【文章內容簡介】 以及激發(fā)態(tài)恢復成原子所產生的紫外線。圖113 氖氙潘寧混合氣體的主要電離過程從上圖中可以看出，147nm的紫外線是激發(fā)態(tài)的氙原子通過共振輻射反應（resonance radiation）產生的，而173nm的紫外線則是通過激發(fā)態(tài)二聚物氙分子的激發(fā)輻射反應（excimer radiation）產生的。等離子體顯示屏利用這兩個波長的紫外線來激發(fā)熒光粉，從而產生人眼可見的亮度信號。對于某個放電單元而言，當放電空間產生氣體放電后，紫外線的激發(fā)隨之很快便達到了最高值，此后便呈指數衰減，在100ns時衰減到一半，1us時紫外線的激發(fā)基本停止。 等離子面板制造過程 在PDP中使用相對薄的玻璃基板是可能的，因為氣體壓力與大氣壓強接近，障壁可以支撐前后玻璃基板。但是玻璃板必須承受玻璃溫度膨脹系數的mismatching、障壁、介質等引起的壓力的增加，這決定了玻璃基板的厚度下限為3mm。有些面板選用了標準的、低成本、float玻璃。但是，PDP制造的一些厚膜過程要求在燒結爐中烤。在這些過程中，玻璃襯底被加熱至600，即接近低成本襯底的軟化溫度，這將導致變形，及規(guī)格一致性遭到破壞。一些玻璃制造商因此開始改進新的玻璃襯底，它具有高的變形點，和有限的變形。PDP的維持電極由銦錫氧化物（ITO）透明電極，和金屬bus電極組成。金屬電極避免了由于不可忽略的ITO膜的阻值而引起的ITO電極上的壓降。Cu的電阻小，符合該應用要求，但是對于金屬氧化物的附著力差，所以Cr/Cu/Cr結構通常被用作bus電極。金屬膜用濺射或印刷的方法淀積在整個表面。通過掩膜將光敏暴露在光下，進行光刻（photolithography）來形成電極。酸刻蝕用于移去不需要的金屬膜部分。這項技術可以很好地控制，但是需要降低金屬膜淀積過程的成本。另一種可行的技術使用光敏金屬Ag糊劑。整個表面先用光敏糊劑覆蓋，然后透過掩模暴露在光下，形成電極形狀。這個過程比光刻簡單，不需要強酸刻蝕。 ITO 將等離子體散布在很大的表面，允許光通過。為了降低ITO電極相關的額外成本，一種新的電極結構最近被提出并且證明?！皷拧苯Y構包含了三個?。?0mμ），Cr/Cu/Cr水平電極，由一個縱向的短條連接起來。Fence的總寬度與ITO電極相似。與ITO電極相同，柵結構分布等離子體，并且允許高比例的光通過。 PDP電極上的介質層必須有良好的介質屬性、對可見光子的高透過率。與soda lime玻璃襯底匹配的溫度膨脹。介質層厚度在20～40mμ之間，它們的形成工藝用的是標準的厚膜技術（屏印刷后干燥,、點火）。研究趨勢是，有良好的介質強度,高透過率,低點火溫度的制作材料。 MgO薄層（500nm）用電子束蒸發(fā)淀積。由于包括真空工藝。這個步驟很昂貴，因為含有真空工藝。離子電鍍是繼電子束蒸發(fā)淀積后使用最多的技術，反射散射等其他技術也有研究。這個步驟非常重要，因為工作電壓和其他放電特性直接影響了MgO層的屬性，每個制造商都有自己的優(yōu)化MgO膜的訣竅。 障壁的形成是PDP制造中特有的工藝。做1m長、100～200mμ高、厚約50mμ，pitch約為300mμ（高清晰平板矮2～3倍）的障壁，是具有挑戰(zhàn)性的。近期確立了兩項技術：噴沙、屏幕印刷工藝是主導，噴沙技術更適合高清晰平板。對于屏幕印刷，襯底要重復覆蓋糊劑，直到層厚度大致接近障壁高度。使用這種技術要校準不同的層有些難處理。