mis結構ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:18 本頁面
【文章內容簡介】 反型出現(xiàn) Bs VV ?表面弱反型時?????????????????????????iAsiAsnNqkTVnNqTkVln2ln表面強反型條件為表面弱反型條件為因此VG0 VS0, VG=0, VG0, VG0 多子堆積 , 平帶 , 多子耗盡 , 反型少子堆積 VG變化 ?VS變化 ?能帶彎曲 ?電荷分布變化 4． N型半導體表面空間電荷層的四種基本狀態(tài) 1) VG0 ,VS0 能帶下彎， ns (n0)n 多子的堆積 ??? ?? ?????????KTqVsKTqVsssseppennV000EF 2) VG=0， VS=0 平帶 ?????????KTVqsKTVqsssseppennV||0||003) VG0， VS0 能帶上彎， ns (n0)n 為電子勢壘 + + + 電離施主 4) VG0 + + 176。176。 176。 空穴 表面處形成了 p型材料，即 反型層 多子耗盡 EF Ei 弱反型： nsps(no)n 強反型： ps(no)n EF 167。 MIS結構的 CV特性 一、理想的 MIS結構的 CV特性 1．總電容 C VG=V0+VS 在 MIS結構上加電壓 VG后，電壓 VG的一部分Vo降在絕緣層上，而另一部分降在半導體表面層中，形成表面勢 Vs，即 因是理想 MIS結構，絕緣層內沒有任何電荷，絕緣層中電場是均勻的，以 表示其電場強度，顯然 0E000 dEV ?d0 絕緣層厚度 00CQV s???由高斯定理 00 ??roMQE ?QM金屬表面的面電荷密度 , ?0r 絕緣層的相對介電常數(shù) 000000000???? rsrM dQdQdEV ????Qs半導體表面的面電荷密度 Co 絕緣層電容 0000 dCr ???00s0000r ??00 ??ro000000000???? rsrsCCC1110??0ssMsGGsd Q d QdQCdQd V d VdVC?? ? ? ????ssG VCQV ???0MIS結構電容 Cs為半導體空間電荷區(qū)電容 sssss VQVQCdddd???0sGsdQdV dVC? ? ?MIS結構電容相當于絕緣層電容和半導體空間電荷層電容的串聯(lián) MIS結構的等效電路 0C0dsCGVssCCCCC??00sCCCC00 11??0CC 稱為 歸一化電容 2． 表面空間電荷區(qū)的電場和電容 表面空間電荷區(qū)的電場： ???????????popoDpnKTqVFqLKT)()(,2F函數(shù) 空間電荷層中電勢滿足的泊松方程 022 )(dd???rsxxV ??εrs半導體的相對介電 常數(shù) , ?(x)空間電荷密度 xVEdd??V0, 取正 。 V0, 取負 2/120)(2?????????porsDpqKTL??稱為德拜長度 其中： 2/11)()(1)()(,???????????????????????????????????????KTqVepnKTqVepnKTqVFKTqVpopoKTqVpopoV=Vs時 , 半導體表面處的電場強度 ???????????poposDspnKTqVFqLKT)()(,
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