word版可編輯-ti杯省級電子設(shè)計(jì)競賽a題lm省一等精心整理(編輯修改稿)
2025-04-23 23:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 81。F 陶瓷電容器。使用陶瓷電容器，輸入紋波電壓將為三角波。輸入紋波電壓可近似表示為：?Vin=Iout4fSWCin降低紋波的方法還有：開關(guān)電源的濾波電容優(yōu)選X7R或X5R電容與鉭電解的組合。做好PCB的設(shè)計(jì)。儲能電感在工作頻率下的Q值越大越好，很多人只注意到電感量，其實(shí)Q值的影響要大得多，電感量只要滿足要求允許在很大范圍內(nèi)波動。 DCDC變換方法 采用同步降壓斬波變換方法，具體實(shí)現(xiàn)電路見附錄圖1開關(guān)場效應(yīng)管的選擇：選擇導(dǎo)通電阻小的CSD18532KCS MOS場效應(yīng)管, 這款 VGS 柵源電壓 177。20 V 60V， ? 功率MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低測得功率損耗，完全滿足電路要求。肖特基二極管的選擇：選擇4819型肖特基二極管，其導(dǎo)通壓降小，通過1A電流時(shí)，僅為 V并且恢復(fù)時(shí)間短。LM5117采用對輸出電流取樣后，反饋到芯片F(xiàn)B端，與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較放大后控制PWM占空比從而進(jìn)行穩(wěn)壓控制。若從輸出端取樣的信號經(jīng)片內(nèi)比較放大后對PWM的控制是相當(dāng)慢的(注意片內(nèi)運(yùn)放輸出端到FB引腳的所謂頻率補(bǔ)償元件)，而經(jīng) Rs電流取樣的內(nèi)環(huán)反饋速度很快，這部分電路是對PWM每個(gè)周期中的電流進(jìn)行比較。因此輸入電壓Vin突然變化時(shí)，電流反饋 的內(nèi)環(huán)在一個(gè)PWM周期后就會動作而改變PWM占空比，而外環(huán)速度慢，要經(jīng)過幾十個(gè)甚至幾百個(gè)PWM周期才會使輸出(電壓或電流)穩(wěn)定。但內(nèi)環(huán)速度雖然快，卻不能使輸出(電壓或電流)穩(wěn)定在一個(gè)最終的誤差很小的數(shù)值。因此選擇使用Rs取樣反饋進(jìn)行穩(wěn)壓控制。在該電路中我們根據(jù)輸入16V輸出5V，3A的情況下進(jìn)行參數(shù)計(jì)算，電路圖見附錄首先選定 230 kHz 作為小尺寸和高效率之間的合理折中方案。用以下的公式可以計(jì)算出 230 kHz 開關(guān)頻率下的 Rt值： Rt=109230103948=所以Rt 選定了 k? 的標(biāo)準(zhǔn)值。最大電感紋波電流出現(xiàn)在最大輸入電壓時(shí)。通常情況下， 20％ 至 40％ 的滿載電流是在磁芯損耗和電感銅損之間一個(gè) 很好的折中方案。較高的紋波電流可以使用較小尺寸的電感器， 但為了平滑輸出的紋波電壓，輸出電容要承擔(dān)更大的負(fù)荷。 對于這個(gè)例子，選擇的紋波電流為 9A 的 40％Lo=VoutIpp(max)fsw1V
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