bjt的靜態(tài)特性ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 22:15 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 0V, 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，三極管處于放大狀態(tài)，發(fā)射區(qū)注入的空穴只有極小部分在基區(qū)復(fù)合，大部分被集電極收集。因此對(duì)應(yīng)于相同的 VEB，當(dāng) VEC0V時(shí)，流向基極的電流比 VEC=0V時(shí)小了，特性曲線右移。 （ 3） 從理論上講， VEC繼續(xù)增大，特性曲線還將繼續(xù)右移，但當(dāng) VEC1V,只要 VEB一定，則從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的空穴數(shù)一定，集電極上的反偏電壓已足以將發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的空穴全部收集到集電極，因此即使 VEC繼續(xù)增大， IB也不會(huì)明顯減少，特性曲線幾乎與 VCE=1V時(shí)重疊在一起。所以輸入特性曲線一般只用兩條來(lái)描述。 共發(fā)射極輸入特性曲線的特點(diǎn) ? 基區(qū)準(zhǔn)中性寬度隨外加電壓 VEB和 VCB的變化而變化的現(xiàn)象叫基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)或厄利效應(yīng)（ Early效應(yīng)） 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì) BJT特性參數(shù)的影響 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì) 共基輸入 和共發(fā)射極輸出的影響大 ? 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì) 共基輸入特性曲線 的影響大 VEB一定， VCB增加， W減小， IE增加 exp(qVCB/kT)?0 W/LB1，展開(kāi) 小量忽略 展開(kāi)去一級(jí)小量 ?基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì)共發(fā)射極輸出的影響大 CB結(jié)反向電壓增加， W減小， ?隨 VEC的增加而增加， IB給定后， IC隨 VEC的增加而略有增加 CE OBCE OCpC IIIII ???? ?基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì)共基輸出和共發(fā)射極輸入影響小。 C B OEdcC III ?? ?W的變化對(duì) ?dc的影響非常小， ICBO也與 W的變化幾乎無(wú)關(guān)，所以基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)對(duì)共基輸出特性影響較小 ? 晶體管的摻雜和偏置模式對(duì)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的靈敏度： NENBNC,EB 結(jié)耗盡區(qū)主要在 B區(qū)，VEB很小，對(duì)基區(qū)寬度調(diào)制影響小， CB結(jié)的耗盡層寬度大部分位于 C區(qū)，使對(duì)基區(qū)寬度調(diào)制的影響減小到最小。但是若在倒置模式下工作，基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)將會(huì)很明顯。 ? 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)最終導(dǎo)致的 W?0的物理狀態(tài)。穿通發(fā)生， EB結(jié)和 CB結(jié)就靜電聯(lián)結(jié)在一起，導(dǎo)致大量的載流子從發(fā)射區(qū)直接注入集電區(qū)，擊穿電壓和穿通電壓先發(fā)生者決定了BJT的 VCBO和 VCEO 電場(chǎng) E VEBO:集電極開(kāi)路，發(fā)射極 基極擊穿電壓。 VCEO:基極開(kāi)路，集電極 發(fā)射極的擊穿電壓。 VCBO：發(fā)射極開(kāi)路，集電極 基極的擊穿電壓 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)流過(guò) CB結(jié)的飽和電流 基極開(kāi)路時(shí)流過(guò) CB結(jié)的飽和電流 4。 雪崩倍增和擊穿 ? 共基極： 放大模式下，加在 CB結(jié)的電壓增加，穿過(guò) CB耗盡 區(qū)的載流子增加，獲得的動(dòng)能增加，碰撞晶格離子產(chǎn)生更多載流子，發(fā)生雪崩擊穿。 倍增系數(shù) mBRAVVM][11?? m=36 低摻雜邊NV BR 1?非對(duì)稱(chēng)摻雜結(jié) 共發(fā)射極擊穿 共發(fā)射極擊穿電壓 VCEOVCBO 0注入基區(qū)的空穴 1擴(kuò)散到 CB結(jié)邊界 2空穴碰撞 CB耗散區(qū)內(nèi)的晶格，產(chǎn)生電子空穴
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