[工學(xué)]第3章門(mén)電路(編輯修改稿)
2025-03-15 21:31 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 RP的計(jì)算方法 將 n個(gè) OD門(mén)接成“線與”結(jié)構(gòu)，并考慮存在負(fù)載電流 IL的情況下，電路如圖所示 : 實(shí)際是往右流的 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 輸出高電平時(shí)： D D O H L P O H()V n I I R V? ? ? 為保證輸出高電平 VOH不能太小， RP不能太大。 D D O HP P ( m a x )O H LVVRRn I I????數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 輸出低電平時(shí)： D D O LL O L ( m a x )PVVIIR??? 為保證流入 OD門(mén)的 IOL不能超過(guò) IOL（ max） ， RP不能太小。 D D O LP P ( m i n )O L ( m a x ) LVVRRII???? 三、 CMOS傳輸門(mén) 當(dāng) N=VDD、 P=0時(shí) ， AB導(dǎo)通 當(dāng) N=0、 P=VDD時(shí) ， AB斷開(kāi) 開(kāi)關(guān)狀態(tài)受 P、 N的控制 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 CMOS傳輸門(mén)的應(yīng)用 構(gòu)成復(fù)雜邏輯電路： 作模擬開(kāi)關(guān)： 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 假定輸出端接電阻 RL，雙向模擬開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通內(nèi)阻為 RTG，則 ? 當(dāng) C=0時(shí)，開(kāi)關(guān)截止，輸入與輸出之間被切斷， vo=0。 C vI vo RL ? 當(dāng) C=1時(shí)，開(kāi)關(guān)接通，輸出電壓為 ITGLLO VRRRV??? 電壓傳輸系數(shù) KTG為 TGLLIOTG RRRVVK???模擬開(kāi)關(guān) 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 四、 三態(tài)輸出的 CMOS門(mén)電路 )(10高阻時(shí)，時(shí)，ZYNEAYNE???????1. 電路結(jié)構(gòu) 結(jié)論： 輸出端有三種可能出現(xiàn)的狀態(tài)：高阻態(tài)、高電平、低電平 ，故稱三態(tài)門(mén)。 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 2. 三態(tài)門(mén)的用途：總線連接 同一時(shí)間只允許一個(gè) EN為高電平 分時(shí)工作 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 2. 三態(tài)門(mén)的用途：實(shí)現(xiàn)雙向端口 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 CMOS電路的正確使用 1. 輸入電路的靜電防護(hù) 由于 CMOS電路輸入端的保護(hù)電路所能承受的靜電電荷和脈沖功率均有一定的限度，所以要有靜電防護(hù)。 注意下面幾點(diǎn)： ①在儲(chǔ)存和運(yùn)輸 CMOS器件時(shí)不要使用易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料和化工織物包裝，最好采用金屬屏蔽層作包裝材料。 ②組裝、調(diào)試時(shí)，應(yīng)使電烙鐵和其他工具、儀表、工作臺(tái)臺(tái)面等良好接地。操作人員的服裝和手套等應(yīng)選用無(wú)靜電的原料制作。 ③不用的輸入端不應(yīng)懸空。 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 2. 輸入電路的過(guò)流保護(hù) 由于輸入保護(hù)電路中的鉗位二極管電流容量有限，一般為 1mA,所以在可能出現(xiàn)如下較大電流的場(chǎng)合必須在輸入端接入保護(hù)電阻來(lái)限制輸入端電流。 ①輸入端接低內(nèi)阻信號(hào)源時(shí)。 ②輸入端接大電容時(shí)。 ③輸入端接長(zhǎng)線時(shí)。 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 CMOS數(shù)字集成電路的各種系列 ? 4000系列 ? 74/54HC/HCT系列 ? 74/54AHC/AHCT系列 ? 74/54VHC/VHCT系列 ? 74/54LVC/ALVC系列 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 系列 Tpd （ ns) IOL（ max）（ mA） Cpd （ pF） 備注 74HC 9 4 20 高速 CMOS系列 74HCT 14 4 20 與 TTL兼容系列 74LVC 24 8 低壓高速 CMOS 74ALVC 2 24 改進(jìn)的低壓高速CMOS 各種系列 CMOS電路 74 00特性參數(shù)比較 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 NPN PNP TTL門(mén)電路 雙極型三極管的開(kāi)關(guān)特性 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 （ 1）輸入特性 開(kāi)啟電壓 硅 — ? 鍺 — ? 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 （ 2）輸出特性 VCE（ sat） ? ic?0 截止區(qū) — VBE 飽和區(qū) — VBE, VCE 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 開(kāi) 當(dāng) VBE VON = V時(shí) ， 當(dāng) VBE V時(shí)，產(chǎn)生： ?? I O NBBVViR?? ? ? ? ?O C E C C C C C C B CV V V i R V i R關(guān) I B C OV i i V? ? ? ? ? ? ?02??() .O C E s a tV V V截止區(qū) vO=VOH ≈Vcc 放大區(qū) 飽和區(qū) 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 圖解分析法： ? ?02???????()()()().O C E satC C C E satB B S atC C E satV V VVViiRR飽和區(qū)： 臨界飽和基極電流 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 截止?fàn)顟B(tài) 飽和導(dǎo)通狀態(tài) VBE 07 ?? ? ?()., CCB E B B s a tCVV V i iR幾 Ω～幾十 Ω ～ 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 接入負(fù)壓保證 T可靠截止 數(shù)字電路 第 3章 《 數(shù)字電子技術(shù)基本教程 》 53 .60 .20 .7CCIHILONVVVVVVP N V V????結(jié) 導(dǎo) 通 壓 降0 2 01. ( )()I I LO O HV V V AV V Y? ? ?
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1