【文章內(nèi)容簡介】 ()式中：P＝電機(jī)功率(W)；　　　OL＝變頻器最大過載系數(shù)；　　　λ＝電流脈動因數(shù)；　　　η＝變頻器的效率；　　　F＝功率因數(shù)；　　　VAC＝交流線電壓(V)。例如：電源Vac＝220V交流，電機(jī)P ＝，OL＝150%，λ＝120%，η＝，F(xiàn)＝，則Ic(峰值)＝。 IPM相關(guān)參數(shù)PS21564P 、PS21564SP 智能IPM功率模塊控制端口定義：1：VUFS（U組驅(qū)動電源地）2：NC（不接） 3：VUFB（U組驅(qū)動電源正 極） 4：VP1（控制電源正極） 5：NC（不接） 6：UP（U組信號輸入） 7：VVFS（V組驅(qū)動電源地） 8：NC（不接） 三菱PS21564P IPM管腳圖9：VVFB（V組驅(qū)動電源正極） 10：VP1（控制電源正極） 11：NC(不接) 12：VP（V組信號輸入） 13：VWFS（V組驅(qū)動電源地） 14： NC（不接） 15：VWFB (W組驅(qū)動電源正極) 16：VP1（控制電源正極） 17：NC（不接） 18：WP（W組信號輸入） 19：NC（不接） 20: VNO（過流取樣時(shí)間設(shè)置） 21: UN（U組下橋信號輸入） 22: VN（V組下橋信號輸入）23: WN（W組下橋信號輸入） 24: FO（故障輸出低有效） 25: CFO（故障延時(shí)設(shè)置） 26: CIN（過流取樣時(shí)間設(shè)置） 27: VNC（與直流母線,光耦副邊共地） 28：VN1（控制電源正極） 29：NC（不接） 30：NC（不接） 31：P（直流母線正極） 32：U（U組輸出） 33：V（V組輸出） 34：W（W組輸出） 35：N：（與直流母線地之間串取樣電阻） 三菱PS21564芯片圖 89C51主控制模塊89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器（FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓，高性能CMOS8位微處理器，俗稱單片機(jī)。 主要特性：　　與MCS51 兼容 　　4K字節(jié)可編程閃爍存儲器 　　壽命：1000寫/擦循環(huán) 　　數(shù)據(jù)保留時(shí)間：10年 　　全靜態(tài)工作：0Hz24Hz 　　三級程序存儲器鎖定 　　128*8位內(nèi)部RAM 　　32可編程I/O線 　　兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 　　5個(gè)中斷源 　　可編程串行通道 　　低功耗的閑置和掉電模式 　　片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路 89C51仿真芯片圖 管腳說明： VCC：供電電壓。 　　GND：接地。 P0口：P0口為一個(gè)8位漏級開路雙向 I/O口，每腳可吸收8TTL門電流。當(dāng)P1 口的管腳第一次寫1時(shí)，被定義為高阻輸入。 P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。在FIASH編程時(shí)，P0 口作為原碼輸入口，當(dāng)FIASH進(jìn)行校驗(yàn)時(shí)，P0輸出原碼，此時(shí)P0 89C51管腳圖外部必須被拉高。 　　P1口：P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P1口管腳寫入1后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入，P1口被外部下拉為低電平時(shí)，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)，P1口作為第八位地址接收。 　　P2口：P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個(gè)TTL門電流，當(dāng)P2口被寫“1”時(shí)，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時(shí)，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2口當(dāng)用于外部程序存儲器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行存取時(shí)，P2口輸出地址的高八位。在給出地址“1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀寫時(shí)，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2口在FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號和控制信號。 　　P3口：P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個(gè)TTL門電流。當(dāng)P3口寫入“1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故?！　3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： 　　 RXD（串行輸入口） 　　 TXD（串行輸出口） 　　 /INT0（外部中斷0） 　　 /INT1（外部中斷1） 　　 T0（記時(shí)器0外部輸入） 　　 T1（記時(shí)器1外部輸入） 　　 /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） 　　 /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） 　　P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號。 　　RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。 　　ALE/PROG：當(dāng)訪問外部存儲器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí)，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)，將跳過一個(gè)ALE脈沖。如想禁止ALE的輸出可在SFR8EH地址上置0。此時(shí)， ALE只有在執(zhí)行MOVX，MOVC指令是ALE才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無效。 　　/PSEN：外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次/PSEN有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)，這兩次有效的/PSEN信號將不出現(xiàn)。 　　/EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式1時(shí)，/EA將內(nèi)部鎖定為RESET；當(dāng)/EA端保持高電平時(shí)，此間內(nèi)部程序存儲器。在FLASH編程期間，此引腳也用于施加12V編程電源（VPP）。 　　XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 　　XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。 振蕩器特性： 　　XTAL1和XTAL2分別為反向放大器的輸入和輸出。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動器件，XTAL2應(yīng)不接。有余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器，因此對外部時(shí)鐘信號的脈寬無任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。 芯片擦除： 　　整個(gè)PEROM陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號組合，并保持ALE管腳處于低電平10ms 來完成。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫“1”且在任何非空存儲字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。 此外，AT89C51設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯，可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯，支持兩種軟件可選的掉電模式。在閑置模式下，CPU停止工作。但RAM，定時(shí)器，計(jì)數(shù)器，串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。在掉電模式下，保存RAM的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器，禁止所用其他芯片功能，直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止。 SPWM波發(fā)生模塊 SA4828是英國MITEL公司研制出的一種專門用于三相SPWM信號發(fā)生和控制的集成電路芯片。它采用28引腳，分DIP和SOIC兩種封裝。它可以和大部分的單片機(jī)連接，也可以單獨(dú)使用。芯片的主要特性是：全數(shù)字控制；兼容Intel和Motorola系列的單片機(jī)；載波頻率最高可達(dá)24kHz；輸出調(diào)制波頻率范圍為0～4kHz；16位調(diào)速分辨率；8位調(diào)壓分辨率；內(nèi)部ROM固化3種可選波形；可設(shè)定死區(qū)時(shí)間和刪除最小脈寬；可實(shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制；可以單獨(dú)設(shè)定各相的輸出電壓幅值以適應(yīng)不平衡負(fù)載；有看門狗定時(shí)器。 SA4828的引腳功能