【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ，效果是非常明顯的。在3G平臺(tái)項(xiàng)目MNIC單板中，在通過(guò)SI分析計(jì)算后將總線讀寫之類的時(shí)序設(shè)計(jì)的余量加大，然后就可以將時(shí)鐘進(jìn)行一些處理使得時(shí)鐘變得緩慢上升和下降。在時(shí)序上仍然能夠滿足讀寫的需要、系統(tǒng)能穩(wěn)定工作的同時(shí)，降低EMI輻射；在MNIC單板中的主要時(shí)鐘輸出端口加10pf的小電容，就起到了使時(shí)鐘變得緩慢上升和下降的作用。 Vc 10PF CLKout POWER GND . . . . .學(xué)習(xí)參考第二章　電源完整性設(shè)計(jì)流程 電源完整性設(shè)計(jì)基本流程 導(dǎo) 入 關(guān) 鍵 信 號(hào) 、 電 源 /地 網(wǎng) 絡(luò) IC器 件 是 否 處在 諧 振 位 置 電 源 /地 平 面 諧 振 仿 真 諧 振 Q值 滿 足 要 求 ,沒(méi) 有 較 大 的 諧 振 點(diǎn) 加 入 激 勵(lì) 電 流 源 在 熱 點(diǎn) 位 置 放 置 電 容 并 仿 真 Z阻 抗 是 否 在目 標(biāo) 阻 抗 以 下 電 壓 頻 率 響 應(yīng) 和 平 面 電 壓 分 布 是 否 滿 足 要 求 分 析 SYZ參 數(shù) 電 源 /地 平 面 諧 振 是 否 滿 足 要 求 導(dǎo) 入 檢 查 出 現(xiàn) 異 常 開 始 結(jié) 束 NO YES YES NO NO YES NO YES NO ES YES NO YES NO IC器 件 布 局 輸 出 全 波 SPIC 模 型 ， IE仿 真 疊 層 結(jié) 構(gòu) 是 否 最 佳 使用ansoft公司的SIwave 完成典型的PI 分析的典型流程如上圖所示，它主要分為四大步，包括：1． 諧振模式（Resonant Mode）1) 預(yù)布局 PDS 的地電平面的結(jié)構(gòu)，包括疊層、板材、以及地電分割等，使 PCB. . . . .學(xué)習(xí)參考光板在我們所關(guān)注的頻率范圍或更高的范圍內(nèi)不發(fā)生諧振。2) 觀察 PCB 的諧振模式下的電壓分布，盡量避免將大電流 IC 放置在諧振位置或其附近位置。2． 頻率掃描（Frequency Sweep）1) 電壓探測(cè)（Probe Voltage）在放置 IC 位置附近，用一個(gè)電流源模擬 IC 的工作，將一個(gè)電壓探針?lè)胖迷谖覀冴P(guān)心的位置，觀察改位置的電壓頻率響應(yīng)，根據(jù)峰值，從而可以知道哪些諧振頻率得到激勵(lì)。2) 平面電壓分布（Surface Voltage）基于峰值電壓頻率，我們可以得到在該頻率的 PCB 平面電壓分布，從而確定在哪些峰值（波峰或谷底）位置放置合適的去耦電容。3．S、Y、Z 參數(shù)1) 計(jì)算一個(gè)端口（IC 位置）的 Z 參數(shù)，從 Z 頻率響應(yīng)曲線，我們可以得到所需的總的電容、寄生電感、寄生電阻，這決定了選用的去耦電容的物理尺寸。2) 用內(nèi)置的全波 SPICE 模型分析去耦電容的寄生參數(shù)3) 從 AC 掃描中選擇合適的去耦電容，它滿足我們 R/L/C 的要求4) 將去耦電容放置在不同的位置，比較回路的寄生電感效應(yīng)。5) 使用多端口網(wǎng)絡(luò)，可以得到轉(zhuǎn)移 Z 參數(shù)6) 通過(guò) S 參數(shù)可以分析信號(hào)的傳輸與耦合特性4．輸出全波 SPICE 模型以及進(jìn)行 SPICE 仿真用 SPICE 模型在時(shí)域進(jìn)行電源波動(dòng)、開關(guān)噪聲等仿真。. . . . .學(xué)習(xí)參考第三章　電源阻抗設(shè)計(jì) 電源阻抗設(shè)計(jì)電源噪聲的產(chǎn)生在很大程度上歸結(jié)于非理想的電源分配系統(tǒng)（簡(jiǎn)稱 PDS，即 Power Distribution System） 。所謂電源分配系統(tǒng)，其作用就是給系統(tǒng)內(nèi)的所有器件提供足夠的電源，這些器件不但需要足夠的功率消耗，同時(shí)對(duì)電源的平穩(wěn)性也有一定的要求。大部分?jǐn)?shù)字電路器件對(duì)電源波動(dòng)的要求在正常電壓的+/5% 范圍之內(nèi)。