巨磁阻效應及其在自旋電子學方面的應用(編輯修改稿)
2025-07-22 07:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 究領域. 磁電阻傳感器以其特有的優(yōu)點,廣泛應用在磁場測量、數(shù)據(jù)存儲、汽車電子和工業(yè)控制的各個領域。而作為巨磁阻電阻效應的最新應用，自旋電子器件將帶來許多新的發(fā)展。在半導體工業(yè)迅速發(fā)展的今天，人們發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在幾乎所有的電子產(chǎn)品都只利用了電子的電荷來傳輸能量和信息。 作為電子內(nèi)稟性質的自旋, 除了材料磁性和簡單的能級簡并外, 幾乎被完全忽略。這使人們在探索未來半導體工業(yè)發(fā)展時有了新的契機和可能的研究方向。自旋電子學旨在利用電子自旋而非傳統(tǒng)的電子電荷為基礎, : 50%電子自旋向上, 50%電子自旋向下. 換句話說, (GMR)的發(fā)現(xiàn), 標志著一個新時代的開始。 通常金屬都有磁阻效應,當磁場加到金屬樣品上時, 因為洛倫茲力的作用或霍爾效應會改變電流的運動方向, 從而引起樣品電阻發(fā)生改變. 當電子開始繞磁場轉動時,若沒有散射, 它對電流沒有貢獻。 當散射發(fā)生后,(低電阻) ,磁場作用在電阻上的效應就越大, 通常的磁阻率Δρ/ρ∝ (H /ρ) 2 (ρ為電阻, H為磁場)。 一般的金屬像鐵(
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