太陽能電池工藝培訓(xùn)資料-全文預(yù)覽
【正文】 HF， KOH 3） SPC:硅片各邊的絕緣電阻 1000歐姆 刻蝕寬度： 滾輪速度范圍 ～ (注 :前清洗速度最好不要超過 ，速度過快，一方面硅片清洗或吹不干凈， PECVD容易出現(xiàn)白點(diǎn)片；另一方面碎片高，有時(shí)碎片會堵住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片 ) 4）去磷硅玻璃主要反應(yīng)方程式 1: SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O 2: SiF4 + HF= H2SiF6 28 ?刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測方法 : ：邊緣漏電，并聯(lián)電阻 (Rsh)下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效 檢測方法：測絕緣電阻 : 正面金屬柵線與 P型硅接觸 ,造成短路 檢測方法：稱重及目測 29 什么是磷硅玻璃？ ?在擴(kuò)散過程中發(fā)生如下反應(yīng)： ?POCl3分解產(chǎn)生的 P2O5淀積在硅片表面， P2O5與 Si反應(yīng)生成 SiO2和磷原子： ?這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的 SiO2，稱之為磷硅玻璃。如果該薄層材料的電阻率為 ρ，則該整個(gè)薄層的電阻為 ?當(dāng) l=a（即為一個(gè)方塊）時(shí)，R=ρ/t。但在有外來 O2存在的情況下， PCl5會進(jìn)一步分解成 P2O5并放出氯氣（ Cl2）其反應(yīng)式如下： ? 生成的 P2O5又進(jìn)一步與硅作用，生成 SiO2和磷原子，由此可見，在磷擴(kuò)散時(shí)，為了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣 。一旦有化學(xué) 試劑傷害了員工的身體，馬上用純水沖洗 30分鐘， 送醫(yī)院就醫(yī)。 反應(yīng)式為： Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 ↑ 8 絨面光學(xué)原理 ?制備絨面的目的： 減少光的反射率，提高短路電流（ Isc），最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。角錐體四面全是由〈 111〉面包圍形成。 12 注意事項(xiàng) KOH、 HCl、 HF都是強(qiáng)腐蝕性的化學(xué)藥品，其 固體顆粒、溶液、蒸汽會傷害到人的皮膚、眼睛、 呼吸道，所以操作人員要按照規(guī)定穿戴防護(hù)服、 防護(hù)面具、防護(hù)眼鏡、長袖膠皮手套。 POCl3磷擴(kuò)散原理 20 ? 由上面反應(yīng)式可以看出， POCl3熱分解時(shí)，如果沒有外來的氧（ O2）參與其分解是不充分的，生成的 PCl5是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。 擴(kuò)散層薄層電阻及其測量 23 方塊電阻的定義 ?考慮一塊長為 l、寬為 a、厚為 t的薄層如右圖。 26 濕法刻蝕原理 : 利用 HNO3和 HF的混合液體對硅片表面進(jìn)行腐蝕 ,去除 邊緣的 N型硅 ,使得硅片的上下表面相互絕緣。 ?總反應(yīng)式為： O2HS iF4H FS iO 242 ????][ S iFH2H FS iF 624 ??O2H][ S iFH6H FSiO 2622 ???去除磷硅玻璃工藝 甩干 清洗液
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