ebsd電子背散射衍射(編輯修改稿)
2025-02-15 00:48 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 十納米范圍內(nèi)成為一個點源 。 某些背散射電子方向剛好與該晶體某特定晶格平面 （ hkl） 夾角 符合布拉格定律 ：nλ=2dsinθ產(chǎn)生衍射 ， 在 （ hkl） 也會發(fā)生上述衍射， 在三維空間中形成兩個與反射面法線成半角 (90θ)的圓錐 。 帶入典型的電子波長算出 2θ很小 ， 兩個圓錐可以看為兩個圓盤 ， 屏幕與兩個圓盤交截時形成一對平行線 ， 稱 kikuchi line(菊池帶 )。 整個菊池花樣就是由不同的菊池線對組成 。 目 錄 Contents EBSD的原理及系統(tǒng)組成 ， 所以可以由此確定晶體結(jié)構(gòu)以及空間位置 菊池衍射花樣的接收 目 錄 Contents EBSD的原理及系統(tǒng)組成 (100) (100) (110) (111) 不同晶體取向?qū)?yīng)不同的菊池花樣 目 錄 Contents EBSD的原理及系統(tǒng)組成 菊池花樣圖舉例 紅線為衍射晶面； 紅線交點代表晶帶軸 將鎳晶體單胞（代表樣品上該晶粒的取向）疊加在菊池圖上 ，藍色為 (220)面，黃色為 (020) 面，兩面交線為晶帶軸 [001]方向， 菊池極 就是晶帶軸與熒光屏交點。 目 錄 Contents EBSD的原理及系統(tǒng)組成 因為衍射圖與樣品的晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，當(dāng)晶體取向發(fā)生變化時，也一定會引起衍射圖的變化。因此菊池帶的位置可以用來計算 樣品上各點的晶體學(xué)取向。 目 錄 Contents EBSD的原理及系統(tǒng)組成 EBSD標(biāo)定過程 目 錄 Contents EBSD的樣品制備 影響 EBSD花樣質(zhì)量的因素 表面質(zhì)量 ：干凈，平整，無拋光引入的變形 狀態(tài)形變 、 再結(jié)晶 ？樣品中包含何種元素？ ：電鏡參數(shù)（高、低電壓？大、小電流束？） 參數(shù)調(diào)節(jié) ：曝光時間，噪音去除 ?由于非彈性散射電子只發(fā)生在試樣表層 幾十納米范圍 內(nèi)，故： ?試樣表面必須 不殘留 拋光造成的 加工應(yīng)變層 ，導(dǎo)電性良好； ?表面平滑、無氧化膜、無腐蝕坑等缺陷 目 錄 Contents EBSD的樣品制備 樣品表面狀態(tài)對于 EBSD觀測的影響 Ni的樣品表面，1200grit砂紙 （粒度大約為5μm） 沒有 EBSD花樣 Ni的樣品表面，拋光十分鐘后 （使用 μm 氧化
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