太陽(yáng)能電池工藝培訓(xùn)資料(編輯修改稿)
2025-02-13 00:16 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ， KOH 3） SPC:硅片各邊的絕緣電阻 1000歐姆 刻蝕寬度： 滾輪速度范圍 ～ (注 :前清洗速度最好不要超過(guò) ，速度過(guò)快，一方面硅片清洗或吹不干凈， PECVD容易出現(xiàn)白點(diǎn)片；另一方面碎片高，有時(shí)碎片會(huì)堵住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片 ) 4）去磷硅玻璃主要反應(yīng)方程式 1: SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 2: SiF4 + HF= H2SiF6 28 ?刻蝕中容易產(chǎn)生的問(wèn)題及檢測(cè)方法 : ：邊緣漏電，并聯(lián)電阻 (Rsh)下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效 檢測(cè)方法：測(cè)絕緣電阻 : 正面金屬柵線與 P型硅接觸 ,造成短路 檢測(cè)方法：稱重及目測(cè) 29 什么是磷硅玻璃？ ?在擴(kuò)散過(guò)程中發(fā)生如下反應(yīng)： ?POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與 Si反應(yīng)生成 SiO2和磷原子： ?這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的 SiO2，稱之為磷硅玻璃。 ???? PSiOSiOP 4552 2523 2 2 5 24 5 2 6P O Cl O P O Cl? ? ? ?30 磷硅玻璃的去除 ?氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崮芘c二氧化硅作用生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。 ?若氫氟酸過(guò)量，反應(yīng)生成的四氟化硅會(huì)進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)和物六氟硅酸。 ?總反應(yīng)式為： O2HS iF4H FS iO 242 ????][ S iFH2H FS iF 624 ??O2H][ S iFH6H FSiO 2622 ???去除磷硅玻璃工藝 甩干 清洗液配制 裝片 開機(jī) 投片清洗 清洗液配制 ?將各槽中破損硅片等雜質(zhì)清除，用去離子水將各槽壁沖洗干凈。 ?1號(hào)槽中注入一半深度的去離子水，加入 13瓶商品氫氟酸，再注入去離子水至溢流口下邊緣。 ?向 2號(hào)槽中注滿去離子水。 裝片 ?經(jīng)等離子刻蝕過(guò)的硅片，經(jīng)檢驗(yàn)合格后插入承片盒。 ?注意，經(jīng)過(guò)磷擴(kuò)散處理的表面，面向承片盒的背面放置，嚴(yán)禁裝反。每盒 25片，扣好壓條，裝入包塑不銹鋼提籃 開機(jī) ?根據(jù) 《 磷腐槽操作規(guī)程 》 作業(yè)指導(dǎo)書打開電源、壓縮空氣、氮?dú)夂腿ルx子水。 ?設(shè)定 1槽時(shí)間 1分鐘， 2槽時(shí)間 6分鐘。 投片清洗 ?按照 《 磷腐槽操作規(guī)程 》 作業(yè)指導(dǎo)書的規(guī)定確定設(shè)備自動(dòng)運(yùn)行的前提條件都得到滿足。 ?將裝滿硅片的包塑不銹鋼提籃推至 0號(hào)位，按下控制板上“自動(dòng)運(yùn)行”按鈕，設(shè)備即開始自動(dòng)運(yùn)行 。 甩干 ?打開離心干燥機(jī)的電源、壓縮空氣、氮?dú)夂腿ルx子水。 ?根據(jù)下表所列工藝參數(shù)設(shè)置甩干機(jī)工作條件。 ?將裝有硅片的承片盒放入離心干燥機(jī)，按照設(shè)備操作規(guī)程進(jìn)行離心干燥。 循環(huán) 1 循環(huán) 2 溫度 ℃ N2壓力 (MPa) 空氣壓力 (MPa) Speed Time Speed Time 200
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