金閘管及其電路ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-03 04:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 路中，U2=220V， RL=3?,可控硅控制角 ?=15~180?，求輸出電壓平均值 Uo的調(diào)節(jié)范圍，以及可控硅（包括二極管）的電流平均值的最大值和承受的最大反向電壓。 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + 2co 2??= UUL =191V， ?=15? =0V， ?=180? L L L R U I = =191/3=64A UDRM= 2 2 U 承受的最高反向電壓 : =311V *二、電感性負(fù)載橋式可控整流電路 該電路加續(xù)流二極管后電路工作情況以及負(fù)載上的電流、電壓和電阻性負(fù)載類似。 u2 T1 T2 D1 D2 D uL R L 兩種常用可控整流電路的特點(diǎn) 電路 特點(diǎn) 1. 該電路只用一只晶閘管，且其上無反向電壓。 2. 晶閘管和負(fù)載上的電流相同。 電路一： u2 T D2 D1 D4 uL RL D3 T1 T2 D1 D2 u2 uL R L 電路 特點(diǎn) 1. 該電路接入電感性負(fù)載時， D D2 便起續(xù)流二極管作用。 2. 由于 T1的陽極和 T2的陰極相連，兩管控制極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號。 電路二： * 晶閘管的保護(hù) 晶閘管承受過電壓的能力極差， 電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，會產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。 晶閘管的主要缺點(diǎn)： 過流、過壓能力很差。 晶閘管的熱容量很小 ，一旦過流，溫度急劇上升，器件被燒壞。 例如：一只 100A的晶閘管過電流為 400A時，僅允許持續(xù) ，否則將被燒壞； 一、過流保護(hù)措施 快速熔斷器： 電路中加快速熔斷器。 過流繼電器： 在輸出端裝直流過電流繼電器。 過流截止電路： 利用電流反饋減小晶閘管的 導(dǎo)通角或停止觸發(fā)，從而切斷過流電路。 接在 輸出端 接在 輸入端 和晶閘 管串聯(lián) ~ 阻容吸收 硒整流堆 二、過壓保護(hù) ： 利用電容吸收過壓。即將過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中，然后由電阻消耗掉。 ： 硒堆為非線性元件，過壓后迅速擊穿，其電阻減小，抑制過壓沖擊。 硒 堆 ~ R C R R C C 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路 . 單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)和伏安特性 結(jié)構(gòu) 等效電路 E （發(fā)射極） B2 （第二基極） B1 （第一基極） N P E B2 B1 RB2 RB1 管內(nèi)基極 體電阻 PN結(jié) ： 當(dāng) uE UP = UA+UF 時 PN結(jié)反偏， iE很??； 當(dāng) uE ? UP 時 PN結(jié)正向?qū)?, iE迅速增加。 ? 分壓比 ( ~ ) UP 峰點(diǎn)電壓 UF PN結(jié)正向 導(dǎo)通壓降 ? BBBBBBBAURRRUU?=??=211B2 E RB1 RB2 B1 A UBB iE uE 3. 單結(jié)晶體管的特性和參數(shù) iE uE UV UP IV UV、 IV 谷點(diǎn)電壓、電流 （維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小 電壓、電流。） UP 峰點(diǎn)電壓 （單結(jié)管由截
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