【文章內(nèi)容簡介】 應的壓點。（4）西邊形扁平封裝（QFP）:是一種在外殼四邊都有高密度分布的管腳表面貼裝組件。（5）具有J性管腳的塑封電極芯片載體（PLCC）（6）無引線芯片載體（LCC）:是一種電極被管殼周圍包起來以保持低刨面的封裝形式15．例舉出7種先進封裝技術(shù)。（第二十章）（10分）7種先進封裝技術(shù)包括：（1）倒裝芯片:將芯片的有源面（具有表面鍵合壓點）面向基座的粘貼封裝技術(shù)。（2）球柵陣列（BGA）:與針柵陣列有相似的封裝設(shè)計，有陶瓷或塑料的基座構(gòu)成基座具有用于連接基座與電路板的共晶Sn/Pb焊料球的面陣列。（3）板上芯片（COB）:被開發(fā)以集成電路芯片直接固定到具有其它SMT和PIH組件的基座上，又被稱為直接芯片粘貼。（4）卷帶式自動鍵合（TAB）:是一種I/O封裝方式，它使用塑料袋作為新片載體。（5）多芯片模塊（MCM）:是一種將幾個芯片固定在同意基座上的封裝形式。（6）芯片尺寸封裝（CSP）:。（7）圓片級封裝:是第一級互聯(lián)和在劃片前硅片上的封裝I/O端得形成。第九章 集成電路制造工藝概括1．例舉出芯片廠中6個不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個生產(chǎn)區(qū)域做簡單描述。（20分）答：芯片廠中通常分為擴散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長區(qū)和拋光區(qū)6個生產(chǎn)區(qū)域：?擴散區(qū)是進行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域，主要設(shè)備是高溫爐和濕法清洗設(shè)備；②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上； ③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形；④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體；高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標硅片；⑤薄膜生長主要負責生產(chǎn)各個步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。⑥拋光，即CMP（化學機械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化。2．離子注入前一般需要先生長氧化層，其目的是什么？（10分）答：氧化層保護表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。3．離子注入后為什么要進行退火？（10分）答：推進，激活雜質(zhì)，修復損傷。4．光刻和刻蝕的目的是什么？（20分）答：光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。5．為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？（10分）答：溝道長度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結(jié)合有助于維持淺結(jié)，從而減少源漏間的溝道漏電流效應。6．為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長會引發(fā)什么問題？（10分）答：因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少，柵結(jié)構(gòu)（源漏間的硅區(qū)域）下的溝道長度也不斷減少。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。描述金屬復合層中用到的材料？(10分)答：采用三明治金屬結(jié)構(gòu)，包括：（1）淀積Ti，使鎢塞和下一層金屬良好鍵合，層間介質(zhì)良好鍵合；（2）Al,Au合金，加入銅抗電遷移；（3）TiN作為下一次光刻的抗反射層；STI隔離技術(shù)中，為什么采用干法離子刻蝕形成槽？(10分)答：采用干法刻蝕，是為了保證深寬比。第十章 氧化1． 二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應用？（15分）①器件保護（避免劃傷和污染），因sio2致密；②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態(tài)；需一定厚度，降低漏電流等）；③用作絕緣介質(zhì)和隔離（LOCOS,STI）如：隔離（如場氧，需要一定的厚度）、④絕緣柵（膜厚均勻，無電荷和雜質(zhì)，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質(zhì)等；⑤選擇性擴散摻雜的掩膜，水汽氧化與干氧氧化相比速度是快還是慢？