匯編期末考試重點(diǎn)(編輯修改稿)
2025-07-04 20:21 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 碼，并不是操作數(shù)的有效地址。因此，尋址過(guò)程就是把操作數(shù)的形式地址變換為操作數(shù)的有效地址的過(guò)程。隱含尋址；立即尋址；直接尋址；間接尋址；寄存器尋址方式；寄存器間接尋址方式；基值尋址方式；變址尋址方式；相對(duì)尋址方式5．8086尋址方式8086尋址方式分為兩類，即數(shù)據(jù)尋址和指令尋址。（一） 數(shù)據(jù)尋址方式1． 立即數(shù)尋址方式：操作數(shù)直接包含在指令中，緊跟在操作碼之后的尋址方式，稱為立即數(shù)尋址方式。這種操作數(shù)被稱為立即數(shù)。例：MOV AX,3069H2． 寄存器尋址：操作數(shù)存放在CPU的內(nèi)部寄存器（reg）中，這些寄存器可以是：8位寄存器（AH等）；16位寄存器（AX等）；4個(gè)段寄存器seg；例：MOV AX,BX。 注意：源寄存器和目的寄存器的位數(shù)必須一致。MOV AX，BL是一個(gè)錯(cuò)誤的指令（前者為16位，后為8位）。3． 存儲(chǔ)器尋址方式）直接尋址方式 MOV AX,[2000H]）寄存器間接尋址方式 MOV AX,[BX]）寄存器相對(duì)尋址 MOV AX,COUNT[SI] 或者 MOV AX,[SI+COUNT](不推薦)）基址變址尋址 MOV AX,[BP][DI] ）相對(duì)基礎(chǔ)變址尋址 MOV AX,MASK[BX][SI]（二）指令尋址方式 第五章：CPU中的主要寄存器及作用（1） 指令寄存器IR：用來(lái)保存當(dāng)前正在執(zhí)行的一條指令（2）程序計(jì)數(shù)器PC：用來(lái)確定下一條指令的地址（3）地址寄存器AR：用來(lái)保存當(dāng)前CP所訪問(wèn)的內(nèi)存單元的地址（4）緩沖寄存器DR：①作為CPU和內(nèi)存、外圍設(shè)備之間信息傳送的中轉(zhuǎn)站；②補(bǔ)償CPU和內(nèi)存、外圍設(shè)備之間在操作速度上的差別；③在單累加器結(jié)構(gòu)的運(yùn)算器中，緩沖寄存器還可以兼做操作數(shù)寄存器（5）通用寄存器AC：當(dāng)運(yùn)算器的算術(shù)邏輯單元（ALU）執(zhí)行全部算術(shù)和邏輯運(yùn)算時(shí)，為ALU提供一個(gè)工作區(qū)（6）狀態(tài)字寄存器FR/PSW：保存由算術(shù)指令和邏輯指令運(yùn)行或測(cè)試的結(jié)果建立的各種條件碼內(nèi)容；除此之外，還保存中斷和系統(tǒng)工作狀態(tài)等信息，以便CPU和系統(tǒng)能及時(shí)了解機(jī)器運(yùn)行狀態(tài)及程序運(yùn)行狀態(tài)。第六章 存儲(chǔ)系統(tǒng)的主要目標(biāo)是提高存儲(chǔ)器系統(tǒng)的速度，虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)的主要目標(biāo)是增加存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)容量。 存儲(chǔ)器三級(jí)結(jié)構(gòu)：快速緩沖存儲(chǔ)器（快存）、主存儲(chǔ)器（主存）、外存儲(chǔ)器。與CPU的聯(lián)系：CPU能夠直接訪問(wèn)快存和主存。 Cache：高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)簡(jiǎn)稱快存， 是為了解決CPU和主存之間速度匹配問(wèn)題而設(shè)置的。、Cache工作原理：CPU與Cache之間的數(shù)據(jù)交換是以字為單位，而Cache與主存之間的數(shù)據(jù)交換是以塊為單位。一個(gè)塊由若干定長(zhǎng)字組成的。當(dāng)CPU讀取主存中一個(gè)字時(shí)，便發(fā)出此字的內(nèi)存地址到cache和主存；此時(shí)，cache控制邏輯一句地址判斷此字當(dāng)前是否在cache中，若是，此字立即傳送給CPU，若非，則用主存讀周期把此字從主存讀出送到CPU，與此同時(shí)，把含有這個(gè)字的整個(gè)數(shù)據(jù)塊從內(nèi)存讀出送到cache中。由管理cache 使用情況的硬件邏輯電路來(lái)時(shí)間LRU替換算法。、動(dòng)存和靜存的區(qū)別：SRAM的特點(diǎn)是工作速度快，只要電源不撤除，寫(xiě)入SRAM的信息就不會(huì)消失，不需要刷新電路，同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來(lái)存放的信息，一經(jīng)寫(xiě)入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來(lái)作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。 DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息，以存儲(chǔ)電荷的多少，即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少，常見(jiàn)的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場(chǎng)效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失，一般信息保存時(shí)間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對(duì)其刷新一次。因此，采用 DRAM的計(jì)算機(jī)必須配置動(dòng)態(tài)刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器。補(bǔ)充：DEBUG調(diào)試指令在DEBUG調(diào)試下t為跟蹤命令，單步執(zhí)行? 顯示DEBUG命令列表q 退出DEBUGr 顯
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