【文章內(nèi)容簡介】 間沒有準確的換算關(guān)系，故應(yīng)盡量在差不多的溫度條件下測量 tg δ，并以此作比較。通常以 20℃ 時的 tg δ值作為參考標準。高電壓工程基礎(chǔ)測量時應(yīng)選取合適的試驗電壓良好的絕緣，在其額定電壓范圍內(nèi)， tg δ值是幾乎不變。如果絕緣中存在氣泡、分層、脫殼等，當所加試驗電壓足以使絕緣中的氣泡或氣隙放電，或者電暈、局部放電發(fā)生時， tg δ的值將隨試驗電壓的升高而迅速增大。測定 tg δ時所加的電壓，原則上最好接近于被試品的正常工作電壓。所加電壓過低，則不易發(fā)現(xiàn)絕緣中的缺陷，過高則容易對絕緣造成不必要的損失。實際上多難以達到正常工作電壓，一般多用 10kV。高電壓工程基礎(chǔ)測量時注意消除被試品表面泄漏電流的影響表面泄漏電流對 tgδ測量結(jié)果的影響程度與被試品電容量有關(guān)，對小容量的被試品如套管、互感器等表面泄漏電流影響較大。試驗時被試品表面應(yīng)清潔、干燥，必要時加屏蔽環(huán)，屏蔽環(huán)應(yīng)裝設(shè)在被試品與橋體相連的一端附近的表面上，且應(yīng)與被試品與橋體連線的屏蔽相連。高電壓工程基礎(chǔ)測量繞組的 tgδ時必須將每個繞組的首尾短接測量時必須將被測繞組和非被測繞組的首尾短接，否則會產(chǎn)生很大的誤差。原因： 繞組絕緣的容性電流流過繞組時產(chǎn)生較大的磁通，繞組電感和勵磁鐵損會使測量結(jié)果產(chǎn)生很大的誤差。小 結(jié)高電壓工程基礎(chǔ)216。 用西林電橋測量 tg δ時有正接線和反接線兩種接線方式，當電橋平衡時， tgδ =C4(單位 μF)。216。 現(xiàn)場測量時注意電磁場的干擾對測量結(jié)果的影響。216。 測量 tgδ對局部的集中性缺陷反映不靈敏，所以測量時盡可能分部測量。 局部放電的測試高電壓工程基礎(chǔ)局部放電 是指由于電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣存在弱點，在一定外施電壓下發(fā)生的局部重復擊穿和熄滅現(xiàn)象。常用的固體絕緣材料不可能做得十分純凈和致密，總會不同程度的包含一些分散性的雜物。由于這些異物的電導和介電常數(shù)不同于絕緣物，在外施電壓作用下，異物附近的電場較強，該出可能產(chǎn)生電離放電。如外施電壓為交變電壓時，局部放電具有發(fā)生與熄滅交替重復的特征。高電壓工程基礎(chǔ)氣泡的介電常數(shù)小，其擊穿場強低，所以分散在絕緣物中的氣泡是局部放電的發(fā)源地。這種局部放電發(fā)生在一個或幾個絕緣內(nèi)部的氣隙或氣泡中，因為在這個很小的空間內(nèi)電場強度很大，放電能量很小，所以并不影響電氣設(shè)備的短時絕緣強度，即不影響當時整體絕緣物的擊穿電壓。但長期作用時，會加速絕緣老化，絕緣強度降低。高電壓工程基礎(chǔ)局部放電引起固體介質(zhì)腐蝕、老化、損壞的原因有：216。 局部電場畸變，使局部介質(zhì)承受過高的電壓；216。 局部放電產(chǎn)生的帶電質(zhì)點撞擊絕緣物，造成絕緣物分解、破壞；216。 化學腐蝕。氣隙電離產(chǎn)生 O3， NO， NO2等氣體，遇水會產(chǎn)生硝酸或亞硝酸，對絕緣材料和金屬有氧化和腐蝕作用；216。 在局部放電區(qū)，產(chǎn)生高能輻射線，引起材料分解；216。 局部溫度升高，造成熱裂解，氣隙膨脹而使固體絕緣開裂、分層、脫殼，且使該部分絕緣的電導和介質(zhì)損耗增加，加速絕緣老化、破壞。