為什么？（15分）化學反應：Si+2H2OSiO2+2H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣在二氧化硅中擴散更快、溶解度更高（20分）①干氧：Si＋O2 SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復性好，與光刻膠的粘附性好②水汽氧化：Si+H2O SiO2（固）+H2(氣)氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差③濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應，又有與水汽反應氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間？(15分)摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣5. 例舉并描述熱生長SiO2 – Si系統(tǒng)中的電荷有哪些？（15分）界面陷阱電荷、可移動氧化物電荷？例舉并簡單描述(20分)工藝腔、硅片傳輸系統(tǒng)、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)工藝腔是對硅片加熱的場所，由垂直的石英罩鐘、多區(qū)加熱電阻絲和加熱管套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動機械在片架臺、爐臺、裝片臺、冷卻臺之間移動氣體分配系統(tǒng)通過將正確的氣體通到爐管中來維持爐中氣氛控制系統(tǒng)控制爐子所有操作，如工藝時間和溫度控制、工藝步驟的順序、氣體種類、氣流速率、升降溫速率、裝卸硅片第十一章 淀積？例舉并描述可接受的薄膜的8個特性。(15分)薄膜：指某一維尺寸遠小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。好的臺階覆蓋能力、高的深寬比填隙能力(3:1)厚度均勻(避免針孔、缺陷）、高純度和高密度、受控的化學劑量結(jié)構(gòu)完整和低應力、好的粘附性（避免分層、開裂致漏電）。（10分）（1）晶核形成分離的小膜層形成于襯底表面，是薄膜進一步生長的基礎(chǔ)。（2）凝聚成束形成(Si)島，且島不斷長大（3）連續(xù)成膜島束匯合并形成固態(tài)的連續(xù)的薄膜淀積的薄膜可以是單晶（如外延層）、多晶（多晶硅柵）和無定形（隔離介質(zhì)，金屬膜）的？它對芯片加工來說為什么是必需的？（10分）多層金屬化：用來連接硅片上高密度器件的金屬層和絕緣層關(guān)鍵層：線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。對于ULSI集成電路而言，特征尺寸的范圍在形成柵的多晶硅、柵氧以及距離硅片表面最近的金屬層。介質(zhì)層層間介質(zhì)（ILD）ILD－1：隔離晶體管和互連金屬層；隔離晶體管和表面雜質(zhì)。采用低k介質(zhì)作為層間介質(zhì)，以減小時間延遲，增加速度。（10分）(AtmospherePressureChemicalVaporDeposition) ：HDPCVD(HighDensityPlasmaCVD)、PECVD(PlasmaenhancedCVD)電化學淀積（ECD）、化學鍍層物理方法：（1）PVD（2） 蒸發(fā)(含MBE)（3）旋涂(SOG,SOD)（15分）。1)質(zhì)量傳輸2)薄膜先驅(qū)物反應3)氣體分子擴散4)先驅(qū)物吸附5)先驅(qū)物擴散進襯底6)表面反應7)副產(chǎn)物解吸8)副產(chǎn)物去除。（10分）（1）低k介質(zhì)須具備低泄漏電流、低吸水性、低應力、高附著力、高硬度、高穩(wěn)定性、好的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐酸堿以及低接觸電阻。研究較多的幾種無機低介電常數(shù)（二）高k介質(zhì)應DRAM存儲器高密度儲能的需要，引入了高k介質(zhì)，在相同電容（或儲能密度）可以增加柵介質(zhì)的物理厚度，避免薄柵介質(zhì)隧穿和大的柵漏電流。同時，降低工藝難度。有潛力的高k介質(zhì)：Ta2O5,(BaSr)TiO3.名詞解釋：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（將這些名詞翻譯成中文并做出解釋）（10分）（1）CVD、化學氣相淀積（ChemicalVaporDeposition）是指利用熱能、輝光放電等離子體或其它形式的能源，使氣態(tài)物質(zhì)在固體的熱表面上發(fā)生化學反應并在該表面上淀積，形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì)的工藝過程。（2）低壓CVD（LPCVD）裝片；Pa；充N2氣或其它惰性氣體進行吹洗；Pa；完成淀積；關(guān)閉所有氣流，Pa；回充N2氣到常壓，取出硅片。（3）等離子體增強CVD（PECVD）淀積溫