清華大學模電ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 08:09 本頁面
【文章內容簡介】 (3) 本征激發(fā) 復合 本征半導體中的 自由電子濃度 ni空穴濃度 pi總是 相等 的 溫度 ni pi 導電能力 可制作熱敏元件 影響半導體器件的穩(wěn)定性 光照 ni pi 導電能力 可制作光電元件 定義：人為摻入一定雜質成份的半導體稱雜質半導體 四、雜質半導體 N型半導體（摻入 5價元素雜質） P型半導體（摻入 3價元素雜質） 分類 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 在本征半導體中摻入 5價的雜質（砷、磷、銻）就成為 N型半導體 雜質原子提供多余電子稱為施主雜質 正離子 多余電子位于施主能級在室溫下進入導帶成為自由電子 導帶 價帶 Eg禁帶 施主能級 （ 一） N型半導體 N型半導體的 特點 施主原子在提供多余電子的同時并不產生空穴，而成為正離子被束縛在晶格中不能移動，不能起導電作用 +4 +4 +4 +4 +4 +5 在室溫下，多余的電子全部被激發(fā)為自由電子，故 N型半導體中自由電子數目很高， ni大，主要靠電子導電，故稱為電子半導體。 在 N型半導體中，同樣存在本征激發(fā)，產生電子空穴對，但數目很小，自由電子濃度遠大于空穴濃度。 在 N型半導體中， 自由電子 是多數載流子（ 多子 ）空穴 對是少數載流子（ 少子 ） 。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 在本征半導體中摻入 3價的雜質（ B硼）就成為 P型半導體
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