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光線照度提醒與報警電路設計畢業(yè)論文(編輯修改稿)

2025-07-19 03:17 本頁面
 

【文章內容簡介】 管的穿透電流約幾十至幾百微安。 當發(fā)射結反向偏置時,發(fā)射區(qū)不在向基區(qū)注入電子,則三極管處于截止狀態(tài)。所以,在截止區(qū),三極管的兩個結均處于反向偏置狀態(tài)。對NPN三極管,UBE<0,UBC<0.放大區(qū):此時發(fā)射結正向運用,集電結反向運用。在曲線上是比較平坦的部分,表示當IB一定時,IC的值基本上不隨UCE而變化。在這個區(qū)域內,當基極電流發(fā)生微小變化量△IB時,相應的集電極電流將產生較大的變化量△IC,此時二極管的關系為△IC=223?!鱅B (23)該式體現(xiàn)了三級管的電流放大作用。對于NPN三極管,工作在放大區(qū)時UBE≥,而UBC<0. 飽和區(qū):曲線靠近縱走附近,各條輸出特性曲線的上升部分屬于飽和區(qū)。在這個區(qū)域,不同IB的各條特征曲線幾乎重疊在一起,即當UCE較小時,管子的集電極電流IC基本上不隨基極電流IB而變化,這種現(xiàn)象稱為飽和。此時三極管失去了放大作用。 一般認為UCE=UCB,即UCE=0時,三極管處于臨界飽和狀態(tài),當UCE<UBE時稱為過飽和。三極管飽和時的管壓降用UCES表示。 三級管工作在飽和區(qū)時,發(fā)射結和集電結都處于正向偏置狀態(tài)。對于NPN三極管,UBE>0,UBC>0。 圖 三極管的主要參數(shù)a直流數(shù) 集電極一基極反向飽和電流ICBO,發(fā)射極開路(IE=0)時,基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓VCB時的集電極反向電流,它只與溫度有關,在一定溫度下是個常數(shù),所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,ICBO很小,小功率鍺管的ICBO約為1~10微安,大功率鍺管的 ICBO可達數(shù)毫安,而硅管的ICBO則非常小,是毫微安級。集電極一發(fā)射極反向電流ICEO(穿透電流)基極開路(IB=0)時,集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓VCE時的集電極電流。ICEO 大約是ICBO的β倍即ICEO=(1+β)ICBO。ICBO和ICEO受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù),其值越小,性能越穩(wěn)定,小功率鍺管的ICEO比硅管大。發(fā)射極基極反向電流IEBO集電極開路時,在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時發(fā)射極的電流,它實際上是發(fā)射結的反向飽和電流。直流電流放大系數(shù)β1 這是指共發(fā)射接法,沒有交流信號輸入時,集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即: β1=IC/IB。b 交流參數(shù)交流電流放大系數(shù)β這是指共發(fā)射極接法,集電極輸出電流的變化量△IC與基極輸入電流的變化量△IB之比,即: β= △IC/△IB一般晶體管的β大約在10200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩(wěn)定。共基極交流放大系數(shù)α這是指共基接法時,集電極輸出電流的變化是△IC與發(fā)射極電流的變化量△IE之比,即: α=△IC/△IE 因為△IC<△IE,故α<1。高頻三極管的α> α與β之間的關系: α= β/(1+β) β= α/(1α)≈1/(1α) c極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICM 當集電極電流IC增加到某一數(shù)值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時的IC值稱為ICM。所以當IC超過ICM時,雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質量。 集電極基極擊穿電壓BVCBO 當發(fā)射極開路時,集電結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。發(fā)射極基極反向擊穿電壓BVEBO 當集電極開路時,發(fā)射結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。集電極發(fā)射極擊穿電壓BVCEO 當基極開路時,加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,使用時如果VCE>VCEO,管子就會被擊穿。 集電極最大允許耗散功率PCM 集電流過IC,溫度要升高,管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率稱為PCM。管子實際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=UCE<PCM。 PCM與散熱條件有關,增加散熱片可提高PCM。 發(fā)光二極管 a 簡介 它是半導體二極管的一種,可以把電能轉化成光能;常簡寫為LED。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結組成,也具有單向導電性。當給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結附近數(shù)微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合,產生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。b 物理特性 發(fā)光二極管的兩根引線中較長的一根為正極,應接電源正極。有的發(fā)光二極管的兩根引線一樣長,但管殼上有一凸起的小舌,靠近小舌的引線是正極。與小白熾燈泡和氖燈相比,發(fā)光二極管的特點是:工作電壓很低(有的僅一點幾伏);工作電流很?。ㄓ械膬H零點幾毫安即可發(fā)光);抗沖擊和抗震性能好,可靠性高,壽命長;通過調制通過的電流強弱可以方便地調制發(fā)光的強弱。由于有這些特點,發(fā)光二極管在一些光電控制設備中用作光源,在許多電子設備中用作信號顯示器。把它的管心做成條狀,用7條條狀的發(fā)光管組成7段式半導體數(shù)碼管,每個數(shù)碼管可顯示0~9十個數(shù)目字。c 發(fā)光原理 50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產生光線的基本知識,第一個商用二極管產生于1960年。LED是英文light emitting diode(發(fā)光二極管)的縮寫,它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料,置于一個有引線的架子上,然后四周用環(huán)氧樹脂密封,起到保護內部芯線的作用,所以LED的抗震性能好。  發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片,在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層,稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來,從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓,少數(shù)載流子難以注入,故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管,通稱LED。 當它處于正向工作狀態(tài)時(即兩端加上正向電壓),電流從LED陽極流向陰極時,半導體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線,光的強弱與電流有關。 NE555 555定時器的組成和功能。它主要由兩個高精度電壓比較器AA2,一個RS觸發(fā)器,一個放電三極管和三個5KΩ電阻的分壓器而構成。 555定時器的組成它的各個引腳功能如下:1腳:外接電源負端VSS或接地,一般情況下接地。8腳:外接電源VCC, ~ 16V,CMOS型時基電路VCC的范圍為3 ~ 18V。一般用5V。3腳:輸出端Vo2腳:低觸發(fā)端6腳:TH高觸發(fā)端4腳:是直接清零端。當端接低電平,則時基電路不工作,此時
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