mems微機(jī)電系統(tǒng)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:19 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 。 （ 1）各向同性腐蝕 ? 各向同性腐蝕 — 各方向上有相同的腐蝕速率 ? 作用：去除表面損傷 ? 在單晶硅上構(gòu)造結(jié)構(gòu) ? 清洗爐管 ? 常用腐蝕劑： HNA ? HF+HNO3+H2O（ HAC） ? 反應(yīng)過(guò)程： ? Si+2H+—— Si2+ ? Si2+ + 2OH—— Si（ OH） 2 ? 氫被釋放形成 SiO2 ? HF溶解 SiO2形成水溶液 H2SiF6 ? Si+HNO3+6HF=H2SiF6+H2NO2+H2O+H2 ? H2O、 HAC的作用：稀釋劑或緩沖劑； ? HAC的作用是控制 HNO3的溶解度，在使用時(shí)間內(nèi)使氧化速率保持常數(shù)（ H+的固容度一定） ? 不同組分對(duì)腐蝕速率的影響： ? HF高、 HNO3低 :腐蝕速率由 HNO3濃度控制 .開(kāi)始階段困難，易變，在一定周期內(nèi)硅表面緩慢生長(zhǎng)氧化層，腐蝕受氧化 還原反應(yīng)控制，趨于依賴晶向 . ? HF低、 HNO3高：腐蝕速率受 HF溶解形成的SiO2的速率控制 .反應(yīng)有自鈍化特點(diǎn)，表面覆蓋 SiO2（ 30~50A）基本限制來(lái)自去除硅的復(fù)合物腐蝕各向同性、拋光作用 (2)各向異性腐蝕 ? 各向異性腐蝕 — 腐蝕速率依賴于單晶晶向 ? KOH+肼（聯(lián)胺） ? 乙二胺 +鄰苯二酚（ EDP） ? 沿特定晶向腐蝕 ? 對(duì)硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率 ? 有機(jī)腐蝕劑： ? EPW（乙二胺 +鄰苯二酚 +H2O），聯(lián)胺 ? 無(wú)機(jī)腐蝕劑： ? 堿性腐蝕液（ KOH， NaOH， LiOH， CsOH，NH4OH） ? 濕法各向異性腐蝕硅片常用的腐蝕液如下： ? （ 1） KOH系統(tǒng) 。 常用 KOH、 H2O和 （ CH3） 2CHOH（ 異丙醇 ， IPA） 的混合溶液 。 其腐蝕反應(yīng)方程式為 ? 在腐蝕過(guò)程中含水硅化物與異丙醇形成可溶解的硅絡(luò)合物離開(kāi)硅的表面 。 例如對(duì)于 85℃ 下的 KOH（ 44 g/100 mL水 ） ， 腐蝕速率為 μ m/min， 各向異性比 （
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