電源之所以波動(dòng)，就是因?yàn)閷?shí)際的電源平面總是存在著阻抗，這樣，在瞬間電流通過(guò)的時(shí)候，就會(huì)產(chǎn)生一定的電壓降和電壓擺動(dòng)。 為了保證每個(gè)器件始終都能得到正常的電源供應(yīng)，就需要對(duì)電源的阻抗進(jìn)行控制，也就是盡可能降低其阻抗。比如，一個(gè) 5 伏的電源，允許的電壓噪聲為 5%，最大瞬間電流為 1安培，那么設(shè)計(jì)的最大電源阻抗為： 從上面的計(jì)算公式可以看出，隨著電源電壓不斷減小，瞬間電流不斷增大，所允許的最大電源阻抗也大大降低。 單板MNIC的阻抗設(shè)計(jì)根據(jù)單板上主要時(shí)鐘芯片的工作電壓范圍和IO電流情況計(jì)算出這些芯片的目標(biāo)阻抗。器件 電壓 電壓紋波 工作頻率 I/O 電流 目標(biāo)阻抗(Ω)D40 +10% 330mV 33MHz = 3D41 +10% 330mV 33MHz = 3D42 +10% 330mV 100MHz = D55 +10% 330mV 25MHz = . . . . .學(xué)習(xí)參考 第四章　文件格式轉(zhuǎn)換通過(guò) 轉(zhuǎn)換器把Cadence Allegro的PCB（.BRD）文件轉(zhuǎn)換成Ansoft SIwave 的siw 文件格式。 安裝轉(zhuǎn)換器，可將轉(zhuǎn)換器安裝在Allegro的菜單中。運(yùn)行Allegro后,在Allegro的菜單中會(huì)增加Ansoft一項(xiàng)。 轉(zhuǎn)換文件格式運(yùn)行Allegro,，運(yùn)行Ansoft/Write Neutral File 命令，將當(dāng)前文件轉(zhuǎn)換成 .ANF 文件。運(yùn)行Ansoft/Write Siwave Component File 命令，輸出元器件定義文件 .CMP 。打開 , 運(yùn)行 File/Import ANF…命令,。 運(yùn)行 File/Import Component File…命令,。. . . . .學(xué)習(xí)參考運(yùn)行File/Save As…命令,將文件存成 *.SIW 。 至此，Cadence Allegro的PCB（.BRD）文件已經(jīng)轉(zhuǎn)換成Ansoft SIwave 的siw 文件格式。轉(zhuǎn)換完成以后，首要要做的是校驗(yàn)轉(zhuǎn)換的完整性―――例如，檢查過(guò)孔熱焊盤是否正確，平面層是否有裂紋，檢查走線屬性等。如果出現(xiàn)異常情況，需要進(jìn)行檢查重新轉(zhuǎn)換?？梢愿鶕?jù)需要修改結(jié)構(gòu)，添加或者刪除一些對(duì)象，簡(jiǎn)化平面等以提高仿真效率。注1：由于siwave軟件bug問(wèn)題，平面層負(fù)片轉(zhuǎn)換的文件在 .siw中丟失熱焊盤，因此必須將.。注2：，*.anf 和*.cmp文件，生成*.siw文件。注3：轉(zhuǎn)換完成后，將低頻濾波的電解電容以及其它的極性電容刪除，因?yàn)橹饕抡娓哳l特性，這些電容對(duì)實(shí)際結(jié)果沒(méi)有影響，而且在高頻仿真中siwave軟件會(huì)出現(xiàn)處理問(wèn)題。. . . . .學(xué)習(xí)參考第五章　仿真前預(yù)處理 打開文件 SIwave 打開。 設(shè)置網(wǎng)格用于軟件計(jì)算的基本單元決定了計(jì)算機(jī)仿真精度的高低和運(yùn)算速度的快慢。網(wǎng)格的設(shè)置要足夠小，否則無(wú)法保證精度，但過(guò)小會(huì)使計(jì)算時(shí)間太長(zhǎng)。 運(yùn)行Edit/Grid Spacing…命令,出現(xiàn)網(wǎng)格管理窗口。 　　　　　 推薦使用自適應(yīng)網(wǎng)格Adaptive(缺省值)。 設(shè)置PCB疊層材料參數(shù)對(duì)導(dǎo)電層的電導(dǎo)率和介質(zhì)層的相應(yīng)的相對(duì)介電常數(shù)、損耗角等進(jìn)行設(shè)置。運(yùn)行Edit/Materials…命令,出現(xiàn)材料特性管理窗口。將需要的導(dǎo)電層和介質(zhì)層材料添加進(jìn)去，并對(duì)相應(yīng)的電導(dǎo)率、相對(duì)介電常數(shù)、損耗角等進(jìn)行設(shè)置。. .