局部腐蝕二ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-26 01:13 本頁面
【文章內容簡介】 Pd對鈦合金有利。1— 總腐蝕速率；2— 局部腐蝕深度 縫隙腐蝕的控制措施（ 1）合理設計： 應盡可能避免造成縫隙結構，如焊代鉚 （ 2）合理選擇耐蝕性材料 （ 3）采取電化學保護措施 （ 4） 謹慎 采用緩蝕劑 晶間腐蝕 晶間腐蝕的特征 （ 1）現(xiàn)象 ：圖示（ 2）定義 ： 晶間腐蝕（ Intergranular Corrosion）是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài) 。晶間腐蝕常在 不銹鋼、鎳基合金、鋁基合金 以及 銅合金 上發(fā)生，主要在 焊接接頭 上或經(jīng)一定 加熱處理后使用時發(fā)生。 1）晶界析出第二相，造成晶界某一合金成分的貧乏化； 2）晶界析出易于腐蝕的陽極相； 3）雜質與溶質原子在晶界區(qū)偏析； 4）晶界區(qū)原子排列雜亂，位錯密度高； 5）新相析出或轉變，造成晶界處較大的內應力。 （ 3）產(chǎn)生條件與原因 晶間腐蝕的機理具有代表性的理論模型：（ 1）貧化理論；（ 2）相沉淀理論；（ 3）晶界吸附理論。 貧化理論 （ 1）奧氏體不銹鋼為例：出廠經(jīng)過 1050～ 1150℃ 加熱及淬火處理，獲得含碳量高（如 Cr18Ni9Ti中碳的固溶度約為 %）的過飽和固溶體（固溶處理）。 （ 2）在較低溫度（ 450～ 850℃ ）加熱或緩慢冷卻過程中，碳傾向于與鉻及鐵結合形成復雜的碳化物 (CrFe)23C6從過飽和的奧氏體中
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