清華大學模電ppt課件-展示頁
2025-05-10 08:09本頁面
【正文】 s等 一、半導體的特性： 雜質、溫度、光照對 ρ影響較大 定義：沒有雜質、純凈的單晶體稱為本征半導體 （一）本征半導體的共價鍵結構 Si、 Ge原子結構模型 +14 Si +32 Ge +4 價電子 慣性核 三、本征半導體 共價鍵 結構 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征激發(fā) +4 導帶 價帶 Eg禁帶 自由電子 空穴 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴帶單位正電荷 自由電子位帶單位負電荷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴也是一種載流子 自由電子 空穴 兩種載流子 在外電場作用下電子空穴運動方向相反 T=300K（ 室溫 )時 Eg(Si)= Eg(Ge)= Eg一般與半導體材料和溫度 T有關 T=0K（ )時 Eg0(
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鄂ICP備17016276號-1