cwindowsmicrosystemscd_memsexe(編輯修改稿)
2024-11-29 17:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 貌改變 理想的情況是膜版的形狀被準確的復制到樣品表面、各向同性刻蝕總是會擴大形狀。化學各向異性刻蝕蝕利用晶向選擇性、所以只有準確與晶向對準才能得到準確的形狀、利用粒子濺射可以用等離子體狀態(tài)來控制各向異性刻蝕。 但是濺射也會因實際情況存在型貌精度問題。 由于濺射率角度依存性導致斜面化 即使開始時光刻膠是垂直壁，也會有在膠邊緣產(chǎn)生斜面的傾向。實際上膠邊緣總是會成圖示圓角，圓角處刻示率較高所以消耗快，原因是入射角 60度時刻蝕率比正入射高 1倍。經(jīng)過圖示幾個階段的變化，最后影響得到的樣品型貌。 Ditching現(xiàn)象 當光刻膠側面不垂直于樣品表面時 (經(jīng)常會這樣 )，粒子在側面的掠射會導致根部刻蝕速度快的問題。當然據(jù)估計只有 5%，所以在刻蝕深度不太大的情況下不會太嚴重。 Redeposition現(xiàn)象 物理刻蝕總結 在物理刻蝕中，包括離子刻蝕或濺射和離子束刻蝕， Ar離子等惰性氣體被電離后在電場中加速后導向襯底實現(xiàn)刻蝕。能量高適用面廣、但選擇性差、刻蝕率在每分鐘數(shù)百唉 (比 RIE每分鐘數(shù)千唉到 6um每分要慢 )。需要注意的問題有 Facets、 ditching和redeposition。 由于能量高、所以有時會有結構的轟擊損傷、但一般熱處理可以消除。隨著器件復雜化、包含各種化學成分、惰性離子刻蝕或離子束濺射刻蝕會更加重要。 化學干刻蝕 (等離子體刻蝕 ) 等離子體腐蝕設備可分為圓筒式和平板式 （ 又叫二極管式 ） 兩種 。
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