高電壓工程基礎(chǔ)若一個電氣設(shè)備在運行電壓下長期存在一定程度的局部放電，這些微弱的放電能量和由此產(chǎn)生的一些不良影響可慢慢損壞絕緣，加速絕緣物的老化和破壞，發(fā)展到一定程度時，就可能導致整個絕緣被擊穿。所以檢查絕緣物中局部放電缺陷存在與否以及發(fā)展情況、放電強度，是一種判斷絕緣在長期運行中絕緣性能好壞的較好方法，也是估計絕緣老化速度的重要依據(jù)。高電壓工程基礎(chǔ)通常將視在放電量 △ q作為局部放電強度的參數(shù)。視在放電量：試品上電壓變化 試品電容衡量局部放電強度的參數(shù)還有：單次放電量、放電次數(shù)頻度、平均放電電流、平均放電功率等，但應(yīng)用最普遍的是視在放電量。高電壓工程基礎(chǔ)電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部發(fā)生局部放電時將伴隨著出現(xiàn)許多外部現(xiàn)象，有些外部現(xiàn)象屬于電現(xiàn)象，如產(chǎn)生電流脈沖、引起介質(zhì)損耗增大、產(chǎn)生電磁波輻射等；有些屬于非電現(xiàn)象，如產(chǎn)生光、熱、噪聲、氣壓變化和分解物等。一、測量的基本接線局部放電的檢測方法可分為 電氣檢測法 和 非電檢測法 兩大類。目前應(yīng)用的比較廣泛和成功的是電氣檢測法，特別是測量絕緣內(nèi)部氣隙發(fā)生局部放電時的電脈沖，它不僅可以靈敏地檢出是否存在局部放電，還可判斷放電強弱程度。非電檢測法有超聲波探測法和絕緣油的氣相色譜分析。高電壓工程基礎(chǔ)上圖是目前國際上推薦的三種測量局部放電的基本回路，它們都是要將一定電壓作用下的被試品 CX中產(chǎn)生的局部放電電流脈沖傳遞到測量阻抗 Zm的兩端，然后把 Zm上的電壓加以放大后送至測量儀器 M進行測量。Cx — 被試品的電容； Ck — 耦合電容； Zm、 Zm′— 測量阻抗；Z — 低通濾波器； u — 電壓源； M— 測量儀器； A — 放大器高電壓工程基礎(chǔ)使被試品 CX局部放電產(chǎn)生的脈沖電流作用到測量阻抗 Zm上，在 Zm上產(chǎn)生一個脈沖電壓 um送到測量儀器 M中，由 um推算視在放電量。直接法（ 1）并聯(lián)法CX為被試品， Ck為耦合電容，它為被試品與測量阻抗之間提供一條低阻抗通道。 Zm為測量阻抗。 Z為低通濾波器，可以讓工頻電壓作用到試品上，阻止被測的高頻脈沖或電源的高頻噪聲通過。 并聯(lián)法適合于被試品一端接地的情況。高電壓工程基礎(chǔ)（ 2）串聯(lián)法串聯(lián)法適合于被試品兩端都不接地的情況。并聯(lián)法與串聯(lián)法的靈敏度相同，但并聯(lián)法有以下優(yōu)點：216。允許被試品一端接地；216。對 CX值較大的試品，可以避免較大的工頻電容電流流過 Zm；216。被試品被擊穿時，不會危及人身和測試系統(tǒng)的安全。高電壓工程基礎(chǔ)平衡法平衡法抗干擾能力好，因為外部干擾源在 Zm和Z′m上產(chǎn)生的干擾信號基本上相互抵消，而在 CX發(fā)生局部放電時，放電脈沖在 Z m和 Z′m上產(chǎn)生的信號卻是相互疊加的。高電壓工程基礎(chǔ)二、局部放電的測量阻抗和測量儀器 （ 1）測量阻抗 Zm的選擇216。 要消除或減弱輸出電壓的工頻成分；216。 要使脈沖分量的持續(xù)時間足夠小，以保證快速連續(xù)脈沖的分辨率；216。 阻抗值應(yīng)足夠高，由它承擔大部分脈沖電壓，并決定輸出電壓和電流的波形。（ 2）常用測量阻抗的形式常用的測量阻抗有電阻、電感、電阻與電感并聯(lián)以及電感與電容并聯(lián)四種形式。高電壓工程基礎(chǔ)（ 3）測量儀器（顯示單元）為了防止干擾：裝設(shè)數(shù)字濾波器。為了提高信噪比：采用數(shù)字示波器或其他數(shù)字記錄儀。