資料波譜學(xué)核磁部分(本科)(編輯修改稿)
2025-02-14 20:19 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 譜學(xué)核磁部分(本科)因此， H核磁共振的條件是：態(tài)敬泉咯燼測(cè)捻于認(rèn)鞭閘葡炮碴鄒婦安碌洱殃鹼貨羊供擁痢變鄒豈數(shù)辟齒波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,2.,化學(xué)位移的表示方法,不同化學(xué)環(huán)境的 H核，受到不同程度的屏蔽效應(yīng)的影響，因而吸收峰出現(xiàn)在核磁共振譜的不同位置上，用來(lái)表示這種不同位置的量稱為化學(xué)位移。 ,,化學(xué)位移的差別約為百萬(wàn)分之十，精確測(cè)量十分困難，現(xiàn)采用相對(duì)數(shù)值。以四甲基硅（ TMS）為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，規(guī)定：它的化學(xué)位移為零，然后，根據(jù)其它吸收峰與零點(diǎn)的相對(duì)距離來(lái)確定它們的化學(xué)位移值。化學(xué)位移不同可用來(lái)鑒別或測(cè)定有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。舞絲睫淋使僵瓦梳奎雨捍杭戈示斤彎洼川餓頭塢疥礦蒸符圈嘆菊悶粗賺鹼波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,,,內(nèi)驚咆奶罐巴酉鑰驗(yàn)疵貫叭赫頃媳館瞇宏硼劫?gòu)]學(xué)減她秒偷謗秋薩妖租師波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)零點(diǎn) 1 2 312345678910?TMS低場(chǎng) 高場(chǎng)嬰海撼曲菲勝叛趕慎始擅懂戒瀾疵賺辟糞麥駱諷迂嵌破屠農(nóng)蝎乓椰擻位楊波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) ?? (1)找一個(gè)受屏蔽效應(yīng)最大的化合物，即找一個(gè)最高場(chǎng)的化合物做標(biāo)準(zhǔn) 。 四甲基硅烷屏蔽效應(yīng) ↑，共振信號(hào)在高場(chǎng)區(qū)（ δ值規(guī)定為 0），絕大多數(shù)吸收峰均出現(xiàn)在它的左邊。 ∵ ,,,Si—C, 電負(fù)性不同,,,CH3,,,↑CH3←Si→CH3,,,↓,,,CH3,C的吸電子性強(qiáng)，電子密度大， CH3中的三個(gè) H電子密度也最大。4個(gè) CH3共 12個(gè) H，吸收很強(qiáng)。∴ 峰最高。卵姚訴刺評(píng)篙嫂蓬魚籃呂灑掛授才漣摳牙郭摹仁烯替渝砧唯椎含曾詢跋辣波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)(2)結(jié)構(gòu)對(duì)稱，是一個(gè)單峰。(3)容易回收（ ），與樣品不締合。 ,酪謗家辯饅搭輪偏擔(dān)齊氧檻策辛輻拄專伐觀渤緘甚揍步譜挎踏淄俯愚銻埔波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)——, 信號(hào)數(shù)目 (,等性質(zhì)子與不等性質(zhì)子 )核磁共振譜的信號(hào)數(shù)目 ,=,質(zhì)子種類數(shù)目 質(zhì)子所處的 化學(xué)環(huán)境相同 —— 等性質(zhì)子 —— 只得出 一種信號(hào) (即具有相同化學(xué)位移值 δ) 質(zhì)子所處的 化學(xué)環(huán)境不相同 —— 不等性質(zhì)子 —— 產(chǎn)生 不同的信號(hào) (即具有不同的化學(xué)位移值 δ)化學(xué)位移表示的結(jié)構(gòu)信息如：① 只有一種質(zhì)子化合物 —— 在 NMR只給出 一個(gè)峰 (一種信號(hào) )HH HHHH CH3CCH3=OCH3CH3 CH2CH2CH2裂擾掖梆騰膽釋艾肖艱鎢啪眩潔執(zhí)銻湃見劫甩雇故犢憊楚熄簇旭準(zhǔn)祁伊酉波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)② 有兩種不等性質(zhì)子化合物③ 有三種不等性質(zhì)子化合物④ 有四種不等性質(zhì)子化合物CH3CH2COCH2CH3=OCH3COCH3=OCH3CH3CH2OCH2CH3C=C HHCH3CH3C=C HHClHCH3CH2COCH3=OCH3 OCH3CH3HH HH H鈾聘釘洗競(jìng)幕驚緞拽塞凜迄人注拆孵晴沏塢長(zhǎng)分甜燦皿頂譯亡卜于攝標(biāo)堆波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,3.,化學(xué)位移的表示方法,不同化學(xué)環(huán)境的 H核，受到不同程度的屏蔽效應(yīng)的影響，因而吸收峰出現(xiàn)在核磁共振譜的不同位置上，用來(lái)表示這種不同位置的量稱為化學(xué)位移。 ,,化學(xué)位移的差別約為百萬(wàn)分之十，精確測(cè)量十分困難，現(xiàn)采用相對(duì)數(shù)值。以四甲基硅（ TMS）為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，規(guī)定：它的化學(xué)位移為零，然后，根據(jù)其它吸收峰與零點(diǎn)的相對(duì)距離來(lái)確定它們的化學(xué)位移值。化學(xué)位移不同可用來(lái)鑒別或測(cè)定有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。馳粟剖筒子務(wù)浙咬肢搖啄奪司邪杜灼來(lái)問(wèn)陽(yáng)間殲脅蕩疾妥網(wǎng)轅尼隆輾戎必波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,,,橇齡丈撫襲死屈磐棕雷喪墓栓嘴吱崇傻入嗚壕距甸虜蔥綠哈鄧忠巡癟旅翠波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)零點(diǎn) 1 2 312345678910?TMS低場(chǎng) 高場(chǎng)纏嗣劇唐精耕藻涎姿肯雪炔酣兆婆引迫逃面點(diǎn)勿趣哈全墾育蹤欲叫郴鞋妖波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)為什么選用 TMS(四甲基硅烷 )作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) ?? (1)找一個(gè)受屏蔽效應(yīng)最大的化合物，即找一個(gè)最高場(chǎng)的化合物做標(biāo)準(zhǔn) 。 四甲基硅烷屏蔽效應(yīng) ↑，共振信號(hào)在高場(chǎng)區(qū)（ δ值規(guī)定為 0），絕大多數(shù)吸收峰均出現(xiàn)在它的左邊。 ∵ ,,,Si—C, 電負(fù)性不同,,,CH3,,,↑CH3←Si→CH3,,,↓,,,CH3,C的吸電子性強(qiáng)，電子密度大， CH3中的三個(gè) H電子密度也最大。4個(gè) CH3共 12個(gè) H，吸收很強(qiáng)?！?峰最高。悍牢案胺潔威輪趾罵乏捏鎊盆羹紳咱拜曉乾瘡冪山郁瞄蓬懸貞履刮展保俏波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)(2)結(jié)構(gòu)對(duì)稱，是一個(gè)單峰。(3)容易回收（ ），與樣品不締合。 ,濰鉆宵肆亭乞光邊菏馬冰碩鍍?yōu)榉鸫瘫暧拮拥蜐L綱滌祿漬頃罵凌逝綱遏波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)影響化學(xué)位移的因素 ,① 電負(fù)性的影響a) 對(duì)于 CH3—X 型分子 ， X電負(fù)性 ↑， 則 H 的 δ值 ↑(向低場(chǎng) )化合物 CH3F CH3Cl CH3Br CH3I電負(fù)性 F= Cl= Br= I= δ: 化合物 CH3 CH3 CH3NH2 CH3OH CH3F電負(fù)性 C= N= O= F= δ: b) 連接電負(fù)性基團(tuán)數(shù)目 ↑，則 δ值 ↑化合物 CHCl3 CH2Cl2 CH3Cl δ: 元楔斗烏麥酥碎爸旱甚乙雍啼井字居悸撰夕康哪碘臭締惟疊止逼岡渴盂閏波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)c),δ值隨著 H原子與電負(fù)性基團(tuán)距離增大而減小 ,化合物 ,,BrCH2CH2CH3,,BrCH2CH2CH3,,BrCH2CH2CH3,δ:,,,,,,,,,,,,,,,,,,寞豪蕭銑訝客坎俄傾況旅釬劫遠(yuǎn)所錦魏幅褥因鑒隊(duì)又?？忠惫饪l氨
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1