噴沙技術采用好的研磨粉末或者玻璃珠制作障壁。襯底上先覆蓋厚層。然后在上面淀積光敏層，通過掩膜曝光。在覆蓋層上做好的掩膜暴露在優(yōu)質的堅硬粒子流中，覆蓋層沒有膜的部分會被刮掉。這個工藝制成的障壁質量很好、寬高比大，但工藝冗長并且成本高。其他的技術，如press形成，燒結玻璃的成型，blade變形和研磨還沒有普及，或最新才提出。障壁制作過程對于控制工藝成本是很關鍵的。 ACPDP加工工藝流程 等離子顯示器存在的問題相對于CRT的成熟，等離子電視許多地方還需要改進。發(fā)光效率的提高可以帶來成本的減少，因為可以減少驅動的功耗，從而降低了驅動成本，這在PDP成本中占很大一部分。為了達到這個目標，研究趨勢是優(yōu)化電極形狀和混和氣體、材料研究（保護和發(fā)射層、熒光粉），優(yōu)化尋址和維持方案。PDP的初始亮度是比較高的（大于500）,但隨著時間的消逝迅速下降。這是由于熒光粉的活性降低（發(fā)射藍光的熒光粉最易受損）。在通常工作情況下，PDP的亮度在5000小時后可能降低10％（平板的壽命指的是損失了50％亮度的時間）。PDP的總體壽命還取決于保護和發(fā)射MgO層，這個參數不能被完全控制。另一個與PDP性能相關的問題是圖像質量。由于PDP中灰度級的形成方式，屏上會出現可見干擾，尤其是顯示移動物體時。這種虛像干擾（稱作偽輪廓）要用復雜的尋址方法和動態(tài)偽輪廓降低方法糾正。 本課題研究的內容和意義等離子體顯示技術已經走向市場，無論從市場反饋，還是實際效果，均已成功的證明了這種技術的可行性與優(yōu)越性。然而將該技術更加優(yōu)化，更加完美，還有許多工作要做。驅動系統則需在提高效率、降低功耗、提高圖像質量以及降低成本等方面作進一步研究。本課題就是通過對aging系統的研究，在驅動電路上下功夫，使其在保證正常顯示的基礎上，能夠有所改進，大幅度減少功耗和電磁干擾等問題。第二章：等離子電視制造工藝中aging的方案研究 aging的作用傳統的ACPDP在顯示屏充、排氣，封口完成后都要進行長時間的aging過程，換言之，顯示屏在加工完成后是不可以直接上系統顯示的。aging的過程通常是使顯示屏的所有像素點處于長時間的高強度放電顯示狀態(tài)。由于在PDP的制作過程中，Mg0介質膜暴露在大氣中或封離時排氣管的放氣，使得它與水、二氧化碳反應生成Mg(OH)2,、MgC03，它們和其它雜質氣體會吸附在Mg0膜的表面，在aging過程中，Mg0膜受到帶電離子轟擊，這樣Mg(OH)2,、MgC03，分解吸附后的雜質氣體被濺射掉，從而增大膜的二次電子發(fā)射系數，各電極的放電不但趨于穩(wěn)定、持久，而且降低了著火電壓，從而也降低了顯示器驅動電路的設計難度，提高顯示質量。用SEM觀察MgO在aging之后表面的形狀及粗糙程度：由于離子轟擊MgO的程度不同，其表面的粗糙程度也不同；MgO表面離子轟擊最強的地方與測得亮度最高也就是紅外放電最強的地方并不是一起的！如下圖所示：在ITO電極的中間部分A區(qū)域，受到的離子轟擊最少，所以MgO表面在aging后較為粗糙；在圖中所示的B區(qū)域，收到離子轟擊明顯加劇，所以觀察到得MgO表面比A區(qū)域平滑一點，而C區(qū)域是離子轟擊最劇烈的地方，所以MgO表面磨得也最為平滑。 等離子體在MgO表面放電圖而且屏剛完成后，各個成分的氣體不易在短時間內混合均勻，通過aging可以使屏內氣體電離，消除顯示不均的現象，也可避免因為屏內氣體不均勻而產生的爆裂