太陽電池工藝培訓資料(編輯修改稿)
2025-02-13 00:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 原理 ： POCl3液態(tài)源： 通過氣體攜帶 POCL3分子進入擴散爐管，使之反應生 成磷沉淀在表層。磷在高溫下滲透入硅片內(nèi)部形成 N區(qū)。 4POCL3 + 5O2 = 2P2O5 + 6Cl2↑ 2P2O5 + 5Si = 4P + 5SiO2 擴散后硅片截面示意圖 POCl3液態(tài)源擴散原理圖 制 PN結(jié)（擴散） 擴散的原理 擴散的變化方向 ： 在柵線覆蓋區(qū)域進行重摻（方阻 20左右），未覆 蓋區(qū)域進行輕摻（方阻 80左右）。 ： 降低表面方塊電阻（方阻 60以上），減少死層和體 內(nèi)復合，提高電池短波相應能力。 ： 在硅片表面噴涂或印刷磷酸（磷漿），然后利用鏈式 擴散爐進行擴散，特點產(chǎn)能大。 制 PN結(jié)（擴散） 制 PN結(jié)（擴散） 單面擴散示意圖 制 PN結(jié)（擴散） —— 常見擴散不良現(xiàn)象 表面有點狀或者塊狀斑跡，產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是硅片在擴散前表面被污染（水、偏磷酸、灰塵等）； 刻蝕 目的 ： 去除硅片邊緣的 N型區(qū)域，將硅片內(nèi)部的 N層和 P層隔離 開，以達到 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)要求。 原理 ： 干法刻蝕（等離子刻蝕）： 等離子刻蝕是采用高頻輝光放電反應， 使反應氣體激活成活性粒子，這些活性粒子與需要被刻蝕區(qū)域 的 Si/SiO2發(fā)生反應，形成揮發(fā)性生成物而被去除。 刻蝕 ? 原理 ： 濕法刻蝕（背腐蝕）： 利用 HFHNO3溶液，對硅片背表面和邊緣進 行高速腐蝕，以達到去掉邊緣層和消除背面絨面的作用。 Si + HNO3 → SiO2 + NOx ↑ + H2O SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O 激光去邊： 利用激光束的高能量使硅熔化，在硅片背表面劃槽， 用來隔斷 N層和 P層，以達到分離的目的。 ? 去邊的發(fā)展方向： 由于濕法刻蝕的優(yōu)勢比較明顯，相對轉(zhuǎn)換效率較高，因此以后
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