【文章內(nèi)容簡介】 240 W3 清排水 W4 含磷廢水 有在原輔料上不在使用異丙醇（經(jīng)工藝探索可不用該異丙醇，不會影響產(chǎn)品品質(zhì)），因此本項目有鉻生產(chǎn)線工藝簡述可見本報告書現(xiàn)有項目有鉻生產(chǎn)線工藝簡述。 （ 2）無鉻多晶硅生產(chǎn)工藝流程 HNO HF、 H2SO純水 KOH、純水 HF、純水 本項目無鉻生產(chǎn)工藝流程圖 簡述： 本工藝為無鉻多晶硅工藝，是目前較先進工藝，無重金屬污染問委外加工多晶 硅片 硅片腐蝕（制絨）清洗 干燥 硅片擴散 去硅玻璃 干燥 加減 反射膜 硅片背面印刷銀鋁漿 烘干 硅片背面印刷鋁漿 烘干 硅片正面印刷銀漿 燒結(jié) 太陽能電池片 HNO HF、純水 KOH、純水 HF、 HCl、純水 G1 酸霧（ NOx）、 HF G2 HCl、 HF W1 含（ N）、 HF 廢水 W2 堿性 廢水 W3 含酸（ HF、 HCl）廢水 S1 含硝酸、氫氟酸、鹽酸廢液 空氣 POCl N O2 G3 Cl2 G4 P2O5 W4 清排水 純水 、 HF G5 酸霧 （ NOx）、 HF、硫酸霧 、 SiF4 W6 含 （ N）、 HF 酸性廢水 W7 堿性廢水 G6 HF W7 酸性（ HF）廢水 空氣 S2 含磷廢液 W5 含 磷 廢水 SiH NH N2 G7 NH SiH4 銀鋁漿 S3 少量廢鋁銀漿 G8 少量有機物 鋁漿 S4 少量廢鋁漿 G9 少量有機物 銀漿 S5 少量廢銀漿 G10 有機物 （多晶電池片） 純水 題，具體如下： (制絨 )、清洗： 本項目使用原材料為 P（硅片類型）型多晶硅薄片，使用硝酸、氫氟酸、鹽酸的混合酸（按一定比例配比）腐蝕硅表面形成絨面。噴淋清洗處理制絨后的硅片表面，使其凈化；然后再用氫氧化鉀（濃度65%）腐 蝕并噴淋清洗，接著用氫氟酸、鹽酸的混合酸（按一定比例配比）去除表面殘留的物質(zhì)，最后再用純水噴淋清洗。此過程有廢氣產(chǎn)生，廢氣中含有氮氧化物、硫酸霧、 HCl、 HF、 H2；此工序還有含 N廢水、含氟廢水、酸性廢水產(chǎn)生，同時產(chǎn)生一定的廢液。經(jīng)以上清洗后進行空氣干燥。 ： 硅片擴散也稱磷擴散，是在氧氣存在的條件下，磷源分解在硅中擴散而形成 PN 結(jié)， POCl3為電子級純度，在過程中所起作用是為擴散提供磷源，各反應(yīng)化學(xué)式如下： 5POCl3=3PCl5+P2O5 2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2 4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 因而硅片擴散工序 ,有廢氣產(chǎn)生，該廢氣成分有 P2O Cl2等。 ： 本工藝分為三段腐蝕，先用硝酸、氫氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蝕硅片表面的氧化層，再用純水噴淋清洗，再用氫氧化鉀（濃度 45%）腐蝕后純水噴淋清洗，最后用氫氟酸、硫酸的混合酸（按一定比例配比）腐蝕后純水噴淋清洗，以上工序為清除硅片表面的 SiO2層，反應(yīng)生成為為微量的 SiF4和 [H2SiF6]2少量的絡(luò)合物，以上清洗廢水分別進入含 N 廢水處理 設(shè)施處理及酸堿廢水處理設(shè)施處理。因而此工序會有少量的氮氧化物、硫酸霧、 HCl、 HF 和四氟化硅揮發(fā)。 ： 利用硅烷、氨氣之間的反應(yīng)在硅片表面形成一層加減反射膜， N2不發(fā)生反應(yīng)，作為保護氣體，此工序會有少量的氨氣和硅烷揮發(fā)。 (即在硅片上印刷鋁漿、銀漿、銀鋁漿 )： 使用漿料印刷電極，使之形成良好接觸 ,收集電流。主要是使用銀漿，鋁漿，銀鋁漿，一般由金屬粉末和有機溶劑以及固體樹脂構(gòu)成，經(jīng)過燒結(jié)后有機溶劑和固體樹脂都被揮發(fā)，剩余金屬與硅形成合金層。 7．燒結(jié) 燒結(jié)工序主要是將印刷好銀漿、鋁漿 、銀鋁漿的電極放入燒結(jié)爐中，使?jié){料中的水分、樹脂及某些有機物揮發(fā)出來。 燒結(jié)自然冷卻后即為成品單晶硅太陽能電池片。 