC)漏極開路輸出。每個RAC周期表示ISD存儲器的操作進行了一行(ISE4004系列中存貯器共2400行)。該信號175ms保持高電平，低電平為25ms?？爝M模式下。該端可用于存儲管理技術(shù) 。外部時鐘(XCLK)本端內(nèi)部有下拉元件。芯片內(nèi)部的采樣時鐘在出廠前已調(diào)校，誤差在+1%內(nèi)。商業(yè)級芯片在整個溫度和電壓范圍內(nèi)，頻率變化在+%內(nèi)。工業(yè)級芯片在整個溫度和電壓范圍內(nèi)，頻率變化在6/+4%內(nèi)，此時建議
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