電池組件培訓資料ppt課件-文庫吧資料
2025-01-16 22:16本頁面
【正文】 HF和硅片表面的 PSi玻璃層反應(yīng)，并使之絡(luò)合剝離，以 達到清洗的目的。 ? 去邊的發(fā)展方向： 由于濕法刻蝕的優(yōu)勢比較明顯，相對轉(zhuǎn)換效率較高，因此以后采用濕法刻蝕的廠家將會越來越多。 去邊結(jié) ? 原理 ： 濕法刻蝕（背腐蝕）： 利用 HFHNO3溶液，對硅片背表面和邊緣進行高速腐蝕，以達到去掉邊緣層和消除背面絨面的作用。 制 PN結(jié)（擴散） 去邊結(jié) ? 目的 ： 去除硅片邊緣的 N型區(qū)域，將硅片內(nèi)部的 N層和 P層隔離開，以達到 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)要求。 4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑ 2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2 擴散后硅片截面示意圖 POCl3液態(tài)源擴散原理圖 ? 擴散的動態(tài)演示 ? 擴散的變化方向 ： 在柵線覆蓋區(qū)域進行重摻（方阻 20左右），未覆 蓋區(qū)域進行輕摻（方阻 80左右）。 ? 原理 ： POCl3液態(tài)源： 通過氣體攜帶 POCL3分子進入擴散爐管，使之反應(yīng)生成磷沉淀在表層。 Si + 2NaOH + H2O = Na2SiO3 + 2H2 ↑ 多晶： 利用硝酸的強氧化性和氫氟酸的絡(luò)合性，對硅進行氧化和絡(luò) 合剝離，導(dǎo)致硅表面發(fā)生各向同性非均勻性腐蝕，從而形成類 似“凹陷坑”狀的絨面。 sorting 電池片測試分篩 S
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