擴散製造工程ppt課件-文庫吧資料
2025-03-28 01:43本頁面
【正文】 長晶過程後所留下的氧雜質(zhì)，經(jīng)過熱處理製程後，基板表面附近的氧原子會擴散至晶圓基板外，形成一個低氧含量區(qū)稱為無缺陷領(lǐng)域。 。 閘極氧化層在半導體製造過程扮演重要角色。而不同化學溶液做轉(zhuǎn)換時，也必須使用 DI水洗淨。 其機臺配置可有三種不同的化學溶液儲槽。單片式旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機 一次只處理一片晶圓之清洗、晶圓可翻面以便做晶背之蝕刻清洗為其最大特點。由於此為單槽式清洗裝置，在程式進行轉(zhuǎn)換不同化學溶液時，必須確定化學管路、噴洗柱及清洗槽皆已沖洗乾淨，再壓入不同種類的化學溶液，否則極易產(chǎn)生為微塵污染。圖 酸洗站示意圖 圖片來源 : 簡禎富 (2022)， 國立清華大學出版社，半導體製造技術(shù)與管理單槽全流式清洗機 此類清洗裝置和單槽式清洗機最大的差異就是晶圓放置於密閉容器內(nèi)停止不動，而非高速轉(zhuǎn)動，其乾燥技術(shù)是類似馬南根尼乾燥法，而非高速旋乾。 晶圓不一定會進入每個化學槽做清洗，但一旦經(jīng)過某一個化學槽之後，就必須要再進入某相鄰的 DI水洗清槽。單片式清洗機臺及物理刷洗機臺也是現(xiàn)今普遍應用的洗淨方式，而除了濕洗清洗製程外，近來也有乾式清洗製程被開發(fā)應用。 (Native Oxide)：其來源包括環(huán)境水氣所生成或超潔淨去離子水洗淨後所生成。 (Organic)：其來源有無塵室塗料揮發(fā)物、化學品雜質(zhì)、儲存容器、晶圓匣盒、光阻等。一般而言，晶圓清洗製程所要洗淨的對象包括 ： (Particle)：其來源廣泛，如晶圓基板本身、人員、環(huán)境、機器設(shè)備、反應氣體、化學品或超潔淨去離子水。多晶矽用在 MOS結(jié)構(gòu)中，作為金屬矽化物 (Polycide)與氧化層 (Oxide)的連接。說明 :物質(zhì)中原子排列的方向稱為晶格方向，當所有原子排列方向一致，稱為單晶 (Single Crystal)，如果是由很多不同方向的單晶組成，稱為多晶 (PolyCrystal)。閘極結(jié)構(gòu)中的氧化層稱為 Gate Oxide，作為分隔電極的材料。圖 ：氧化物示意圖
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