【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 中 NA—— 阿伏伽德羅常數(shù)（ ）。 斜率＋截距1=mv/gm 102 2 4 1 4= 218mAmgVNAS BET法 *埃米特和布郎諾爾曾經(jīng)提出 77K（ 195℃ ）時(shí)液態(tài)六方密堆積的氮分子橫截面積取 ，將它代入式（ 114）后，簡(jiǎn)化得到 BET氮吸附法比表面積的常見公式： (115) *實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，多數(shù)催化劑的吸附實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按 BET作圖時(shí)的直線范圍一般是在 p/p0 。 *C常數(shù)與吸附質(zhì)和表面之間作用力場(chǎng)的強(qiáng)弱有關(guān)。給定不同的 C值，并以 v/vm對(duì) p/p0作圖，就得到下圖的一組曲線。 /gm = 2mg vS常數(shù) c作參數(shù)， 以吸附重量或吸附體積（ W/Wm或 V/Vm）對(duì) x=P/P0作圖 。 a)c﹥2 ， II型吸附等溫線 。 b)c﹤2 ， III型吸附等溫線 BET公式適用比壓范圍 : ≤x≤ 6 BET法 *隨 C值的增加，吸附等溫曲線由 Ⅲ 型變?yōu)?Ⅱ 型，曲線在 v/vm=1處的彎曲越來越接近直角。這反映了第一吸附層和其它吸附層之間吸附力場(chǎng)的差異越來越大。 *當(dāng) C值很大時(shí)，就可以由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)確定 vm的值。在 C值比較小時(shí)，盡管也可以由 BET公式計(jì)算得到 vm的值，但此時(shí)由于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的微小變動(dòng)就能引起 vm值較大變化。從圖形上看，隨著曲線彎曲趨于平緩而不明顯， vm不確切增大。當(dāng) C值接近于 1時(shí)，甚至根本無法求算 vm的值。 一點(diǎn)法 氮吸附時(shí) C常數(shù)通常都在 50～ 200之間，由于 C常數(shù)較大，所以在 BET作圖時(shí)的截距 1/ (vmC)很小，在比較粗略的計(jì)算中可以忽略，即可以把 p/p0在 ~連，由它的斜率的倒數(shù)計(jì)算 vm值，通常稱為一點(diǎn)法或單點(diǎn)法。只有當(dāng) C值 1的前提下，二者誤差一般在 10%以內(nèi)。 多點(diǎn)法 相對(duì)于一點(diǎn)法來說，常規(guī) BET作圖測(cè)定比表面要進(jìn)行多個(gè)實(shí)驗(yàn)點(diǎn)（一般取五點(diǎn)）測(cè)量，因此又稱多點(diǎn)法。 B點(diǎn)法 埃米特和布郎諾爾將 Ⅱ 型等溫線和 Ⅳ 型等溫線上的第二段直線部分起始的扭轉(zhuǎn)點(diǎn)稱為 B點(diǎn)。 當(dāng) C值很大時(shí) (C值大于 100, B點(diǎn)容易確定 。 C＜ 80時(shí) , vm與 vB近似相等； )，B點(diǎn)相應(yīng)的吸附量 vB可以當(dāng)作飽和吸附量 ，因此可由吸附等溫線上的 B點(diǎn)直接確定 vm，通過式（ 114）計(jì)算比表面 Sg，這種方法稱為 B點(diǎn)法。 /gm 102 2 4 1 4= 218mAmgVNAS 經(jīng)驗(yàn)作圖法 (t圖法 ) 德 .博爾（ De Boer）建立起來的 vt作圖法 對(duì)于固體表面上無阻礙地形成多分子層的物理吸附，BET理論給出吸附層數(shù)： (116) C為常數(shù)時(shí)，則可改寫為： (117) ]/1)(+)[1/(1/?==000m ppCppppCvvn)/(= 0c ppfn 經(jīng)驗(yàn)作圖法 令單層的厚度為 tm (nm)，則吸附層厚度 t (nm)由下式給出： (118) Fc(p/p0)表達(dá)了吸附層厚度隨 p/p0而改變的函數(shù)關(guān)系。 對(duì)于 ， C值雖然不可能在各種樣品上都相等，但受 C變動(dòng)的影響并不大，已由德 .博爾等人從實(shí)驗(yàn)上求得 (稱為氮吸附的公共曲線 )。 )/(=)/(?=?= 0c0cmm ppFppfttntT圖法 計(jì)算微孔分子篩的總表面積和微孔體積 采用標(biāo)準(zhǔn)化的 v— t圖法 (1)根據(jù)氮吸附數(shù)據(jù)計(jì)算 i=1,2,…,n 各點(diǎn)的 t值 。 ? ?210????????pptii???????tSt 面積 ,t面積可被視為催化劑基質(zhì) (非微孔部分 )表面積 。 (3)計(jì)算 BET表面積 。 mV 3 5 34 B E T .?表面積其中 Vm是單分子層吸附量 ,根據(jù) P/V(P0P)P/P0作圖得到的截距求得 (2)根據(jù)得到的 t圖求出斜率 St(外表面積 )和截距 It(孔體積 ), 并計(jì)算 t面積 , (4)計(jì)算分子篩表面積 (微孔表面積 )和微孔體積 , 分子篩表面積 =BET表面積 t面積 微孔體積 = 103 It. 升數(shù)氮?dú)饽酆蟮囊簯B(tài)氮毫是標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下 ml10015470 .典型多孔固體的 v— t曲線 圖 1 圖 2 圖 3 圖 4 截距 :孔體積 It 斜率 :外表面積 St 微孔結(jié)構(gòu)分析 微孔充填率 θ:在單一吸附質(zhì)體系 ,吸附勢(shì)作用下 ,吸附劑被吸附質(zhì)充占的體積分?jǐn)?shù)是吸附體積Ｖ與極限吸附體積Ｖ 0之比 ,定義為微孔充填率 θ. ???????????????nAkVV?? ex p0 式中 β是親和系數(shù) , (對(duì)于苯為 1)。 ｎ為系數(shù) , (活性炭 苯體系的ｎ為 2)。 ｋ為特征常數(shù) A為固體表面吸附勢(shì) DubininRadushkevich(DR)方程 : ? ?ppRTGA 0ln????1)DR方程 DR方程的對(duì)數(shù)表達(dá)式 ? ?? ? 200 lglglg ppkVV ??? ?? ? 2039。 lglglg ppkVV m ??作 lgV[lg(p0/p)]2圖 ,得截距 lgV0,可計(jì)算出微孔體積 V0 作 lgV[lg(p0/p)]2圖 ,得截距 lgVm,可經(jīng)過 Vm計(jì)算出微孔表面積 ,相對(duì)壓力 p/p0一般小于 102 Kaganer對(duì) DR