認(rèn)證考試助理考卷(編輯修改稿)
2025-04-21 07:58 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 51單片機(jī)的P0～P3四個(gè)I/O端口，在作輸入接口使用時(shí)，均需由CPU向其寫(xiě)入“1”，以免誤讀。15. 低通濾波電路對(duì)信號(hào)的相移為正值，即輸出信號(hào)的相位要落后于輸入信號(hào)一個(gè)相角。16. 已知倍壓整流濾波電路如圖示，已知輸入的交流電壓為10伏，則二極管D1的耐壓為： A、大于10V B、 C、大于20V D、17. 邏輯代數(shù)中，存在下述關(guān)系：A+BC=(A+B)(A+C)。18. 74LS47是輸出低電平有效的7段字形譯碼器，與其相配合使用的LED數(shù)碼管應(yīng)為共陰接法。19. 在共e、共b、共c三類(lèi)放大器中，通頻帶最寬的是放大器，通頻帶最窄的是放大器。20. （本題為簡(jiǎn)答題，標(biāo)準(zhǔn)分5分） 已知電流/電壓（I/V）轉(zhuǎn)換電路如圖示，請(qǐng)回答： 1. 計(jì)算A點(diǎn)電壓變化值。 2. 運(yùn)放起什么作用？計(jì)算放大倍數(shù)。 3. 計(jì)算輸出電壓V0之變化值。21. SRAM和DRAM均為RAM存儲(chǔ)器，二者的容量與讀寫(xiě)速度為： A、SRAM有極高的讀寫(xiě)速度及大容量 B、DRAM有極高的讀寫(xiě)速度及大容量 C、SRAM有極高的讀寫(xiě)速度，DRAM有更大的容量 D、DRAM有極高的讀寫(xiě)速度，SRAM有更大的容量22. 用示波器測(cè)量晶體振蕩電路時(shí)，造成振蕩器停振，可能的原因?yàn)椋?A、晶體振蕩電路的輸出電阻過(guò)低 B、示波器的頻帶寬度不夠 C、示波器的高頻等效阻抗偏低
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