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正文內(nèi)容

晶振電路的理論與應(yīng)用計算(文件)

2025-07-11 16:10 上一頁面

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【正文】 L*C*C0) (E3) 當(dāng)晶振工作在串聯(lián)諧振模式時,表現(xiàn)為純阻性,Z 0,XL=XC: 串聯(lián)諧振頻率:fs=12π*L*C (E4) 當(dāng)晶振工作在并聯(lián)諧振模式時,表現(xiàn)為感性,Z ∞,晶振制造商會為其指定負(fù)載電容CL:并聯(lián)諧振頻率:fa=12π*L*CL*C0CL+C0≈fs*1+cc0+CL (E5) 因為CLC0?C,所以:fa≈fs;常見的的振蕩電路中,大多工作在并聯(lián)諧振模式下,在圖9電抗線中fs到fa的斜線區(qū)域內(nèi),通過調(diào)整晶振的負(fù)載,都可以很好地工作,輸出頻率在fs到fa兩者之間;品質(zhì)因素:Q=12*π*fs*R*C (E6) Q值越高,晶振頻率的穩(wěn)定度就越高負(fù)載電容CL: 制造商設(shè)計時預(yù)設(shè)的與晶振最佳匹配的負(fù)載電容值,通常在15~30pF:負(fù)載電容: CL=C1*C2C1+C2+Cs+Cic (E6) PCB漂移電容: Cs=a*b*εd (E7) a:PCB走線寬度,b:PCB走線長度,ε:單位PCB面積的電容值,d:走線與GND的間距; 最可計算出PCB走線、PAD所產(chǎn)生的分布電容難以忽視,因而PCB LAYOUT時需密切關(guān)注; IC內(nèi)部及封裝電容:Cic=Cin*CoutCin+Cout+Cfb (E8) Cin:IC輸入電容,Cout:IC輸出電容,Cfb:IC晶圓電容; 負(fù)載輸出頻率:fL=fs*(1+C2*C0+CL) (E9) 牽引靈敏度:S=C2*(C0+CL) (E10) 表示負(fù)載電容對頻率的調(diào)節(jié)能力; 圖10:負(fù)載對頻率的牽引; 反饋因子: Cf=C1C2 (E11)工作在線性區(qū)的反相器(放大器)導(dǎo)入180176。或更高一些的相移,而CC2構(gòu)成的電容分壓器,在C1=C2的情況下,引入另外的180176。 負(fù)性阻抗是用來評估振蕩電路品質(zhì)Q的指標(biāo)(注意:不是晶振的Q值、而是包含晶振的整個整電路),在某些情況下,如溫度漂移、電壓變化等,可能使得電路失
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