資源及能源消耗 本項目原輔材料及能源 序號 原輔料名稱 年耗量 1 原料 硅片（ Si） 900t（約 7200 萬片） 2 輔料 氮氣 (%) 690t（約 85 萬 m3） 3 硅烷 (%) 2800kg 4 氨氣 (%) 2040kg 5 CF4(%) （約 3760m3） 6 氧氣 (%) (約 萬 m3） 7 三氯氧磷 （ 99%） （約 2333m3） 8 銀漿 4200kg 9 鋁漿 54000kg 10 銀鋁漿 4200kg 11 鹽酸（ 36%） 12 氫氟酸（ 40%分析純） 13 三氧化鉻（ %） 14 硝酸（ 65%分析純） 15 氫氧化鉀（ 45%分析純） 16 硫酸（ 98%工業(yè)級） 17 水處理藥劑 聚合氯化鋁（工業(yè)級、固體） 25 噸 18 高分子混凝劑（工業(yè)級、 固體） 噸 19 氫氧化鈉 (90%工業(yè)級、固體 ) 16 噸 19 CaCl2(70%工業(yè)級 ) 13 噸 20 能源 水 萬 21 電 1200 萬度 主要生產(chǎn)設(shè)備、公用及貯運設(shè)備 本項目主要設(shè)備表 序 號 設(shè)備名稱 規(guī)格（型號） 數(shù)量 備注 1 生產(chǎn)設(shè)備 有鉻線 擴散前清洗機 / 8 臺 新增 2 擴散爐 / 4 臺 3 擴散后清洗機 / 4 臺 4 PECVD 鍍膜機 SLPC71HR4 4 臺 5 等離子刻蝕機 M42200 16 臺 6 絲網(wǎng)印刷機 J1762CLD/CUL 4 臺 7 燒結(jié)爐 PVD600 4 臺 8 甩干機 / 8 臺 9 無鉻擴散前清洗機 / 1 臺 10 擴散爐 / 1 臺 11 線 擴散后清洗機 / 1 臺 12 PECVD 鍍膜機 / 1 臺 13 絲網(wǎng)印刷機 / 1 臺 14 燒結(jié)爐 / 1 臺 15 輔助設(shè)備 冷凍機 / 2 臺 新增 16 空壓機 / 6 臺 17 組合式空調(diào)凈化系 統(tǒng) 020T 4 套 18 通風(fēng)系統(tǒng)（風(fēng)機） 4 套 為備用 48 套 19 水泵 / 10 臺 20 氮氣、氧氣 儲 罐 氧氣 20m3 1 個 依托 21 氮氣 20m3 1 個 22 膜過濾制純水設(shè)施 設(shè)計能力 200t/h 1 套 23 含 N廢水膜過濾純水 設(shè)施 100t/d 1 套 新增 24 含 P 廢水膜過濾純水 設(shè)施 10t/d 1 套 26 環(huán)保設(shè)備 酸性廢水處理 +混凝沉淀系統(tǒng) 設(shè)計能力 200t/h 1 套 依托 27 含氫氟酸廢水處理 設(shè)施 設(shè)計能力 50t/h 1 套 28 含鉻酸廢水處理設(shè) 施 設(shè)計能力 50t/h 1 套 29 廢水（尾水）深度處理系統(tǒng)（中水回用） 設(shè)計能力 200t/h 1 套 30 含 N 廢水處理系統(tǒng)（回用） 100t/d 1 套 新建 31 含 P 廢水處理系統(tǒng)（回用） 10t/d 1 套 32 含鉻酸霧廢氣洗滌 塔處理系統(tǒng) 設(shè)計風(fēng)量70000m3/h 1 套 新建 33 酸性廢氣洗滌塔處 理系統(tǒng) 設(shè)計風(fēng)量70000m3/h 1 套 34 含 N 廢氣洗滌塔 設(shè)計風(fēng)量70000m3/h 1 套 35 含 P 廢氣洗滌塔 設(shè)計風(fēng)量70000m3/h 1 套 36 有機廢氣活性炭纖 維吸附系統(tǒng) 風(fēng)量 40000m3/h 1 套 37 硅烷燃燒 風(fēng)量 6400m3/h 1 套 38 噪音隔音設(shè)施 / 4 套 污染源強及污染物排放量分析 （ 1）本項目的廢氣產(chǎn)生情況 本項目廢氣產(chǎn)生情況一覽表 廢氣類別 排氣筒編號 主要污染因子 產(chǎn)生環(huán)節(jié) 防治措施 有組織排放廢氣 工藝廢氣 G14 鉻酸霧 有鉻線腐蝕（制 絨） 鉻酸霧洗滌 +高空集中 25m高排氣筒 排放 G15 氟化物、HCl、 ClCF SiF硫酸霧 腐蝕（制絨）、硅片擴散、去硅玻璃 洗滌塔 +高空集中 25m高 排氣筒 排放 G16 P2O5 硅片擴散 洗滌塔 +高空集中 25m高 排氣筒 排放 G17 NOx 無鉻線腐蝕（制絨）、去硅玻璃 洗滌塔 +高空集中 25m高 排氣筒 排放 G18 SiH NH3 加減反射膜 硅烷燃燒 +高空集中 25m高排氣筒 排放 G19 揮發(fā)性有機廢氣（ TVOC） 印刷、烘干 活性炭纖維 +高空集中 25m高排氣筒 排放 無組織排放廢氣 鉻酸霧、氟化物、硫酸霧、 HCl、Cl P2ONH SiHTVOC 等 未收集廢氣及化學(xué)品倉庫 無組織排放 本 項目廢氣產(chǎn)生排放情況一覽表 廢氣類型 廢氣量 m3/h 污染因子 產(chǎn)生濃度 （ mg/