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正文內(nèi)容

光線(xiàn)照度提醒與報(bào)警電路設(shè)計(jì)畢業(yè)論文(編輯修改稿)

2024-07-19 03:17 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 管的穿透電流約幾十至幾百微安。 當(dāng)發(fā)射結(jié)反向偏置時(shí),發(fā)射區(qū)不在向基區(qū)注入電子,則三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。所以,在截止區(qū),三極管的兩個(gè)結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。對(duì)NPN三極管,UBE<0,UBC<0.放大區(qū):此時(shí)發(fā)射結(jié)正向運(yùn)用,集電結(jié)反向運(yùn)用。在曲線(xiàn)上是比較平坦的部分,表示當(dāng)IB一定時(shí),IC的值基本上不隨UCE而變化。在這個(gè)區(qū)域內(nèi),當(dāng)基極電流發(fā)生微小變化量△IB時(shí),相應(yīng)的集電極電流將產(chǎn)生較大的變化量△IC,此時(shí)二極管的關(guān)系為△IC=223?!鱅B (23)該式體現(xiàn)了三級(jí)管的電流放大作用。對(duì)于NPN三極管,工作在放大區(qū)時(shí)UBE≥,而UBC<0. 飽和區(qū):曲線(xiàn)靠近縱走附近,各條輸出特性曲線(xiàn)的上升部分屬于飽和區(qū)。在這個(gè)區(qū)域,不同IB的各條特征曲線(xiàn)幾乎重疊在一起,即當(dāng)UCE較小時(shí),管子的集電極電流IC基本上不隨基極電流IB而變化,這種現(xiàn)象稱(chēng)為飽和。此時(shí)三極管失去了放大作用。 一般認(rèn)為UCE=UCB,即UCE=0時(shí),三極管處于臨界飽和狀態(tài),當(dāng)UCE<UBE時(shí)稱(chēng)為過(guò)飽和。三極管飽和時(shí)的管壓降用UCES表示。 三級(jí)管工作在飽和區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正向偏置狀態(tài)。對(duì)于NPN三極管,UBE>0,UBC>0。 圖 三極管的主要參數(shù)a直流數(shù) 集電極一基極反向飽和電流ICBO,發(fā)射極開(kāi)路(IE=0)時(shí),基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓VCB時(shí)的集電極反向電流,它只與溫度有關(guān),在一定溫度下是個(gè)常數(shù),所以稱(chēng)為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,ICBO很小,小功率鍺管的ICBO約為1~10微安,大功率鍺管的 ICBO可達(dá)數(shù)毫安,而硅管的ICBO則非常小,是毫微安級(jí)。集電極一發(fā)射極反向電流ICEO(穿透電流)基極開(kāi)路(IB=0)時(shí),集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定反向電壓VCE時(shí)的集電極電流。ICEO 大約是ICBO的β倍即ICEO=(1+β)ICBO。ICBO和ICEO受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù),其值越小,性能越穩(wěn)定,小功率鍺管的ICEO比硅管大。發(fā)射極基極反向電流IEBO集電極開(kāi)路時(shí),在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的電流,它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。直流電流放大系數(shù)β1 這是指共發(fā)射接法,沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí),集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即: β1=IC/IB。b 交流參數(shù)交流電流放大系數(shù)β這是指共發(fā)射極接法,集電極輸出電流的變化量△IC與基極輸入電流的變化量△IB之比,即: β= △IC/△IB一般晶體管的β大約在10200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩(wěn)定。共基極交流放大系數(shù)α這是指共基接法時(shí),集電極輸出電流的變化是△IC與發(fā)射極電流的變化量△IE之比,即: α=△IC/△IE 因?yàn)椤鱅C<△IE,故α<1。高頻三極管的α> α與β之間的關(guān)系: α= β/(1+β) β= α/(1α)≈1/(1α) c極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICM 當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時(shí)的IC值稱(chēng)為ICM。所以當(dāng)IC超過(guò)ICM時(shí),雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質(zhì)量。 