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正文內(nèi)容

[高等教育]模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課件01-3講義晶體管(編輯修改稿)

2025-02-15 18:44 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 2V, VC=9V 問(wèn):管子工作在輸出特性曲線的什么區(qū) ? (1)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏; 工作在 放大區(qū) 。 (2)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏; 工作在 飽和區(qū) 。 (3)發(fā)射結(jié)反偏;工作在截止區(qū)。 測(cè)得 PNP型、鍺 BJT的三個(gè)電極 b、 e、 c的對(duì)地電壓分別為 (1)Vb=, Ve=6V, VC=9V (2) Vb=1V, Ve=, VC= (3) Vb=8V, Ve=, VC=7V 問(wèn):管子工作在輸出特性曲線的什么區(qū) ? (1)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏; 工作在 放大區(qū) 。 (2)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏; 工作在 飽和區(qū) 。 (3)發(fā)射結(jié)反偏;工作在截止區(qū)。 ⒈ 共射極電流放大系數(shù) β β和 在晶體管的很大的一個(gè)工作范圍之內(nèi)近似相等。 β 的值一般選擇在幾十至一百多;太大,管子性能不穩(wěn)定;太小,管子放大能力差 。 ⒉ 極間反向電流 ① 集電極 — 基極反向飽和電流 ICBO ② 集電極 — 發(fā)射極反向飽和電流 ICEO ?四、晶體管的主要參數(shù)
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