局部腐蝕二ppt課件-在線瀏覽
2025-06-16 01:13本頁(yè)面
【正文】 陰極反應(yīng) ： O2＋ 2H2O＋ 4e→4OH －縫內(nèi) 水解 反應(yīng)： MC12＋ H2O→M(OH) 2↓＋ 2H＋ + C1驅(qū)動(dòng)力：（１）氧濃差電池；（２）閉塞電池水解酸化；（３）大陰極小陽(yáng)極。 特殊形式的縫隙腐蝕 —— 絲狀腐蝕（ 3）產(chǎn)生條件 ：1） 較高的相對(duì)濕度 金屬發(fā)生絲狀腐蝕的相對(duì)濕度范圍為 60%～ 95%，相對(duì)濕度在 80%～ 85%時(shí)通常最易引發(fā)絲狀 腐蝕。2） 涂（鍍）層存在缺陷 絲狀腐蝕通常起源于涂（鍍）層的 孔隙、機(jī)械缺陷、氣泡或較薄的邊緣處。4） 合適的溫度條件 室溫下絲狀腐蝕通常就會(huì)發(fā)生，但溫度 升高，發(fā)展速度則增加。（ 5） 絲狀腐蝕影響因素 1）環(huán)境因素（相對(duì)濕度、溫度、腐蝕介質(zhì)等）； 2）涂料、顏料、活化劑、表面處理狀態(tài)； 3）基體金屬的性質(zhì)（ 6）絲狀腐蝕控制措施 1）降低大氣環(huán)境中的相對(duì)濕度； 2）嚴(yán)格控制材料表面的預(yù)處理工藝，選用滲透性低的涂料，降低涂層孔隙率； 3）對(duì)于鋁合金，涂漆前進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理。 Pd對(duì)鈦合金有利。晶間腐蝕常在 不銹鋼、鎳基合金、鋁基合金 以及 銅合金 上發(fā)生，主要在 焊接接頭 上或經(jīng)一定 加熱處理后使用時(shí)發(fā)生。 （ 3）產(chǎn)生條件與原因 晶間腐蝕的機(jī)理具有代表性的理論模型：（ 1）貧化理論；（ 2）相沉淀理論；（ 3）晶界吸附理論。 （ 2）在較低溫度（ 450～
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