電池組件培訓(xùn)資料ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-06 22:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑ 2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2 擴(kuò)散后硅片截面示意圖 POCl3液態(tài)源擴(kuò)散原理圖 ? 擴(kuò)散的動(dòng)態(tài)演示 ? 擴(kuò)散的變化方向 ： 在柵線覆蓋區(qū)域進(jìn)行重?fù)剑ǚ阶?20左右），未覆 蓋區(qū)域進(jìn)行輕摻（方阻 80左右）。 ： 降低表面方塊電阻（方阻 60以上），減少死層和體 內(nèi)復(fù)合，提高電池短波相應(yīng)能力。 制 PN結(jié)（擴(kuò)散） 去邊結(jié) ? 目的 ： 去除硅片邊緣的 N型區(qū)域，將硅片內(nèi)部的 N層和 P層隔離開，以達(dá)到 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)要求。 ? 原理 ： 干法刻蝕（等離子刻蝕）： 等離子刻蝕是采用高頻輝光放電反應(yīng)， 使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，這些活性粒子與需要被刻蝕區(qū)域的 Si/SiO2發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物而被去除。 去邊結(jié) ? 原理 ： 濕法刻蝕（背腐蝕）： 利用 HFHNO3溶液，對(duì)硅片背表面和邊緣進(jìn)行高速腐蝕，以達(dá)到去掉邊緣層和消除背面絨面的作用。 Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O 激光去邊： 利用激光束的高能量使硅熔化，在硅片背表面劃槽， 用來隔斷 N層和 P層，以達(dá)到分離的目的。 ? 去邊的發(fā)展方向： 由于濕法刻蝕的
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