tsmc工藝的版圖教程(編輯修改稿)
2025-07-26 09:22 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 部電路F 讓原理圖居中P PIN管腳快捷鍵W 連線L 命名連線 C 復制Q 器件屬性M 移動U 撤銷其他相關(guān)設(shè)置：設(shè)置回退次數(shù) CIW窗口optionsuser preference多個器件屬性一起修改，用shift選中以后然后選all selected(原先是only current)二、版圖設(shè)計打開dualinv的schematic電路圖，然后ToolsDesign SynthesisLayout XL之后彈出以下對話框點擊OK后彈出點擊OK就會自動彈出畫layout的版面此時鍵盤上按E鍵，出現(xiàn)設(shè)置窗口這里修改分辨率，將X Snap Spacing 和Y Snap Spacing ，方便之后的畫圖。點擊OK在畫layout版面的菜單中選擇 DesignGen From source 然后彈出以下窗口點擊OK即可，版面上就生成與原schematic電路圖相對于尺寸的MOS管，如下圖[注：可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件，再修改尺寸，這樣也可以通過LVS(經(jīng)過測試即使版圖中MOS的編號和schematic中的不同，但是最終輸出子電路中MOS管編號跟schematic是相同的)] 選擇那四個綠色的方框和紫色的線，按delete刪除，刪除后就剩下四個MOS管。按shift+F 將MOS管轉(zhuǎn)換為可視的layout結(jié)構(gòu)，并用M快捷鍵來移動MOS管，此時整個版面上就剩下四個MOS管了，（Ctrl+F可以還原為Schematic結(jié)構(gòu)）如下圖工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小，或者使用快捷鍵Z(放大)，shift+z縮小(按了Z鍵要選某一個區(qū)域才能放大，不是直接放大與縮小)接下來開始畫圖： 畫PMOS管和NMOS管相連的柵極(用LSW窗口中得POLY1來畫)選中POLY1 drw 然后點版圖，然后按R(畫方框)，Q屬性可以看到是dg （在空白處）按S鍵，鼠標移到矩形框的邊，就能修改矩形框。修改之后讓矩形框與PMOS管 NMOS管的柵極對齊。(一定要對齊，不然DRC報錯)放大可以看到他們是否對齊，這樣的是對齊的。這樣就是沒對齊。畫好POLY1以后如下圖畫金屬走線由于該電路簡單，只需要一層金屬即可，所以只需要LSW中的metal1在LSW中選中METAL1 drw，然后點版圖，然后按P(走線)，然后按F3() ，Q屬性可以看到是dg 畫完后如下圖(注意金屬要整個覆蓋住MOS管的D端，接觸面積大才能保證電流)畫POLY1和metal1之間的連接[不同材料之間相連要打孔。比如Metal1和poly1相連，就選M1_POLY1，Metal1和Metal2相連就選M2_M1，NMOS的襯底接觸和體相連用M1_SUB，PMOS管的襯底接觸和體相連用M1_NWELL]LSW中選中poly1drw，按P，按F3，畫一段poly然后在這段poly上打孔，按字母O鍵，彈出以下窗口在Contact Type這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2，然后回車(鼠標右鍵可以旋轉(zhuǎn)器件)將這個通孔放于之前的poly1上然后metal1與這個通孔相連即實現(xiàn)了金屬1層與poly1之間的連接接下來輸入信號in這里也要這樣畫，畫好之后的整體圖如下畫襯底接觸這里要分別畫PMOS管的襯底接觸和NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O，在Contact Type這里選擇 M1_SUB，這個是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O，在Contact Type這里選擇M1_NWELL，這個是PMOS管的襯底接觸。給PMOS管打阱[因為現(xiàn)在是P阱工藝，整個畫圖的版面就是一個P型襯底，而NMOS管是做在P型襯底上面的，所以畫NMOS管的時不需要畫阱，而畫PMOS管時要畫nwell(即它的襯底)，nwell要包圍住PMOS管和它的襯底接觸。]在LSW中選中NWELLdrw，按R，畫矩形框，如下圖畫管腳PIN在LSW中選中metal1 pin接著點擊空白處，然后按快捷鍵L 彈出以下窗口在Label這里輸入名稱(注意這個名稱要與schematic圖中節(jié)點的名稱要相同)，Height這里設(shè)置字體的高度，F(xiàn)ont這里設(shè)置字體的樣
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