【總結(jié)】電子技術(shù)基礎(chǔ)(下)(Ⅰ)第一次答案你的得分:完成日期:2022年05月30日12點(diǎn)01分說(shuō)明:每道小題括號(hào)里的答案是您最高分那次所選的答案,而選項(xiàng)旁的標(biāo)識(shí)是標(biāo)準(zhǔn)答案。一、單項(xiàng)選擇題。本大題共19個(gè)小題,每小題分,共。在每小題給出的選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的。三位二進(jìn)制數(shù)碼可以表示的狀態(tài)有()?
2025-01-09 16:18
【總結(jié)】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開(kāi)關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。?數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號(hào)。?對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱為模擬電路。?對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁(yè)完本頁(yè)完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點(diǎn)為返回返回1、發(fā)射機(jī)主振器的頻率可以降低,對(duì)穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過(guò)5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)第7章晶體管特性圖示儀本章要點(diǎn)§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測(cè)量方法§?用晶體管特性圖示儀測(cè)量二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁(yè)上
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)作用和二極管的開(kāi)關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開(kāi)關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性晶體管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開(kāi)關(guān)特性晶體管的開(kāi)關(guān)特性半
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來(lái)看,晶體管由兩個(gè)十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個(gè)P-N結(jié)將晶體管劃分為三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號(hào)E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-01 06:11
【總結(jié)】翠屏電子職業(yè)技術(shù)學(xué)校電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofElectronics11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎(chǔ)課2.特點(diǎn)?非純理論性課程?實(shí)踐性很強(qiáng)?以工程實(shí)踐的觀點(diǎn)來(lái)處理電路中的一些問(wèn)題3.研究?jī)?nèi)容以器件
2025-05-02 13:49
【總結(jié)】—多媒體教學(xué)課件模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)FundamentalsofAnalogElectronics童詩(shī)白、華成英 主編第四版童詩(shī)白11.本課程的性質(zhì)電子技術(shù)基礎(chǔ)課2.特點(diǎn)?非純理論性課程?實(shí)踐性很強(qiáng)?以工程實(shí)踐的觀點(diǎn)來(lái)處理電路中的一些問(wèn)題3.研究?jī)?nèi)容
2025-01-05 03:58
【總結(jié)】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測(cè)量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當(dāng)取決于對(duì)電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,用FET來(lái)表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【總結(jié)】晶體管開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)特性三極管的開(kāi)關(guān)特性加速電容的作用晶體管開(kāi)關(guān)特性在脈沖電路中,二極管和三極管通常作為“開(kāi)關(guān)”使用。二極管的開(kāi)關(guān)特性一、二極管的開(kāi)關(guān)作用IDI,0VVVVIR????1.正向偏置時(shí),
2024-11-21 02:22
【總結(jié)】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【總結(jié)】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46