波譜分析輔導(dǎo)ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-11 00:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 化學(xué)位移是由于核外電子云的 對(duì)抗磁場(chǎng) 引起的，凡是能使 核外電子云密度改變 的因素都能影響化學(xué)位移。 誘導(dǎo)效應(yīng) 共軛效應(yīng) 磁各向異性 效應(yīng) 溶劑效應(yīng)和 氫鍵 芳烴的磁各向異性效應(yīng) ?H: 環(huán)外氫受到強(qiáng)的去屏蔽作用?: ；環(huán)內(nèi) H 在受到高度的屏蔽作用，故 ?: 碳原子的雜化狀態(tài) 各類化合物中氫的化學(xué)位移有以下次序： δ ?：芳環(huán)氫 烯氫 炔氫 烷氫 雜化方式中 s成份越多，碳?xì)滏I的成鍵電子云越靠近碳原子，氫核外的電子云越少，化學(xué)位移值越大； 芳烴、雙鍵和三鍵的磁各向異性效應(yīng)。 苯（ ） 乙烯 () 乙炔 () 乙烷 () 雜化效應(yīng)和各向異性效應(yīng)協(xié)同作用的結(jié)果 （ 1） 峰的強(qiáng)度 (面積 )：每類質(zhì)子的數(shù)目 (相對(duì) )， 多少個(gè)； （ 2） 峰的位移 (? )： 每類質(zhì)子所處的化學(xué)環(huán)境， 標(biāo)志分子 中質(zhì)子的種類， 多少種 （ 3） 峰的裂分?jǐn)?shù) ： 相鄰碳原子上質(zhì)子數(shù)； （ 4）偶合常數(shù) (J)： 確定化合物構(gòu)型 。 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 RCH 2 O=CCH 2 C=CCH 2 C C CH 2 CH 2 CH 2 X CH 2 O CH 2 NO 2 C=CH ArH RCHO RCOOH C8H10 四重峰 三重峰 單峰 積分高度比 8： ： ＝ 5： 2： 3 單取代苯環(huán) C H 2 C H 3δ → 芳 H （ 1） 質(zhì)荷比 基峰：質(zhì)譜圖中離子強(qiáng)度最大的峰，規(guī)定其相對(duì)強(qiáng)度（relative intensity， RI）或相對(duì)豐度（ relative abundance， RA）為 100。 質(zhì)荷比：離子的質(zhì)量與所帶電荷數(shù)之比，用 m/z或 m/e表示。M為組成離子的各元素同位素的原子核的質(zhì)子數(shù)目和中子數(shù)目之和，如 H 1； C 12， 13； N 14， 15； O 16， 17， 18； Cl 35， 37等。 z或 e為離子所帶正電荷或所丟失的電子數(shù)目，通常 z（或 e）為 1。 （ 2） 基峰
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