材料測(cè)試方法電鏡sem詳解(編輯修改稿)
2025-05-26 12:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 放大倍數(shù)與掃描面積的關(guān)系： (若熒光屏畫面面積為 10 10cm2) 放大倍數(shù) 掃描面積 10 (1cm)2 100 (1mm)2 1,000 (100μ m)2 10,000 (10μ m)2 100,000 (1μ m)2 ★ 90年代后期生產(chǎn)的高級(jí) SEM的放大倍數(shù)已到 80萬倍左右。 SEM的主要性能 SEM的成像襯度 二次電子像襯度 背散射電子像襯度 分 襯度： 電子像的明暗程度 取決于 電子束的強(qiáng)弱 ，當(dāng)兩個(gè)區(qū)域中的電子強(qiáng)度不同時(shí)將出現(xiàn)圖像的明暗差異，這種差異就是襯度。 形貌襯度 ： 由于試樣表面形貌差別而形成的襯度。 成分襯度： 由于試樣表面不同部位原子序數(shù)不同而形成的襯度。 二次電子像襯度 SEM的成像襯度 (1)二次電子成像原理 ： 在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品 表面的核外電子。 ： 主要來自樣品表層 5~10nm深度范圍，當(dāng) 大于 10nm時(shí)，能量較低 (小于 50eV)，且自由程較短，不能逸出樣品表面，最終被樣品吸收。 數(shù)量和原子序數(shù)沒有明顯的關(guān)系 ， 對(duì)樣品微區(qū)表面的幾何形狀十分敏感。 SEM的成像襯度 二次電子產(chǎn)額最少 2 有效深度增加到 倍，入射電子使距表面 510nm 的作用體積內(nèi)逸出表面的二次電子數(shù)量增多，如： A—較深的部位，雖有自由電子，但最終被樣品吸收。 有效深度增加到 2倍，二次電子數(shù)量更多。 SEM的成像襯度 B區(qū)， 傾斜度最小，二次電子產(chǎn)額最少，亮度最低； C區(qū)， 傾斜度最大，二次電子產(chǎn)額最多，亮度最大； 二次電子形貌襯度示意圖 ★ 實(shí)際中： SEM的成像襯度 (a)有凸起的尖棱、小粒子及比較陡的斜面處，則二次電子產(chǎn)額較多，在熒光屏上這些部位亮度較大； (b)平面處，二次電子產(chǎn)額較小，亮度較低； (c)深的凹槽，雖有較多的二次電子，但二次電子不易被檢測(cè)到所以較暗。 實(shí)際樣品中二次電子的激發(fā)過程示意圖 a)凸出尖端； b)小顆粒；
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