晶振電路的理論與應(yīng)用計(jì)算(編輯修改稿)
2025-07-20 16:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 1+C2+Cs+Cic (E6) PCB漂移電容： Cs=a*b*εd (E7) a:PCB走線寬度，b:PCB走線長(zhǎng)度，ε:單位PCB面積的電容值，d:走線與GND的間距； 最可計(jì)算出PCB走線、PAD所產(chǎn)生的分布電容難以忽視，因而PCB LAYOUT時(shí)需密切關(guān)注； IC內(nèi)部及封裝電容：Cic=Cin*CoutCin+Cout+Cfb (E8) Cin:IC輸入電容，Cout:IC輸出電容，Cfb:IC晶圓電容； 負(fù)載輸出頻率：fL=fs*(1+C2*C0+CL) (E9) 牽引靈敏度：S=C2*(C0+CL) （E10） 表示負(fù)載電容對(duì)頻率的調(diào)節(jié)能力； 圖10：負(fù)載對(duì)頻率的牽引； 反饋因子： Cf=C1C2 （E11）工作在線性區(qū)的反相器（放大器）導(dǎo)入180176?；蚋咭恍┑南嘁?，而CC2構(gòu)成的電容分壓器，在C1=C2的情況下，引入另外的180176。相移，從而滿足振蕩條件；Cf值偏大時(shí)，環(huán)路增益大，易于起振，但過(guò)大時(shí)，振蕩電路穩(wěn)定性會(huì)變差； 反饋電阻Rf設(shè)置反相器（CMOS放大器）的輸入阻抗Ri，為滿足振蕩條件，放大器的開環(huán)增益必須1； 晶振的并聯(lián)諧振電阻Rp則由負(fù)載電容CL設(shè)置；而Rp必須與Ri相匹配，因而有： 輸入阻抗： Ri=RFa （E12） 并聯(lián)諧振電阻： Rp=1R*ω2*(C0*CL)2 （E13） 反饋電阻： Rf=Rp*a=aR*ω2*(C0*CL)2 （E14） 實(shí)際應(yīng)用中，為獲得高輸入阻抗Ri、晶振電路良好地驅(qū)動(dòng)，反饋電阻Rf通?！?M?，且大多集成在IC中； Rs串聯(lián)的隔離電阻反相器（放大器）額外的相移：α1=fs*Delay*360176。 （E15） Delay是反相器的傳輸延時(shí)，頻率越高、延時(shí)越大，180176。以外的相移越大，需要調(diào)節(jié)CCRs來(lái)補(bǔ)償，以維護(hù)振蕩電路的
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