靜息電位第三章動(dòng)作電位(編輯修改稿)
2025-05-29 04:12 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 神經(jīng)元膜去極化電刺激引起的電緊張電位及少量 Na+通道開(kāi)放，少量 Na+內(nèi)流引起的閾電位以下的去極化反應(yīng)局部電位類型：1.電刺激引起的局部電位2.感受器電位3.突觸電位 (synapticpotential)：指神經(jīng)信號(hào)在神經(jīng)元間進(jìn)行傳遞過(guò)程中，由突觸前神經(jīng)元釋放的神經(jīng)遞質(zhì)，作用于突觸后神經(jīng)元所引起的突觸后膜點(diǎn)位的變化，根據(jù)變化不同，可分為興奮性的去極化和抑制性的超極化。4.效應(yīng)器點(diǎn)位5.自發(fā)膜電位6.局部電流引起的膜電位變化二、 局部電位的特性1. 等級(jí)性：又稱作刺激強(qiáng)度依賴性2.電緊張擴(kuò)布性：也稱局限性，隨著擴(kuò)布距離增大而衰減。3.總和性：時(shí)間性總和、空間性總和第三節(jié) 動(dòng)作電位及產(chǎn)生機(jī)制The mechanism underlying AP一、動(dòng)作電位（ actionpotential,AP)的概念和特征動(dòng)作電位：是神經(jīng)元在靜息電位基礎(chǔ)上，受到刺激后膜電位所發(fā)生的快速翻轉(zhuǎn)和復(fù)原的過(guò)程，是一種可傳導(dǎo)的電信號(hào)。特征： 同一細(xì)胞內(nèi)的 AP的大小不隨刺激強(qiáng)度 而改變 2. 全幅式傳導(dǎo)性 3. 不可疊加性 二、動(dòng)作電位的過(guò)程和成分動(dòng)作電位由三部分組成：局部電位鋒電位：去極化相負(fù)極化相后電位：去極化后電位超極化后電位? 極化狀態(tài) ( polarization )： 將靜息狀態(tài)下細(xì)胞膜跨膜電位內(nèi)負(fù)外正的狀態(tài) ；? 超極化 ( hyperpolarization )： 膜 內(nèi)負(fù)電位增大 (例如從 70mv變?yōu)?90mv) ? 去極化 (depolarization)： 膜內(nèi)負(fù)電位減小 (例如從 70mv變?yōu)?60mv) ? 復(fù)極化 (repolarization)： 細(xì)胞膜去極化后再向原來(lái)靜息電位方向恢復(fù)? 動(dòng)作電位 ( action potential)： 在原有靜息電位的基礎(chǔ)上，膜電位發(fā)生的迅速的倒轉(zhuǎn)和恢復(fù)? 鋒電位 (spike )： 動(dòng)作電位是細(xì)胞興奮的表現(xiàn)，主要表現(xiàn)為一個(gè)尖鋒形的電位波動(dòng)１．相關(guān)概念三、動(dòng)作電位產(chǎn)生的離子機(jī)制（一）鋒電位的離子機(jī)制1鋒電位產(chǎn)生的條件：神經(jīng)元的 RP是鋒電位產(chǎn)生的基礎(chǔ)細(xì)胞外的 Na+濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于細(xì)胞內(nèi) Na+濃度 [Na+]o[Na+]I刺激引起 Na+通道開(kāi)放2鋒電位幅度和 Na+平衡電位（ ENa)鋒電位頂點(diǎn)的膜電位水平是由 ENa決定的鋒電位的上升支是由 Na+內(nèi)流所致鋒電位的下降支，是由上升支去極化導(dǎo)致大量電壓門控 K+通道開(kāi)放，在電壓差和濃度差的共同驅(qū)動(dòng)下，大量 K+外流產(chǎn)生負(fù)極化 ?Na+學(xué)說(shuō)?鋒電位超射與 ENa+接近?降低鈉離子濃度降低鋒電位幅度
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