預(yù)防性試驗(yàn)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-22 00:35 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 x、 Zn、 Z Z4分別是電橋的試樣阻抗，標(biāo)準(zhǔn)電容器阻抗以及橋臂 Z3和 Z4的阻抗 11xxxjCZRw=+ 1NNZ jCw=33ZR= 44411 jCZR w=+42311 t a nxN xRCCR ??? ?44ta n x CR???解所得方程式，得 (46) （ 47） （ 48） （ 49） 當(dāng) 時(shí)，試樣電容可近似地按下式計(jì)算： ta n 0 .1x? ?43xNRCCR?（ 410） 因此，當(dāng)橋臂電阻 R3， R4和電容 CN， C4已知時(shí)就可以求得試樣電容和損耗角正切，計(jì)算出 Cx后，根據(jù)試樣與電極的尺寸在計(jì)算其相對介電常數(shù)。 通常橋臂阻抗要比 Z3和 Z4大得多，所以工作電壓主要作用在橋臂阻抗上，因此它們被稱為高壓臂，而 Z3和 Z4為低壓臂，其作用電壓往往只有數(shù)伏。為了確保人身和設(shè)備安全，在低壓臂上并聯(lián)有放電管（ A、 B兩點(diǎn)對地），以防止在 R C4等需要調(diào)節(jié)的元件上出現(xiàn)高壓。 電橋達(dá)到平衡時(shí)的相量圖見圖 47，其中電橋的平衡是通過 R3和 C4來改變橋臀電壓的大小和相位來實(shí)現(xiàn)的。在實(shí)際操作中，由于 R3和 Z4相互之間也有影響，故需反復(fù)調(diào)節(jié) R3和C4，才能達(dá)到電橋的平衡。 圖 47 西林電橋 平衡時(shí)的相量圖 由于絕大多數(shù)電氣設(shè)備的金屬外殼是直接放在接地底座上的，換言之，被試品的一極往往是固定接地的。這時(shí)就不能用上述正接線來測量它們的 tanδ，而應(yīng)改用圖 48所示的 反接線 法進(jìn)行測量。 圖 48 西林電橋反接線原理圖 返回 在現(xiàn)場進(jìn)行測量時(shí)，試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場作用范圍之內(nèi)，雖然電橋本體及連接線都如前所述采取了屏蔽，但對試品通常無法做到全部屏蔽。這時(shí)等值干擾電源電壓就會通過對試品高壓電極的雜散電容產(chǎn)生 干擾電流 ，影響測量。 圖 49 外接電源引起的電磁干擾 西林電橋測量法的電磁干擾 消除或減小由于電場干擾引起的誤差，可以采取下列措施 ： （ 1） 加設(shè)屏蔽，用金屬屏蔽罩或網(wǎng)把試品與干擾源隔開。 （ 2） 采用移相電源 （ 3） 倒相法 圖 410移相電源消除干擾的接線圖 返回 西林電橋測量法的其他影響因素 溫度對 tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結(jié)構(gòu)的不同而異。一般來說， tanδ隨溫度的增高而增大 ?，F(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應(yīng)將在各種溫度下測得的tanδ值換算到 20℃ 時(shí)的值。 圖 411 與試驗(yàn)電壓的典型關(guān)系曲線 1良好的絕緣 2絕緣中存在氣隙 3受潮絕緣 2. 試驗(yàn)電壓的影響 3. 試品電容量的影響 對于電容量較小的試品 (例如套管、互感器等 )，測量 tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對電容量較大的試品 (例如大中型發(fā)電機(jī)、變壓器、電力電纜、電力電容器等 )測量 tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷 4. 試品表面泄漏的影響 試品表面泄漏電阻總是與試品等值電阻 Rx并聯(lián)，顯然會影響所測得的 tanδ值，這在試品的 Cx較小時(shí)尤需注意。 返回 (本節(jié)完 ) 小 結(jié) ?測量 值是判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)
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