基于hspice的二級運放設(shè)計與仿真(編輯修改稿)
2025-01-04 08:33 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 組 三、仿真調(diào)試： LOGO Page 25 數(shù)模混合設(shè)計課題組 電源電壓 0~5V 共模輸入電壓 固定在（ VDD+VSS） /2 開環(huán)直流增益 ≥80dB 單位增益帶寬 ≥30MHz 相位裕度 ≥60 degree 轉(zhuǎn)換速率 ≥30 V/μs 靜態(tài)功耗（電流） ≤1mA 負載電容 =3pf LOGO Page 26 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 LOGO 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 VD DVS SIBM 3M 4M 1 M 2M 6C cVO U TCLM 7M 5M 8VI N NVI N P34125 圖 1 兩級運放 因為兩級放大器存在穩(wěn)定性方面的問題，所以圖中 Cc即時采用的密勒電容，起到‘補償’效果。 LOGO 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 一、設(shè)計目的與指標 本次實訓(xùn)設(shè)計一兩級放大器，研究 MOS管尺寸、密勒電容 Cc對放大器指標的影響。加深對兩級放大器中引入的‘補償’概念的理解。學會對放大器性能的模擬、測量并進行優(yōu)化。 工藝選?。?CSMC 工藝參數(shù) 類型 tox VT/V K’（ A/V2） NMOS PMOS LOGO 數(shù)模混合設(shè)計課題組 二、原理分析 LOGO 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 LOGO 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 LOGO 數(shù)模混合設(shè)計課題組 三、參數(shù)設(shè)計 LOGO 數(shù)模混合設(shè)計課題組 LOGO 數(shù)模混合設(shè)計課題組 名稱 W(μm)/L(μm) M1， M2 30/1 M3， M4 24/2 M5， M8 14/1 M6 150/1 M7 87/1 R=3k， Cc=1pF， CL=3pF 表 3 電路晶體管參數(shù)選取 LOGO 數(shù)?；旌显O(shè)計課題組 四、仿真分析 在共模輸入為 ，并對 VINN端和 VINP端輸入 DC信號，掃描范圍為 ,步長設(shè)置為 ，觀察輸出波形變化。下圖 2為 DC仿真的網(wǎng)表文件： 圖 2 DC仿真的網(wǎng)表文件
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