集電極基極擊穿電壓BVCBO 當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí),集電結(jié)的反向擊穿電壓稱(chēng)為BVEBO。發(fā)射極基極反向擊穿電壓BVEBO 當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí),發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱(chēng)為BVEBO。集電極發(fā)射極擊穿電壓BVCEO 當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓,使用時(shí)如果VCE>VCEO,管子就會(huì)被擊穿。 集電極最大允許耗散功率PCM 集電流過(guò)IC,溫度要升高,管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過(guò)允許值時(shí)的最大集電極耗散功率稱(chēng)為PCM。管子實(shí)際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=UCE<PCM。 PCM與散熱條件有關(guān),增加散熱片可提高PCM。 發(fā)光二極管 a 簡(jiǎn)介 它是半導(dǎo)體二極管的一種,可以把電能轉(zhuǎn)化成光能;常簡(jiǎn)寫(xiě)為L(zhǎng)ED。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成,也具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發(fā)出的光的波長(zhǎng)越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。b 物理特性 發(fā)光二極管的兩根引線(xiàn)中較長(zhǎng)的一根為正極,應(yīng)接電源正極。有的發(fā)光二極管的兩根引線(xiàn)一樣長(zhǎng),但管殼上有一凸起的小舌,靠近小舌的引線(xiàn)是正極。與小白熾燈泡和氖燈相比,發(fā)光二極管的特點(diǎn)是:工作電壓很低(有的僅一點(diǎn)幾伏);工作電流很?。ㄓ械膬H零點(diǎn)幾毫安即可發(fā)光);抗沖擊和抗震性能好,可靠性高,壽命長(zhǎng);通過(guò)調(diào)制通過(guò)的電流強(qiáng)弱可以方便地調(diào)制發(fā)光的強(qiáng)弱。由于有這些特點(diǎn),發(fā)光二極管在一些光電控制設(shè)備中用作光源,在許多電子設(shè)備中用作信號(hào)顯示器。把它的管心做成條狀,用7條條狀的發(fā)光管組成7段式半導(dǎo)體數(shù)碼管,每個(gè)數(shù)碼管可顯示0~9十個(gè)數(shù)目字。c 發(fā)光原理 50年前人們已經(jīng)了解半導(dǎo)體材料可產(chǎn)生光線(xiàn)的基本知識(shí),第一個(gè)商用二極管產(chǎn)生于1960年。LED是英文light emitting diode(發(fā)光二極管)的縮寫(xiě),它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電致發(fā)光的半導(dǎo)體材料,置于一個(gè)有引線(xiàn)的架子上,然后四周用環(huán)氧樹(shù)脂密封,起到保護(hù)內(nèi)部芯線(xiàn)的作用,所以L(fǎng)ED的抗震性能好。  發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片,在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過(guò)渡層,稱(chēng)為PN結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái),從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓,少數(shù)載流子難以注入,故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管,通稱(chēng)LED。 當(dāng)它處于正向工作狀態(tài)時(shí)(即兩端加上正向電壓),電流從LED陽(yáng)極流向陰極時(shí),半導(dǎo)體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線(xiàn),光的強(qiáng)弱與電流有關(guān)。 NE555 555定時(shí)器的組成和功能。它主要由兩個(gè)高精度電壓比較器AA2,一個(gè)RS觸發(fā)器,一個(gè)放電三極管和三個(gè)5KΩ電阻的分壓器而構(gòu)成。 555定時(shí)器的組成它的各個(gè)引腳功能如下:1腳:外接電源負(fù)端VSS或接地,一般情況下接地。8腳:外接電源VCC, ~ 16V,CMOS型時(shí)基電路VCC的范圍為3 ~ 18V。一般用5V。3腳:輸出端Vo2腳:低觸發(fā)端6腳:TH高觸發(fā)端4腳:是直接清零端。當(dāng)端接低電平,則時(shí)基電路不工作,此時(shí)
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