回復(fù)再結(jié)晶ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 12:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 300197。 阻礙 Cu+Co+SiO2 800197。 阻礙 影響再結(jié)晶速率與再結(jié)晶溫度的主要因素之 5．原始晶粒 原始晶粒細(xì)小使再結(jié)晶速度增加，再結(jié)晶溫度 降低。 6．加熱速度 極快的加熱或加熱速度過于緩慢時(shí)，再結(jié)晶速度降低，再結(jié)晶溫度上升。 7．加熱時(shí)間 在一定范圍內(nèi)延長加熱時(shí)間會(huì)降低再結(jié)晶溫度 例： 純 Al的加熱時(shí)間與再結(jié)晶溫度的關(guān)系 ： 加熱時(shí)間 14天 40小時(shí) 6小時(shí) 1分鐘 5秒 T再 ℃ 25 40 60 100 150 四 、 再結(jié)晶后晶粒大小的控制 再結(jié)晶后晶粒尺寸 d與 G和之間存在下列關(guān)系： d=常數(shù) （ G/N’） 1/4） 上式表明：增大形核率或減小長大速率 G可以得到細(xì)的再結(jié)晶晶粒 1． 變形程度 對應(yīng)于再結(jié)晶后 得到特別粗大晶 粒的變形程度稱 為 “ 臨界變形度 ” ， 一般為 210%， 當(dāng)變形量超過臨 界變形度以后 ， 隨變形度增加 ， 再結(jié)晶晶粒變細(xì) 。 四 、 再結(jié)晶后晶粒大小的控制之 2． 原始晶粒大小 原始晶粒越細(xì) ， 再結(jié)晶后晶粒越細(xì) 。 四、再結(jié)晶后晶粒大小的控制之 3．退火溫度 當(dāng)變形程度和保溫時(shí)間一定時(shí)，退火溫度越高，所得到的晶粒越粗大。 如圖， H68合金隨終軋溫度由 a至 d的的提高，再結(jié)晶晶粒越大 四 、 再結(jié)晶后晶粒大小的控制之 加熱速度很慢將使晶粒粗化 5． 合金元素及第二相 在其他條件相同的情況下 ， 凡延緩再結(jié)晶及阻礙晶粒長大的合金元素或雜質(zhì)均使金屬再結(jié)晶后得到細(xì)晶粒組織 。 五、再結(jié)晶全圖 將變形程度、退火溫度與再結(jié)晶后晶粒大小的關(guān)系（保溫時(shí)間一定）表示在一個(gè)立體圖上，就構(gòu)成了 “ 再結(jié)晶全圖 ” 。 六 、 再結(jié)晶織構(gòu) 1． 定義 ： 冷變形金屬在再結(jié)晶過程中形成的織構(gòu) 。 六、再結(jié)晶織構(gòu)對性能的影響 六 、 再結(jié)晶織構(gòu) 2． 形成理論 定向生長理論 取向有利的晶核，其晶界可獲得最快的移動(dòng)速率，（ FCC中，兩個(gè)晶粒最佳取向差為30176。 ~40176。 時(shí)，晶界的移動(dòng)速率最快，如圖），較合理 定向成核理論 再結(jié)晶有形核過程，母體有織構(gòu)，再結(jié)晶后的晶體也會(huì)形成新的織構(gòu)。 七 、 退火孿晶 。 面心立方金屬和合金 （ 如銅 、 黃銅 、 不銹鋼等 ） 經(jīng)加工及再結(jié)晶退火后 ， 經(jīng)常在再結(jié)晶退火組織中發(fā)現(xiàn)孿晶 。 。 退火孿晶是由于新晶粒界面 在推進(jìn)過程中由于某些原因 （ 如熱 應(yīng)力等 ） 而出現(xiàn)堆垛層錯(cuò)而造成的 。 {111}面 ABCABCBACBACBABCABCABC 孿晶帶 七 、 退火孿晶 退火孿晶的形成與層錯(cuò)能有關(guān) 。Cu和奧氏體鋼的層錯(cuò)能低 ，易形成孿晶 。 167。 4 晶粒長大 晶粒長大的驅(qū)動(dòng)力是晶界能的下降 ,即長大前后的界面能差值 。 一 、 晶粒的正常長大 ：指晶體中有許多晶粒獲得長大條件 ， 晶粒的長大是連續(xù)地 ， 均勻地進(jìn)行 ， 晶粒長大過程中晶粒的尺寸是比較均勻的 ， 晶粒平均尺寸的增大也是連續(xù)的 。 （ 1）彎曲的晶界總是趨向于平直化，即向曲率中心移動(dòng)以減少界面積，同時(shí)，大角度晶界的遷移率總是大于小角度晶界的遷移率。 當(dāng)晶界為三維空間的任意曲面時(shí)，作用在單位界面上的力 P為： P=σ （ 1/R1+1/R2） 晶粒長大 晶粒長大的方式 P： 晶界遷移的驅(qū)動(dòng)力 ， σ ：晶界單位面積 的界面能 R R2：曲面的兩個(gè)主曲率半徑 如果空間曲面為球面時(shí) ， R1=R2 P=2σ/R ， 即：晶界遷移的驅(qū)動(dòng)力與其曲率半徑 R成反比 ， 與界面能成正比 。 晶粒長大 晶粒長大的方式 （ 2） 晶界總是向角度較銳的晶粒方向移動(dòng) ， 力圖使三個(gè)夾角都等于 120o。 當(dāng)界面張力平衡時(shí)： 因 為 大 角 度 晶 界TA=TB=TC， 而 A+B+C=360o ∴A=B=C= 120o CTBTAT CBAs i ns i ns i n ??晶粒長大 晶粒長大的方式 （
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