【文章內(nèi)容簡介】 下面提供的公式和前述表中 的測試結果計算三種負載條件下的效率，并RL（Ω） 實測數(shù)據(jù) 計算結果 ICO(A) VL(PP)(V) VC(V) PS(mW) PL(mW) η (%) 39 75 120 丙類高頻諧振功率放大器實驗 10 將結果填入表中。 電源提供給功放級的總功率： PS=ICO VD 負載上得到的功率： PL=VOPP2／ 8RL功率放大級的總效率： η = PL／ PS 本電路的總效率一般可達到 65%左右，實際上集電極效率可達 80%左右。 LC電電容反饋三點式振蕩器 11 實驗三 LC 電容反饋式三點式振蕩器 一、實驗目的 LC 三點式振蕩電路的基本原理，掌握 LC 電容反饋式三點振蕩電路設計及電 參數(shù)計算。 Q 值對頻率穩(wěn)定度的影響。 饋系數(shù)不同時，靜態(tài)工作電流 IEQ對振蕩器起振及振幅的影響。 二、預習要求 LC振蕩器的工作原理。 圖 31 電路的工作原理，及各元件的作用，并計算晶體管靜態(tài)工作電流 IC的 最大值 (設晶體管的β值為 50)。 ， L1=10μ h，若 C=120pf， C’=680pf，計算當 CT=50pf 和 CT=150pf時振蕩頻率各為多少 ? 三、實驗儀器 設備 G1 四、實驗內(nèi)容及步驟 實 驗電路見 圖 31。 實驗前根據(jù) 圖 31 所示 原理圖在實驗板上找到相應器件及插孔并了解 其作用。 圖 31 LC 電容反饋式三點式振蕩器原理圖 (1).在實驗板 +12V扦孔上接入 +12V直流電源，注意電源極性不能接反。 (2).反饋電容 C 不接， C’接入 (C’=680pf)，用示波器觀察振蕩器停振時的情況。 注意：連接 C’的接線要盡量短。 (3).改變電位器 RP測得晶體管 V的 發(fā)射極電壓 VE， VE可連續(xù)變化，記下 VE的最大值，LC電電容反饋三點式振蕩器 12 計算 IE值 EEE RVI ? 設 :Re=1KΩ 實驗條件： Ie=2mA、 C=120pf、 C’=680pf、 R=110K (1).改變 CT電容，當分別接為 C C C11時，記錄相應的頻率值，并填入 表 。 (2).改變 CT電容，當分別接為 C C C11 時，用示波器測量相應振蕩電壓的峰峰值 VPP，并填入 表 。 表 CT f(MHz) VPP 50pf 100pf 150pf C、 C’不同時，起振點、振幅與工作電流 IER的關系 (R=110KΩ ) (1).取 C=C3=100pf、 C’=C4=1200pf，調(diào)電位器 RP使 IEQ(靜態(tài)值 )分別為 表 所標各值 ,用示波器測量輸出振蕩幅度 VPP(峰 峰值 ),并填入 表 。 表 IEQ(mA) VPP(V) (2).取 C=C5=120pf、 C’=C6=680pf， C=C7=680pf、 C’=C8=120pf，分別重復測試 表。 (1).回路 LC 參數(shù)固定時，改變并聯(lián)在 L1上的電阻使等效 Q值變化時，對振蕩頻率的影響。 實驗條件： C/C’=100/1200pf、 IEQ=3mA，改變 L1 的并聯(lián)電阻 R，使其分別為1KΩ、 10KΩ、 110KΩ， 分別記錄電路的振蕩頻率 , 并填入 表 。注意 :頻率計后幾位跳動變化的情況。 (2).回路 LC參數(shù)及 Q值不變，改變 IEQ對頻率的影響。 實驗條件： C/C’=100/1200pf、 R=110KΩ、 IEQ=3mA，改變晶體管 IEQ，使其分別為 表 ，測出振蕩頻率，并填入 表 。 Q～ f 表 IEQ～ f 表 R 1KΩ 10KΩ 11OKΩ IEQ(mA) 1 2 3 4 f(MHz) F(MHz) LC電電容反饋三點式振蕩器 13 五、實驗報告要求 。 備。 ，整理實驗數(shù)據(jù)，分析實驗結果。 IEQ為橫軸，輸出電壓峰峰值 VPP為縱軸，將不同 C/C′值下測得的三組數(shù)據(jù)，在同一座標紙上繪制成曲線。 。 石英晶體振蕩器 14 實驗四 石英晶體振蕩器 一、實驗目的 。 