測量儀器所測得的 局部放電脈沖值是與被試品的局部放電視在放電量 ?q成比例的 ，要從指示值來算得 ?q是困難的，只能通過試驗來確定，即局部放電的測量儀器必須進行試驗校正。高電壓工程基礎(chǔ)三、測量時注意的問題內(nèi)部干擾： 試驗回路中某元件或高壓引線發(fā)生電暈放電時引起的干擾。外部干擾： 高壓試驗回路以外的因素引起的干擾。高電壓工程基礎(chǔ)措施：(1) 選擇抗干擾能力強的測量電路。(2) 對測量線路進行屏蔽。(3) 試驗電源最好采用獨立電源。(4) 提高高壓試驗回路中各元件發(fā)生電暈的電壓。(5) 將高壓試驗變壓器、檢測回路和測量儀器三者的地線連成一體，并采用一根地線相連。(6) 合理選擇放大電路的頻帶或調(diào)諧放大電路的諧振頻率。(7) 測量回路與被試品的連線應(yīng)盡可能縮短。高電壓工程基礎(chǔ)四、試驗結(jié)果的分析判斷試驗規(guī)程規(guī)定了某些設(shè)備在規(guī)定電壓下的允許視在放電量，可將測量結(jié)果與規(guī)定值進行比較。如規(guī)程中沒有給出規(guī)定值，則應(yīng)在實踐中積累數(shù)據(jù)，以獲取判斷標準。高電壓工程基礎(chǔ)五、用超聲波探測器測量局部放電（ 1）特點抗干擾能力相對較強，可以在運行中和耐壓試驗時檢測絕緣內(nèi)部的局部放電，適合預防性試驗的要求。（ 2）工作原理當電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部發(fā)生局部放電時，會產(chǎn)生一種超聲波，并向四面?zhèn)鞑?，直到電氣設(shè)備容器的表面。若在設(shè)備外壁放一壓電元件，在交變壓力波的作用下，具有壓電效應(yīng)的晶體便產(chǎn)生交變的彈性變形，晶體沿受力方向的兩端面上便會出現(xiàn)交變的束縛電荷。這一表面束縛電荷的變化便引起了端部金屬電極上電荷的變化，或在外回路中引起交變電流，從而將 交變壓力波轉(zhuǎn)換成電氣量 ，由此可測量局部放電。超聲波探測法可了解有無局部放電的發(fā)生，粗測其放電強度和發(fā)生的部位。小 結(jié)高電壓工程基礎(chǔ)216。 局部放電是指設(shè)備絕緣系統(tǒng)中有部分絕緣被擊穿的電氣放電現(xiàn)象，是由絕緣局部區(qū)域內(nèi)的弱點所造成的。216。 若一個電氣設(shè)備在運行電壓下長期存在一定程度的局部放電，會加速絕緣物的老化和破壞。216。 檢查絕緣物中局部放電強度，能預示絕緣的情況，也是 估計絕緣老化速度的重要依據(jù) 。216。 測量局部放電常采用 脈沖電流法 ，分為 直接法和平衡法 。 電壓分布的測量高電壓工程基礎(chǔ)（ 1）絕緣表面的電壓分布 216。 當表面比較清潔時：電壓分布由絕緣電容和雜散電容決定；216。 當表面因污染而電阻下降時：電壓分布由表面電導決定。絕緣中某一部分因損壞使絕緣電阻急劇下降，則表面電壓分布會有明顯的改變。 （ 2）測量電壓分布可以發(fā)現(xiàn)的絕緣狀況電壓分布能反映絕緣子的一些特征，如污穢分布狀況、絕緣子絕緣狀況等。測量電壓分布可掌握絕緣子串的污穢分布和電壓分布情況。另一方面，通過測量電壓分布可判別零值絕緣子（不承受電壓）。因此，測量電壓分布是不停電檢查劣化絕緣子以及絕緣子污穢的有效方法。高電壓工程基礎(chǔ)短路叉測量電壓分布方法：當短路叉的一端 2先和下面絕緣子的鐵帽接觸，而將另一端 l靠近被測絕緣子的鐵帽時，在 1和鐵帽間便會產(chǎn)生火花。被測絕緣子承受的電壓越高，則出現(xiàn)火花越早，而且火花的聲音亦越大，因此根據(jù)放電的情況可以判斷被測絕緣子承受電壓的情況。此種測桿不能