擴散製造工程ppt課件(編輯修改稿)
2025-04-18 01:43 本頁面
【文章內容簡介】 水氣所生成或超潔淨去離子水洗淨後所生成。 近幾年來，由於元件尺寸的不斷微縮化，傳統(tǒng) RCA清洗製程不斷被改良，各式不同設計的清洗機臺陸續(xù)推出並被用作量產機臺。單片式清洗機臺及物理刷洗機臺也是現(xiàn)今普遍應用的洗淨方式，而除了濕洗清洗製程外，近來也有乾式清洗製程被開發(fā)應用。目前半導體工廠常見的清洗機臺有： (Wet Clean Station)濕式洗淨站 (Wet Clean Station) 洗淨站的設備是依半導體工廠之製程需求量身訂製的，一旦洗淨槽的配置定型後，清洗製程的變化性就會受到限制；但若因製程變化而裝設許多洗淨槽，那對無塵室空間安排會造成困擾。 晶圓不一定會進入每個化學槽做清洗，但一旦經過某一個化學槽之後，就必須要再進入某相鄰的 DI水洗清槽。晶圓經 DI水洗淨後，必須監(jiān)控其水阻值，以確?；瘜W容易已洗淨，一般而言至少須達 16MΩ以上。圖 酸洗站示意圖 圖片來源 : 簡禎富 (2022)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術與管理單槽全流式清洗機 此類清洗裝置和單槽式清洗機最大的差異就是晶圓放置於密閉容器內停止不動，而非高速轉動，其乾燥技術是類似馬南根尼乾燥法，而非高速旋乾。每批次可清洗 8晶圓 100片，每次新鮮的酸液由密閉容器下方注入，清洗完後由密閉容器上方壓出排掉，最後再經 IPA乾燥步驟，使晶圓由上往下逐漸脫水乾燥 單槽式噴洗機 此類清洗機臺的特點是體積小，佔用無塵空間不大，其每批次可清洗 8吋 1晶圓 100片，且每次晶圓的清洗皆使用新鮮的化學品。由於此為單槽式清洗裝置，在程式進行轉換不同化學溶液時，必須確定化學管路、噴洗柱及清洗槽皆已沖洗乾淨，再壓入不同種類的化學溶液，否則極易產生為微塵污染。其晶圓乾燥是利用伯努利原理。單片式旋轉蝕刻清洗機 一次只處理一片晶圓之清洗、晶圓可翻面以便做晶背之蝕刻清洗為其最大特點。主要功用是可做為晶圓之蝕刻，能得到良好之蝕刻均勻性。
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