【總結】1微電子學概論2參考書:《微電子學概論》張興/黃如/劉曉彥北京大學出版社2022年1月3本課程的目的?什么是微電子學和微電子學是研究什么的;?對微電子學的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來有一個比較清晰的認識;?初步掌握半導體物理、半導體器件物理、集成電路工藝、集成
2025-05-12 08:42
【總結】微電子學概論課程的總體概述?課程在教學體系中的地位?課程的主要內(nèi)容?參考書及資料?學習方法第一章緒論?導論?晶體管的發(fā)明?集成電路發(fā)展歷史?集成電路的分類?微電子學的特點信息時代的核心技術?導論?
2025-07-20 05:04
【總結】電子所ARP系統(tǒng)使用指南一、登陸ARP系統(tǒng)的機器必須是E1或者E2類。登陸ARP系統(tǒng)的機器最低配置要求:處理器:PIII以上,內(nèi)存:256M,硬盤:20G二、在登陸ARP系統(tǒng)前,需要確認你的DNS服務器必須是:三、如果登陸電子政務系統(tǒng)(網(wǎng)上報銷),需要將。具體如下:瀏覽器——工具——intertnet選項——安全——受信任站點——。把“對該區(qū)域中的所有站點要求服
2025-06-23 15:11
【總結】課程總結西安電子科技大學微電子學院戴顯英微電子工藝基礎?緒論(了解)?一、微電子技術發(fā)展歷史二、微電子技術發(fā)展的規(guī)律與趨勢Moore定律?1965年Intel公司的創(chuàng)始人之一GordonE.Moore預言集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律?集
2026-01-09 18:23
【總結】總復習第一章概論什么是微電子學?有什么意義?晶體管發(fā)明:1947,貝爾,肖克萊等摩爾定律集成電路分類1.數(shù)字、模擬、模數(shù)混合(按電路功能分)2.MOS,雙極,BiMOS(按器件結構類型分)3.SSI,MSI,LSI,VLSI(按規(guī)模分)4.單片,混合(按結構形式分)集成電路按器件結構可分為什
2025-12-19 23:07
【總結】發(fā)展和變化中的集成電路產(chǎn)業(yè)浙江大學微電子與光電子研究所韓雁2023年3月15日3/10/2023浙大微電子(共68頁)1.概述集成電路產(chǎn)業(yè)是一門充滿創(chuàng)新和變數(shù)的產(chǎn)業(yè)–1958年第一塊集成電路(IC)誕生,半個世紀的歷程演繹了令人興奮不已的快速進步。–IC產(chǎn)業(yè)既是一個令世人驚羨鐘愛的產(chǎn)業(yè),又是一個使人嘔
2025-12-24 10:03
【總結】微電子技術應用基礎微電子學?微電子學是電子學的一門分支,主要研究電子或離子在固體材料中的運動規(guī)律及其應用?微電子學是以實現(xiàn)電路和系統(tǒng)的集成為目的,研究如何利用半導體的微觀特性以及一些特殊工藝,在一塊半導體芯片上制作大量的器件,從而在一個微小面積中制造出復雜的電子系統(tǒng)。微電子技術微電子技術是微電子學中各項工藝技術的總稱,它包括
2025-08-04 16:16
【總結】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
2025-07-25 07:03
【總結】電流放大系數(shù)與頻率的關系對高頻信號進行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當信號電壓的振幅遠小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結】微電子科學與工程?制作人:楊恩宇介紹要點微電子的經(jīng)典書籍信息來源:百度關鍵字:微電子經(jīng)典書籍?模擬CMOS集成電路設計作者:畢查德·拉扎維?半導體制造技術作者:MichaelQuirk/JulianSerda?晶體管原理與設計作
2025-09-11 21:20
【總結】微電子技術發(fā)展的規(guī)律及趨勢Moore定律Moore定律?1965年Intel公司的創(chuàng)始人之一GordonE.Moore預言集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律?集成電路的集成度每三年增長四倍,?特征尺寸每三年縮小倍2Moore定律10G1G100M10M1M100
2025-05-15 11:12
【總結】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結】微電子工藝基礎第5章氧化工藝微電子工業(yè)基礎第5章氧化工藝本章(4學時)目標:1、掌握硅器件中二氧化硅層的用途2、熟悉熱氧化的機制3、熟悉干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點4、摻氯氧化的作用5、氧化膜質(zhì)量的檢測方法微電子工
2025-04-29 05:53
【總結】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-04-30 13:59
【總結】PN結的擊穿雪崩倍增隧道效應熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