【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 略微減小 。 ③ 過(guò)壓 狀態(tài) Vcm 繼續(xù)增大 ， 使 A??(?t = 0)動(dòng)態(tài)點(diǎn)處在飽和區(qū) ， iC 迅速減小 ，電流脈沖出現(xiàn)凹陷 ， Vcm 增大 ，凹陷加深 。 諧振功放的工作狀態(tài) 單元四 高頻功率放大器 2． iC 的平均分量 IC0 與基波分量 Ic1m tiI ?d21 C0C ? ?????ttiI ?? dc o s1 Cc 1m ? ????? iC 脈沖越寬 ， 高度越高 ， IC0 和 Ic1m 就越大 。 如果出現(xiàn)凹陷 ， 則凹陷越深 ， IC0 和 Ic1m 就越小 。 由此可求功率性能 DoCoDCm1Ccmo0CCCD/ 2/ PPPPPIVPIVP??????單元四 高頻功率放大器 四個(gè)電壓量對(duì)性能影響的定性討論 一、負(fù)載特性 1． 定義 指 VBB、 Vbm 和 VCC 一定 ， 放大器性能隨 Re 的變化特性 。 2．特性 Re 的增加勢(shì)必將引起 Vcm 增大 (Vcm = ReIcm) Re? ? Vcm ? ? vCEmin ? ? 功 放 欠壓 ? 過(guò)壓 ? iC 波形出現(xiàn) 凹陷 。 據(jù)此可以畫(huà)出 Ic0 和 Ic1m 隨 Re 變化的特性。 諧振功放的負(fù)載特性 單元四 高頻功率放大器 3． Vcm、 Po、 PD、 PC、 ?C 隨 Re 變化的曲線(xiàn) 圖 224 負(fù)載特性 Vcm = ReIc1m ， Po = VcmIc1m/2 PD = VCCIC0 ， PC = PD－ Po ?C = Po/ PD 單元四 高頻功率放大器 3． 討論 (1) 欠壓區(qū) e2c1 m RI? Re ?， iC 脈沖高度略有減小 ， 相應(yīng)的 IC0、 Ic1m 也略有減小 ， 因而 Vcm(= ReIc1m)和 Po( )近似線(xiàn)性增大 ， 而 PD(= VCCIC0)略有減小 ， ?C 增大 ， PC 減小 。 (2)過(guò)壓區(qū) Re ? ， 電流脈沖高度減小 ， 凹陷加深 ， 相應(yīng)的 IC0、 Ic1m 減小 ， 結(jié)果使 Vcm 略有增加 ， Po、 PD 減小 ， 且 Po 比 PD 減小的慢 ， 從而 ?C 略有增加 ， PC 略有減小 。 (3)匹配負(fù)載 Reopt Re = Reopt 時(shí) ， 管子工作在臨界狀態(tài) ， Po 最大 ， ?C 較大 ， PC 較小 ， 放大器性能接近最佳 。 此時(shí)的 Re 稱(chēng)為諧振功放的匹配負(fù)載 。 單元四 高頻功率放大器 3． 討論 (3)匹配負(fù)載 Reopt Re = Reopt 時(shí) ， 管子工作在臨界狀態(tài) ， Po 最大 ， ?C 較大 ， PC 較小 ， 放大器性能接近最佳 。 此時(shí)的 Re 稱(chēng)為諧振功放的匹配負(fù)載 。 o2C E ( s a t )CCo2cme o p t)(2121PVVPVR ???單元四 高頻功率放大器 二、調(diào)制特性 圖 2–2–5 集電極調(diào)制特性 兩種調(diào)制特性： 集電極調(diào)制 和 基極調(diào)制特性 。 1． 集電極調(diào)制特性 (1)含義 VBB、 Vbm 和 Re一定 ， 放大器性能隨 VCC 變化的特性 。 (2)調(diào)制特性 集電極調(diào)制特性與調(diào)幅電路 ① 欠壓狀態(tài)： 隨 VCC 減小 ， 集電極電流脈沖高度略有減小 ， 因而 IC0 和 Ic1m 也將略有減小 ， Vcm(= ReIc1m)也 略有減小 。 單元四 高頻功率放大器 ② 過(guò)壓狀態(tài)： 隨 VCC 減小 ， 集電極電流脈沖的高度降低 ， 凹深加深 ， 因而 IC0、 Ic1m、 Vcm 將 迅速減小 。 (3) 集電極調(diào)幅原理電路 圖中： tVtvcbmb cos)( ??—— 載波 tVv ??? c o sm? —— 調(diào)制信號(hào) ttVtv ccmo ) c o s()( ??