。 二、預習要求 。闡明為什么用石英晶體作為振蕩回路元件就能使 振蕩器的頻率穩(wěn)定度大大提高。 畫出并聯(lián)諧振型晶體振蕩器和串聯(lián)諧振型晶體振蕩器的實際電路，并闡述兩者 在電路結構及應用方面的區(qū)別。 三、實驗儀器 設備 。 G1 四、實驗內(nèi)容及步驟 圖 41 晶體振蕩器原理圖 實驗電路見 圖 41 ，調(diào)圖中 RP，測得 IEmin及 IEmax。 。 ， RL分別取 110KΩ， 10KΩ， 1KΩ， 測出電路振蕩頻率，填入 表 ，并與 LC振蕩器比較。 RL ～ f 表 RL 110KΩ 10KΩ 1KΩ f(MHz) 石英晶體振蕩器 15 五、實驗報告要求 。 。 LC振蕩器帶負載能力的差異，并分析原因。 。 LC參數(shù)計算回路中心頻率 ,闡述本電路的優(yōu)點。低電平振幅調(diào)制器實驗 16 實驗五 低電平振幅調(diào)制器 (利用乘法器 ) 一、實驗目的 ，并 研究已調(diào)波與二輸入信號的關系。 。 ，學會分析實驗現(xiàn)象。 二、預習要求 。 ，了解實驗原理及內(nèi)容，分析實驗電路中用 1496乘法器調(diào)制的工作原理，并分析計算各引出腳的直流電壓。 ，并畫出其頻譜圖。 三、實驗儀器 設備 。 。 。 G3。 四、實驗電路說明 幅度調(diào)制就是載波的振幅受調(diào)制信號的控制作周期性的變化。變化的周期與調(diào)制信號周期相同。即振幅變化與調(diào)制信號的振幅成正比。通常稱高頻信號 為載波信號，低頻信號為調(diào)制信號，調(diào) 圖 51 1496 芯片內(nèi)部電路圖 幅器即為產(chǎn)生調(diào)幅信號的裝置。 本實驗采用集成模擬乘法器 1496 來構成調(diào)幅器， 圖 51 為 1496 芯片內(nèi)部電路圖，它是一個四象限模擬乘法器的基本電路 ，電路采用了兩組差動對由 V1V4組成，以反極性方式相連接，而且兩組差分對的恒流源又組成一對差分電路，即 V5與 V6，低電平振幅調(diào)制器實驗 17 因此恒流源的控制電壓可正可負，以此實現(xiàn)了四象限工作。 D、 V V8 為差動放大器V V6的恒流源。進行調(diào)幅時，載波信號加在 V1V4的輸入端，即引腳的⑧、⑩之間；調(diào)制信號加在差動放大器 V V6的輸入端，即引腳的①、④之間，②、③腳外接 1KΩ電阻，以擴大調(diào)制信號動態(tài)范圍，已調(diào)制信號取自雙差動放大器的兩集電極 (即引出腳⑹、⑿之間 )輸出。 用 1496集成電路構成的調(diào)幅器電路圖如 圖 52所示，圖中 RP1用來調(diào)節(jié)引出腳①、④之間的平衡， RP2用來調(diào)節(jié)⑧、⑩腳之間的平衡，三極管 V為射極跟隨器，以提高調(diào)幅器帶負載的能力。 五、實驗內(nèi)容及步驟 實驗電路見 圖 52 圖 52 1496 構成的調(diào)幅器 (1).調(diào) RP2電位器使載波輸入端平衡：在調(diào)制信號輸入端 IN2加峰值為 100mv，頻率為 1KHz的正弦信號，調(diào)節(jié) Rp2電位器使輸出端信號最小，然后去掉輸入信號。 (2).在載波輸入端 IN1加峰值 VC為 10mv，頻率為 100KHz的正弦信號，用 萬用表測量 A、 B之間的電壓 VAB，用示波器觀察 OUT輸出端的波形，以 VAB=，記錄 RP1 由一端調(diào)至另一端的輸出波形及其峰值電壓，注意觀察相位變化，根據(jù)公式 VO=KVABVC(t) 計算出系數(shù) K 值。并填入 表 。 低電平振幅調(diào)制器實驗 18 表 VAB VO（ PP） K (1).調(diào)節(jié) RP1 使 VAB=，載波信號仍為 VC(t)=10sin2π 105t(mV)，將低頻信號Vs(t)=VSsin2π 103t(mV)加至調(diào)制器輸入端 IN2，畫出 VS=30mV和 100mV時的調(diào)幅波形 (標明峰一峰值與谷一谷值 )并測出其調(diào)制度 m。 (2).加大示波器掃描速率，觀察并記錄 m=100%和 m＞ 100%兩種調(diào)幅波在零點附近的波形情況。 (3).載波信號 VC(t)不變，將調(diào)制信號改為 VS(t)=100sin2π 103t(mV)調(diào)節(jié) RP1 觀 察輸出波形 VAM(t)的變化情況，記錄 m=30%和 m=100%調(diào)幅波所對應的 VAB值。 (4).載波信號 VC(t)不變，將調(diào)制信號改為方波，幅值為 100mV，觀察記錄 VAB=0V、 時的已調(diào)波。 (1).調(diào) RP1 使調(diào)制端平衡，并在載波信號輸入端 IN1 加 VC(t)=10Sin2π 105t(mV) 信號，調(diào)制信號端 IN2不加信號，觀察并記錄輸出端波形。 (2).載波輸入端不變，調(diào)制信號輸入端 IN2 加 VS(t)=100sin2π 103t(mV) 信號， 觀察記錄波形，并標明峰一峰值電壓。 (3).加大示波器掃描速率，觀察記錄已調(diào)波在零點附近波形，比較它與 m=100%調(diào)幅波的區(qū)別。 (4).所加載波信號和調(diào)制信號均不變，微調(diào) RP2為 某一個值，觀察記錄輸出波形。 (5).在 (4)的條件下，去掉載波信號，觀察并記錄輸出波形，并與調(diào)制信號比較。 六、實驗報告要求 ，用坐標紙畫出直流調(diào)制特性曲線。 m=30%、 m=100%、 m＞ 100%的調(diào)幅波形，在圖上標明峰一峰值電壓。 VAB時能得到幾種調(diào)幅波形，分析其原因。 100%調(diào)幅波形及抑制載波雙邊帶調(diào)幅波形，比較二者的區(qū)別。 RP2后的輸出波形，分析其現(xiàn)象。 高電平振幅調(diào)制器實驗 19 實驗六 高電平振幅調(diào)制器（集電極調(diào)幅）實驗 一、 實驗目的 1. 通過實驗加深對于高電平調(diào)幅器的了解。 2. 熟悉并掌握集電極調(diào)幅器的調(diào)整方法。 3. 掌握調(diào)幅系數(shù)的測量方法。 二、 預習要求 1. 預習高電平幅度調(diào)制器的有關知識，并與低電平調(diào)幅器相對照。 2. 了解高電平調(diào)幅器都有那些工作形式，以及構成高電平調(diào)幅器的基礎電路。 三、 實驗儀器 1. 雙蹤示波器 2. 高頻電路學習機 3. 萬用表 4. 高頻功放（調(diào)幅）及發(fā)射實驗電路板（ 實驗板 G2F） 四、 高電平振幅調(diào)制電路工作原理簡介 在無線電發(fā)送中，振幅調(diào)制的方法按功率電平的高低分為高電平調(diào)幅電路和低電平調(diào)幅 電路兩大類。而普通調(diào)幅波的產(chǎn)生多用高電平調(diào)幅電路。其優(yōu)點是不需要采用效率低的線性放大器，有利于提高整機效率。但他必須兼顧輸出功率、效率和調(diào)幅線性的要求。 高電平調(diào)幅電路是以調(diào)諧功率放大器為基礎構成的，實際上它是一個輸出電壓振幅受調(diào)制信號控制的調(diào)諧功率放大器。根據(jù)調(diào)制信號注入調(diào)幅器的方式不同，分為基極調(diào)幅、發(fā)射極調(diào)幅和集電極調(diào)幅三種，本實驗是晶體管集電極調(diào)幅器。 圖 1 集電極調(diào)幅電路 V 調(diào)幅波 調(diào)制信號 GND GND C3 C2 Eb C1 載波 圖 3 集電極調(diào)幅電路 E C 高電平振幅調(diào)制器實驗 20 所謂集電極調(diào)幅，就是用調(diào)制信號來改變高頻功率放大器的集電極直流電源電壓，以實現(xiàn)調(diào)幅。電路原理圖如圖 1 所示， 載波信號由基極加入，而調(diào)制信號加在集電極。由于調(diào)制信號與電源 Ec 串聯(lián)在一起，故可將二者合在一起看作一個隨調(diào)制信號