混合微電路的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)和布圖規(guī)則(編輯修改稿)
2025-02-12 06:19 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 切力； 是漿料的黏度； 是絲網(wǎng)網(wǎng)孔邊緣漿料的速度斜率； D是網(wǎng)孔的直徑； d是網(wǎng)絲的直徑； Pa是大氣壓； M是每單位長(zhǎng)度的網(wǎng)孔數(shù)目； V是橡膠刮板的速度； a是絲網(wǎng)離開(kāi)基板的距離； S是絲網(wǎng)面積； B是印刷圖形的長(zhǎng)度 114 ( 2 ) ( ) 1 2 8 ( )maf D d d D P a V d d D P aM S B M??? ? ? ? ? ??( / )dw dr??? ?/dw dr漿料流過(guò)絲網(wǎng)的流量可表示為： 其中， v是絲網(wǎng)離開(kāi)基片的速度 絲網(wǎng)印刷膜厚的理論模型 Tw=D(2Dπ/2ma)=HA H— 網(wǎng)孔厚度； A— 百分比開(kāi)孔面積的十進(jìn)制等效值 244 2 5 6D v D P aQd????? 厚膜電阻設(shè)計(jì) 在絲網(wǎng)的作用下，厚膜漿料印刷在基板上。厚膜電阻器的阻值經(jīng)驗(yàn)公式表示為： 式中，系數(shù)的值是 ， L是電阻的長(zhǎng)度， W是電阻的寬度。 0 1210 B BBR L W?0 1 , , B B? ? ? ??真空蒸發(fā)薄膜厚度的理論模型 薄膜的形成是在真空室內(nèi)，順序地把電阻、介質(zhì)和導(dǎo)體材料從源蒸發(fā)或?yàn)R射到作為靶的基片上形成的。 薄膜厚度的理論模型 1) 點(diǎn)蒸發(fā)源 有一個(gè)小球，它向各個(gè)方向 蒸發(fā)等量的材料，則這個(gè)小 球就稱為點(diǎn)蒸發(fā)源 。設(shè)蒸發(fā) 料的蒸發(fā)量為 ，入射在 一個(gè)小接收平面 上的蒸 發(fā)料的質(zhì)量為 ，相當(dāng)于 通過(guò)立體角 的蒸發(fā)量 ( 是點(diǎn)源和接收平面周圍 連線所組成的立體角 )， 為 基板法線和基板中點(diǎn)與點(diǎn)源 連線的夾角。書(shū)上為 θ 1m2dS2dmd?d?因?yàn)? 為 在球面上的投影，則 ， 又因?yàn)辄c(diǎn)源各個(gè)方向的蒸發(fā)量均等，則 ，因此 (*) ? 1dS 2dS12 c o sd S d S ??22 1 1/ / 4dm dS m r??1 1 1 2222c o s44m d S m d Sdmrr?????若蒸發(fā)物質(zhì)的密度為 ，蒸發(fā)到基板上的膜厚為 , 則 代入（ *）式，得基板上任一點(diǎn)的膜厚 式中， 為基板上任一點(diǎn)到點(diǎn)源的距離； 為基板法線和 基板上任一點(diǎn)和點(diǎn)源連線之間的夾角； 為蒸發(fā)料的總蒸 發(fā)量。當(dāng) 在點(diǎn)源的正上方時(shí)， ；點(diǎn) 源到 的距離等于點(diǎn)源到基板架所在平面的垂直距離 ，則此時(shí)的膜厚為基板架平面內(nèi)可得到的最大膜厚： ? t22dm tdS??12c o s4mtr????r ?1m2dS 0 , cos 1????2dSh10 24mth???2)小平面蒸發(fā)源 (簡(jiǎn)稱面源 ) 小平面蒸發(fā)源的發(fā)射特性 具有方向性，在 角方向 蒸發(fā)的蒸發(fā)料質(zhì)量和 成正比。 為面源法線與 中心和面源中心連線 之間的夾角。面源的發(fā)射 范圍限為半球形空間。 ?cos??2dS對(duì)于面源， C為比例常數(shù)。將上式左右兩邊積分： 1 1 1 221 22c o s c o s c o sc o s c m d S c m d Sd m c m drr? ? ??? ? ? ?222 1 1 002110c os sin c os2 sin c osm c m d c m d dc m d c m???? ? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ???? ? ??121,m m c?? ? ?對(duì)小面積蒸發(fā)源， 若蒸發(fā)物質(zhì)密度為 ，膜厚為 ，則 聯(lián)立上兩式，得： 當(dāng) 在面源正上方時(shí)， 即 面源到 的距離等于蒸發(fā)源平面和基板架平面的垂直距離 此時(shí)膜厚為最大膜厚： 122 2c o s c o sm d Sdmr????? t 22dm tdS??12c o s c o smtr?????2dS 0 , 0 ,???? c os c os 1????2dS h10 2mth??? 損耗因素或電介質(zhì)材料的介質(zhì)損耗 1）基板的介質(zhì)損耗 介質(zhì)損耗：介質(zhì)由于交流電場(chǎng)的作用導(dǎo)致的分子間運(yùn)動(dòng)
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