mosfet基礎(chǔ)1mos結(jié)構(gòu),cv特性-文庫吧
2025-04-11 08:59 本頁面
【正文】 區(qū)厚度 表面勢 n型襯底 13 MOS電容 空間電荷區(qū)厚度 :與摻雜濃度的關(guān)系 實際器件參數(shù)區(qū)間 14 小節(jié)內(nèi)容 ? 耗盡層厚度 ? 耗盡情況 ? 反型情況 ? 會算其厚度 ? 了解閾值反型點條件 ? 常用器件摻雜范圍 15 MOS電容 功函數(shù)差 :MOS接觸前的能帶圖 金屬的功函數(shù) 金屬的費米能級 二氧化硅的禁帶寬度 二氧化硅的電子親和能 硅的電子親和能 0 2 gs Fs fpEW E E e e??? ? ? ? ?)2(fpgmsmmseEeWW??????????（電勢表示）差金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)0m F m mW E E e?? ? ?金 屬 的 功 函 數(shù)半 導(dǎo) 體 的 功 函 數(shù)絕緣體不允許電荷在金屬和半導(dǎo)體之間進行交換， 16 MOS電容 功函數(shù)差 :MOS結(jié)構(gòu)的能帶圖 條件：零柵壓， 熱平衡 零柵壓下氧化物二側(cè)的電勢差 修正的金屬功函數(shù) 零柵壓下半導(dǎo)體的表面勢 修正的硅的電子親和能 二氧化硅的電子親和能 17 MOS電容 功函數(shù)差 :計算公式 0039。 ( 39。 )2()gm s m fpox SEeV? ? ? ??? ? ? ?? ? ?)cm10,K3 0 0(V2 2 :SiS i OAl:Si39。:S i OSi39。:S i OAlms314222?????????????????afpgmNTE00b i o x SVV ?? ? ?內(nèi)建電勢差： ms??功函數(shù)差 18 MOS電容 功函數(shù)差 :n＋ 摻雜多晶硅柵 (PSi) 0 近似相等 n+摻雜至簡并 簡并： degenerate 退化，衰退 19 MOS電容 功函數(shù)差 :p＋ 摻雜多晶硅柵 (PSi) p+摻雜至簡并 ≥0 20 MOS電容 功函數(shù)差 :n型襯底情形 負(fù)柵壓的大小 21 MOS電容 功函數(shù)差 :與摻雜濃度的關(guān)系 型襯底型襯底同樣?xùn)烹姌O材料下的pn ?ms?Aup o l ypAlp o l yn：SipAlp o l ynAup o l yp：Sin||??????????型型同樣襯底材料下的 ms?0A l)p o ly ,n??ms?對多數(shù)應(yīng)用（22 MOS電容 平帶電壓 :定義 ? MOS結(jié)構(gòu)中半導(dǎo)體表面能帶彎曲的動因 ? 金屬與半導(dǎo)體之間加有電壓（柵壓） ? 半導(dǎo)體與金屬之間存在功函
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