mosfet基礎(chǔ)1mos結(jié)構(gòu),cv特性(編輯修改稿)
2025-05-23 08:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 數(shù)差 ? 氧化層中存在凈的空間電荷 ? 平帶電壓 ? 定義：使半導(dǎo)體表面能帶無彎曲需施加的柵電壓 ? 來源：金屬與半導(dǎo)體之間的功函數(shù)差，氧化層中的凈空間電荷 單位面積電荷數(shù) 金屬上的電荷密度 23 MOS電容 平帶電壓 :公式 G o x sVV ?? ? ? ?柵 電 壓oxssoxmoxssmCQCQVQ39。Q39。39。039。?????電中性條件oxssmsGFBCQVVs39。| 0??? ???平帶電壓)039。00???恒（，則若ssFBmsQV?Vox0+?s0= ? ms 零柵壓時： 00( ) ( )ox ox s sox s m sVVV????? ? ? ?? ? ?單位面積電荷數(shù) 金屬上的電荷密度 24 小節(jié)內(nèi)容 ? 平帶電壓 ? 來源 ? 定義 ? 如果沒有功函數(shù)差及氧化層電荷 ,平帶電壓為多少 ? ? 如何算 25 MOS電容 閾值電壓 :公式 mssoxG VV ?? ???柵電壓柵氧化層電容）平帶電壓氧化層電荷半導(dǎo)體摻雜濃度＋＋－閾值電壓,(2|39。|2|39。|2||m axm ax2ox2GfVCQCQ39。CQVVVfpFBoxSDmsfpoxssoxSDmsfpTNfpsfps????????????????????39。 | 39。 | 39。m s D s soxo x o x o xQ Q QVC C C? ? ?柵 氧 化 層 電 壓閾值電壓： 達到 閾值反型點 時所需的柵壓 表面勢 =費米勢的 2倍 |QSDmax|=e Na xdT QSD ns 39。 | 39。 |m ss sDQ 39。 Q Q??電 中 性 條 件忽略反型層電荷 26 MOS電容 閾值電壓 :與摻雜 /氧化層電荷的關(guān)系 P型襯底 MOS結(jié)構(gòu) Q‘ss越大，則 VTN的絕對值越大； Na越高，則 VTN的值（帶符號）越大 Na很小時， VTN隨 Na的變化緩慢，且隨 Q’ss的增加而線性增加 Na很大時， VTN 隨 Na 的變化劇烈，且與 Q’ss 的相關(guān)性變?nèi)? 27 MOS電容 閾值電壓 :導(dǎo)通類型 VTN0 MOSFET為增強型 VG=0時未反型，加有正柵壓時才反型 VTN0 MOSFET為耗盡型 VG=0時已反型，加有負柵壓后才能脫離反型 P型襯底 MOS結(jié)構(gòu) 28 MOS電容 閾值電壓 :n型襯底情形 02|39。|2|39。| m a
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