輻射探測(cè)與測(cè)量-要求及答案四川大學(xué)版(編輯修改稿)
2025-07-23 03:31 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 路時(shí)間常數(shù)對(duì)輸出脈沖信號(hào)的影響；——產(chǎn)生再電離條件、結(jié)構(gòu)與電場(chǎng)？？？？？？？？ 了解內(nèi)容：不同種類(lèi)的氣體探測(cè)器結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)。第四章 掌握內(nèi)容：1. 閃爍探測(cè)器基本組成部分；2. 閃爍探測(cè)器測(cè)量核輻射的基本工作原理（五個(gè)基本過(guò)程）；3. 各能區(qū)γ能譜產(chǎn)生的原因及特點(diǎn)；？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？4. 單能γ射線其能譜形成的原理（復(fù)雜的原因）；全能峰形成的原因、特點(diǎn)； γ全能峰包含光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)，能量分辨率為8%，這一脈沖的幅度值直接反應(yīng)γ射線的幅度值。5. 掌握能量刻度、未知核素的γ射線能量確定的方法。？？P264熟悉內(nèi)容：1. 閃爍體的作用；2. 光電倍增管中光陰極、次陰極、陽(yáng)極的作用；光陰極是接受光子并放出光電子的電極。次陰極又稱(chēng)倍增極打拿極，使通過(guò)光陰極的光電子通過(guò)各級(jí)時(shí)倍增。陽(yáng)極把所用電子收集起來(lái)，轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出。3. 光電倍增管暗電流產(chǎn)生的原因、對(duì)測(cè)量的影響？？？？？；4. 閃爍探測(cè)器的時(shí)間特性；？？？？？？P1295. 影響探測(cè)器能量分辨率的因素；（P140）6. NaI(Tl)單晶γ譜儀能量分辨率與γ射線能量的關(guān)系。了解內(nèi)容：1. 幾種常用閃爍體物理性能、特點(diǎn)和測(cè)量對(duì)象；2. 反射層、光學(xué)耦合劑、光導(dǎo)的作用；3. 光電倍增管的類(lèi)型；4. 光電倍增管主要指標(biāo)；第五章 掌握內(nèi)容：1. 作為探測(cè)器應(yīng)滿(mǎn)足的條件；2. 為什么PN結(jié)是半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏區(qū)；PN結(jié)區(qū)內(nèi)的載流子濃度很低，又稱(chēng)耗盡區(qū)，內(nèi)阻非常高，加上反向電壓后，電壓幾乎完全降落在結(jié)區(qū)，在結(jié)區(qū)形成一個(gè)足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，而幾乎沒(méi)有漏電流流過(guò)。當(dāng)帶電粒子射入結(jié)區(qū)后，通過(guò)與半導(dǎo)體材料作用，很快損失能量，帶電粒子損失的能量將使電子由滿(mǎn)帶跳到空帶上去，于是在滿(mǎn)帶中就留下了空穴，就形成了電子空穴對(duì)，在電場(chǎng)作用下，電子和空穴向兩極漂移，于是在回路中形成信號(hào)。3. 金硅面壘探測(cè)器特點(diǎn)及用途，金硅面壘α譜儀在使用中的兩個(gè)特殊問(wèn)題；？？？？？？輻射損傷？特點(diǎn)：能量分辨率高，僅次于磁譜儀；設(shè)備比磁譜儀簡(jiǎn)單得多，使用方便；靈敏體積不能做的太大
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