為 諧振回路上的輸出電壓 。 與諧振功放區(qū)別： 集電極回路接入調(diào)制信號(hào)電壓 。 單元四 高頻功率放大器 圖 2–2–7 集電極調(diào)幅電路 令 VCC(t) = VCC0 + v?(t) 作為放大器的 等效集電極電源電壓 。 若要求 Vcm(t) 按 VCC(t) 的規(guī)律變換 ， 根據(jù)集電極調(diào)制特性 ， 放大器必須在 VCC(t) 的變化范圍內(nèi)工作在 過(guò)壓狀態(tài) 。 單元四 高頻功率放大器 2． 基極調(diào)制特性 圖 2–2–6 基極調(diào)制特性 (1)含義 Vbm、 VCC、 Re 一定 ， 放大器性能隨 VBB 變化的特性 。 (2)調(diào)制特性 基極調(diào)制特性與調(diào)制電路 當(dāng) Vbm 一定 ， VBB ?， iC寬度 、 高度 ? ， IC0 ? Ic1m ? 、Vcm ?， VCEmin ?， 放大器欠壓 ? 過(guò)壓 。 過(guò)壓后 ， 隨 VBB?， iC 寬度 、高度 ? ， 凹陷加深 ， IC0 和 Ic1m、Vcm 均增加緩慢 ， 可認(rèn)為近似不變 。 單元四 高頻功率放大器 (3)基極調(diào)幅原理電路 圖 2–2–8 基極調(diào)幅電路 )()( B B 0BB tvVtV ??? —— 基極偏置電壓 使 Vcm 按 VBB(t) 的規(guī)律變化，放大器工作在 欠壓狀態(tài) 。 單元四 高頻功率放大器 三、放大特性 圖 2–2–9 放大特性 1． 含義 當(dāng) VBB、 VCC 和 Re 一定 ，放大器性能隨 Vbm 變化的特性 。 2． 特性 固定 VBB， 增大 Vbm 與上述固定 Vbm 增大 VBB 的情況類(lèi)似 ， 它們都使 iC 的寬度和高度增大 ， 放大器由欠壓進(jìn)入過(guò)壓 ， 圖 2–2–9(a)。 諧振功放的放大特性 單元四 高頻功率放大器 (1)諧振功放作為線(xiàn)性功放 圖 2–2–10 (a) 線(xiàn)性 功率放大器的 作用 為了使輸出信號(hào)振幅 Vcm 反映輸入信號(hào) Vbm 的變化 ， 放大器必須在 Vbm 變化范圍內(nèi) 工作在欠壓狀態(tài) 。 單元四 高頻功率放大器 (2) 諧振功放作為振幅限幅器 (Amplitude Limiter) 圖 2–2–10 (b) 振幅限幅器的 作用 作用： 將 Vbm 在較大范圍內(nèi)的變化轉(zhuǎn)換為 振幅恒定的輸出信號(hào) 。 特點(diǎn)： 根據(jù)放大特性 ， 放大器必須在 Vbm 的變化范圍內(nèi) 工作在過(guò)壓狀態(tài) ， 或 Vbm 的最小值應(yīng)大于臨界狀態(tài)對(duì)應(yīng)的 Vbm 限幅門(mén)限電壓 。 單元四 高頻功率放大器 第 2 章 諧振功率放大器 諧振功率放大器電路 直流饋電電路 濾波匹配網(wǎng)絡(luò) 諧振功率放大器電路 單元四 高頻功率放大器 諧振功放管外電路： ① 直流饋電電路 ② 濾波匹配網(wǎng)絡(luò) 直流饋電電路 考慮因素：濾波匹配網(wǎng)絡(luò)安裝方便； 饋電電路 (Power Supply Circuit)對(duì)濾波匹配網(wǎng)絡(luò)的影響 。 直流饋電電路分為 串 饋 并 饋 1． 串饋與并饋 (1)串饋 三者 (直流電源 VCC、 濾波匹配網(wǎng)絡(luò)和功率管 )在電路形式上為 串接 的饋電方式 。 單元四 高頻功率放大器 (a) 圖 2–3–1 集電極直流饋電電路 cCCCE vVv ?? LC——高頻扼流圈 ， 與 CC 構(gòu)成電源濾波電路 。 在信號(hào)頻率上 LC 的感抗很大 ，接近開(kāi)路； CC 的容抗很小 ， 接近短路 ， 避免信號(hào)電流通過(guò)直流電源而產(chǎn)生級(jí)間反饋 ， 造成工作不穩(wěn)定 。 (2)并饋 三者 (直流電源 VCC、 濾波匹配網(wǎng)絡(luò)和功率管 )在電路形式上為 并接 的饋電方式 。 單元四 高頻功率放大器 (b) 圖 2–3–1 集電極直流饋電電路 LC —— 高頻扼流圈； CC1 —— 隔直電容； CC2